Есть у кого-то опыт использования высоковольтных ~230V MOSFET (не IGBT - большое падение U на переходе и оответственно мощность ) в фазовых регуляторах мощности до 2КВТ? Какие плюсы и минусы? Какие MOSFETы использовали?

Если мосфеты, тогда можно просто ШИМ и не морочиться с фазовой регулировкой.
Проблемы зависят от нагрузки. Если ТЭН - то в общем никаких. Реактивная - могут быть.

PS: я не гуру.

В общем случае импеданс ТЭН тоже имеет индуктивную составляющую, Посему морочиться все равно придется.

Эти мосфеты хорошо работают на постоянном токе. А вот когда речь идет о предельных частотах то сказывается входная ёкость в тысячи и десятки тысяч пикофарад. Посчитаейте какой мощности потребуется раскачка для приемленых по времени нарастания фронтов и выгода от применения оных как-то незаметно растворяется.

Сообщение отредактировал AlexKLm - Jul 4 2008, 00:46

Cgate = 10 нФ
Fswitch = 100 кГц
dVgate = 15 В

Pdriver = Cgate * Fswitch * dVgate^2 = 225 мВт

В чем будем растворять выгоду?

Ну фазового регулятора я не делал, но делал 1 кВт ИБП на SPW20N60S5(полевики Филипс на 600 В, 20 А). Работали классно. Плюсы - быстрое переключение, удобство управления. Минус - та же мощность при том же КПД на полевиках стоит дороже, чем на ИЖБТ. Какое у тебя напряжение питания, характер нагрузки и рабочая частота?

Сообщение отредактировал Burner - Jul 7 2008, 10:21

Автор, нагрузка какая, активная или индуктивная?

Сообщение отредактировал Alexandr - Jul 8 2008, 10:42

Тоже сейчас интересует этот вопрос, можете поделиться накопленным опытом ?




Я так понимаю, что чем ближе к переходу через ноль переключение, тем ниже потери. Поэтому смысл возиться с фазовой регулировкой при весомых мощностях все-таки есть.

Так а что включать-то? Если действительно ТЭНы, то зачем вообще усложнять - симистор.
И что на выходе? Если стабилизированные 12вольт 200ампер - одно, если синус - другое, если просто железяку нагреть или электродвигатель станка включить - третье.

Нагрузка резистивная.
А где, на Ваш взгляд, потери будут меньше - на современных MOSFET или симисторах ?

Ответ зависит от величины нагрузки. При небольших токах потери могут быть меньше на MOSFET, при больших - могут уже и симмисторы быть более эффективными. Открытый канал MOSFET представляет из себя сопротивление определенной величины. Рассеивание тепла на резисторе пропорционально квадрату протекающего тока, а сопротивлению только прямо пропорционально. На тиристоре же (симмисторе) падение напряжения складывается из падения на P-N переходе плюс небольшая добавка из эквивалента динамического сопротивления. Эквивалент динамического сопротивления обычно составляет порядок единицы-десятки миллиОм. Сравните сами конкретные типы MOSFET и симмисторов.

А я сразу могу сказать, что потери будут на полевиках меньше, чем на симисторе. Но цена такого решения может на 1-2 порядка выше.

Совершенно ага!

Не все так очевидно, цены не сильно отличаются.

Варианты симисторов:

http://catalog.compel.ru/triac/list?IT_GE=40.000&IT_LE=

Варианты MOSFET:

http://catalog.compel.ru/vt_mosfet/list?ID...D_25_LE=160.000

Думаю, стоимость грамотного управления ключами внесёт свою лепту. Поэтому на Mosfets будет дороже, ИМХО.