Цитата(BarsMonster @ Nov 26 2010, 04:23)
7) А наносят ли диэлектрики испарением в вакууме?
Температура кипения диэлектриков при околонулевом давлении хоть и выше используемых металлов (Al ~600, Ag/Au ~1000), но не выглядит фатальной (~1700C для SiO2)...
Понятно что какие-нибуть 10-20нм равно проще и надежнее вырастить из кремния, а вот 0.1-1um....
Наносят и испарением в вакууме. Я частенько пользуюсь "тупым" термически распыленным SiOx, но исключительно для изоляции сигналов. Для подзатворных диэлектриков в современных СБИС давно не используют SiO2, а ростят посредством ALD-метода диэлектрики с высокой эпсилон, типа Al2O3, HfO2, Gd2O3 и др...
Вообще ваши вопросы выглядят мягко говоря странными. Настоятельно рекомендую к прочтению S.M. Sze "Physics of semiconductor devices" 3ed, 2007, есть на gigapedia.org. Второе издание этой книги (в двух томах) издавалось в СССР и есть на русском языке.
Цитата(BarsMonster @ Dec 15 2010, 21:42)
8) Какие вообще подзатворные диэлектрики используются, кроме SiO2?
А то уж больно муторно его выращивать...
Al2O3, HfO2 и другие. У нас, к примеру был экспериментальный реактор для извращений типа оксид скандия. Работало хорошо, но все high-k диэлектрики очень нежные, не все выживают processing.
А у тебя SQUID, и значит, мы умрем.
Вопросы по технологиям изготовления ИС, дабы не плодить темы
Feb 6 2011, 20:46
