реклама на сайте
подробности

 
 
 
Reply to this topicStart new topic
> Пара вопросов по SDRAM, касательно AUTOREFRESH
spectr
сообщение Dec 23 2010, 09:58
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 285
Регистрация: 10-12-04
Из: Earth
Пользователь №: 1 437



Понадобилось вникнуть в суть SDRAM - благо, материала достаточно, так что большинство вопросов я для себя прояснил.

Однако, пару моментов я так и не понял (витает некоторая неясность, которая меня в итоге запутала).

Допустим, память содержит 4 банка, каждый из которых содержит 2048 строк (да-да, это 64Мб Микрон sm.gif ).
Даташит говорит, что для того, чтобы обеспечить сохранность данных, необходимо за каждые 64 мс успеть подать 4096 таких команд (либо пачкой, либо раз в 15.625 мкс, что при количестве таких команд равном 4096 как раз уложится в 64мс).

Что мне непонятно:

1. Что именно рефрешит ОДНА команда AUTOREFRESH - ЦЕЛИКОМ один БАНК (но ведь в таком случае достаточно дать всего 4 команды, чтобы обновить всю память), или же только одну СТРОКУ в ОДНОМ банке (в таком случае надо дать 2048 команд в каждый банк)?

2. Откуда получается число 4096 (см. скобки в п.1)?

3. Правильно я понимаю что, например, для 64Мб Микрона время выполнения этой команды составит порядка 60нс (см. Даташит)?

Спасибо!
Go to the top of the page
 
+Quote Post
vadimuzzz
сообщение Dec 23 2010, 23:24
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 291
Регистрация: 21-07-05
Пользователь №: 6 988



1. 1 команда AUTOREFRESH рефрешит 1 строку в каждом банке
2. из даташита. не знаю, где вы взяли 2048. в том даташите, что у меня - 4096 (у меня тоже Micron)
3. да, если вы рефрешите пачкой.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
spectr
сообщение Dec 24 2010, 04:47
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 285
Регистрация: 10-12-04
Из: Earth
Пользователь №: 1 437



Цитата(vadimuzzz @ Dec 24 2010, 05:24) *
не знаю, где вы взяли 2048. в том даташите, что у меня - 4096 (у меня тоже Micron)


MT48LC2M32B2.

Цитата из даташита (стр.2):
"The Micron® 64Mb SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory
containing 67,108,864 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a
synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal,
CLK). Each of the 16,777,216-bit banks is organized as 2,048 rows by 256 columns by 32
bits."

Однако чуть выше, в сводке ТТХ:
Refresh
– 64ms, 4,096-cycle refresh (15.6µs/row)

В то же время, на структурной схеме (стр.6) опять видим 4 банка по 2048 строк...

Либо где-то в даташите опечатка, либо я что-то недопонял...

Цитата(vadimuzzz @ Dec 24 2010, 05:24) *
3. да, если вы рефрешите пачкой.

Я так понял что сама по себе одна такая команда выполняется 60 нс.
Соответственно, 4096 таких команд одной пачкой составит 4096*60=245 мкс sm.gif.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
vadimuzzz
сообщение Dec 24 2010, 04:52
Сообщение #4


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 291
Регистрация: 21-07-05
Пользователь №: 6 988



Цитата(spectr @ Dec 24 2010, 13:47) *
Я так понял что сама по себе одна такая команда выполняется 60 нс.
Соответственно, 4096 таких команд одной пачкой составит 4096*60=245 мкс sm.gif.

это минимальный интервал между командами. там 2 режима: либо рефрешить равномерно, 1строка/15.625usec, что дает требуемые 64msec; либо 1 пачка (с теми цифрами, что вы привели) за 64msec. один черт, короче.

что касается числа команд, то тоже не понял. но если оставить 15.625 usec между командами, то должно работать (внутренний счетчик заведомо успеет за 64 msec все строки обойти)
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 22:22
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01364 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016