c "0" то проблем нет. а вот с "1" ???

Микроконтроллер питается напряжением 3,6 вольта.
С вывода микроконтроллера резистор 470 Ом и на модуль - PWRKEY.
Также от вывода PWRKEY стоит резистор 1500 Ом на GND.
Делитель будет!

С единицей тоже, если контроллер питается больше чем от 2.8V, а коммутация будет происходить переходом в Z-состояние, тогда вообще напрямую можно. Вот только такое решение не защищено от программных ошибок и не потерпит независимого отключения питания контроллера. Зачем создавать себе лишние трудности и потом героически их преодолевать ? Чтобы "съэкономить" один рубль на транзисторе ?

Сообщение отредактировал rx3apf - Jan 10 2011, 10:58

Естественно стоит позаботиться... чтобы вывод микроконтроллера находился в состоянии лог. 1! (а не в Z-состоянии... ибо резистор номиналом в 1500 Ом будет создавать низкий уровень на ноге PWRKEY).

Если с делителем - то да.

Другое дело что возникает вопрос потребления тока в таком состоянии.
На ноге 3,6 вольта - она создаёт логическую единицу. Из закона Ома 3,6 вольт делим на 1500 Ом + 470 Ом = 0,00182 ампера - почти 2 миллиампера

+10

В схемотехнике были и есть проблемы, поэтому, возможно, спрашиваю наиглупейшие вещи, но всё таки.
Есть схема на транзисторе - ключ. "Выдрал" из картинки с этого же форума.
При низком логическом уровне - транзистор закрыт, и на его коллекторе, так как в модуле вывод PWRKEY подтянут 100 килоомами к 3-м вольтам. Логический уровень 1 на выводе модуля PWRKEY.
Всё понятно.
Далее. Подаём на базу ключа (через резистор) - высокий потенциал. Как только напряжение станет более 0,6 вольта - транзистор откроется. Но - глядя на картинку я вижу что он откроется, но откроется он не "накоротко", а будет последовательно открыты 2 p-n перехода. Падение на каждом 0,6 вольта. Итого я так понимаю на транзисторе упадёт 1,2 вольта. Или как всё происходит.
Заранее СПАСИБО за науку! неужели падение напряжения на открытом транзисторе между коллектором-эмиттером составит менее 0,42 вольта?

Сообщение отредактировал Павел_Б - Jan 10 2011, 12:20

Падение напряжения на открытом транзисторе в режиме насыщения никак не связано с падением напряжения на открытом pn-переходе. Есть, например, кремниевые транзисторы с напряжением насыщения C-E менее 100 mV (даже единицы mV).

Ок. Спасибо. Буду знать! а каково примерное падение напряжения на транзисторе BC847?

А даташит посмотреть не позволяют религиозные убеждения ? Примерно 100 mV при токе коллектора 10 mA.

нашёл
при токе коллектора 10 мА и токе базы 0,5 мА - 90...250 миливольт
а вот при токе коллектора в 100 мА - аж до 0,6 вольт - благо это не наш случай


Сообщение отредактировал Павел_Б - Jan 10 2011, 13:44

"saturation voltage"

СПАСИБО!

Могу вот такого зверька PDTC143ET порекомендовать. В нем уже все посчитано.