Схема разрабатывается на основе ПЛИС XC5VFX70T-2FFG665I.
Внутри ПЛИС три рабочие частоты 33 (66), 100(133) и 200(266) МГц,
в процентном соотношении 35 - 50 - 10, т.е. проект будет в основном работать на 100 МГц.
В скобках приведены максимально возможные частоты для проекта (не для ПЛИС).

На "борту" платы:
4 м/сх DDR SDRAM - MT46V8M16,
2 формирователя RS-232,
формирователь PCI33 (66),
обвязка (генераторы, супервизоры, буфферные элементы).

В ПЛИС будет задействоваться процессор PowerPC, модуль RocketIO GTX (два приемопередатчика). Заполнение
красталла ~ 50 %.

На плату подается напряжение питания 3.3 В.

Необходимые напряжения питания:
ПЛИС:
Vccio = 3.3В (берется с платы) и 2.5В,
Vccaux = 2.5 В,
Vccint = 1В.
GTX - Vavcc_pll = 1B,
GTX - Vavcc = 1B,
GTX - Vavtt = 1,2B.

DDR SDRAM:
Vddr = 2.5 В.
Vddr_term = 1.25В.

КОНФИГУРАТОР
Vccio = 3.3В (берется с платы),
Vccint = 1.8B.

-------------- Выбираю следующие м/сх:

КОНФИГУРАТОР
Vccint = 1.8B - LT1763IS8-1.8 (500 мА, LDO Regulator).

DDR SDRAM:
(Imax = 375 мА * 4 = 1500 мА).
Vddr = 2.5 В. - TPS54615PWP (6A, Step-Down Regulator Fixed). Он же используется и для питания Vccio = 2.5В ПЛИС.
Vddr_term = 1.25В. - пока вопрос, хотелось бы найти с точной установкой, без делителя.

ПЛИС:
Vccio = 2.5В. - MAX1830 (3A, Step-Down Regulator Adj).
Vccaux = 2.5 В, - TPS74425RGW (3A, LDO Fixed).
Vccint = 1В. - TPS54610PWP (6A, Step-Down Regulator).
GTX - Vavcc_pll = 1B, - TPS74410RGW (3A, LDO Fixed).
GTX - Vavcc = 1B, - TPS74410RGW (3A, LDO Fixed).
GTX - Vavtt = 1,2B. - TPS74412RGW (3A, LDO Fixed).

Возникает несколько вопросов по поводу закладываемых элементов.
1) Как сложно достать элементы TPS74425RGW, TPS74410RGW и TPS74412RGW,
или же лучше заложить TPS74401RGW (Adj) и соответствующие резисторы?
2) Не могу пока подобрать м/сх для напряжения питания 1.25В (хотелось бы Fixed).