|
|
  |
Высоковольтный генератор, Нужна схема высоковольтного генертаора для модулятора добротности |
|
|
|
Feb 9 2011, 08:47
|

Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 015
Регистрация: 23-01-07
Из: Москва
Пользователь №: 24 702

|
Цитата(yakub_EZ @ Feb 9 2011, 11:33)  Вы их заказывать будете? Последнее время вот здесь всё заказываю http://www.chipfind.ru/shop/ Очень хорошая контора. Цитата У вас будет длительная работа? Неделями, годами? Да
--------------------
Если у Вас нет практического опыта в данной теме- не вступайте в дискуссию и не пишите никаких теоретических рассуждений! Заранее спасибо !
|
|
|
|
|
Feb 20 2011, 20:12
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636

|
Цитата(MiklPolikov @ Feb 6 2011, 02:35)  Максимальная частота 50КГц Фронт импульса <10нС Входное постоянное напряжение 3-12Кв Выходное напряжение 1-10КВт , регулируется на ходу. Мощность всего этого 30Вт. Очень странная комбинация параметров - кажется, что она составлена из максимальных значений для самых разных случаев. При высокой частоте (50 КГц) усиление лазера обычно невелико, не нужен короткий фронт, и наоборот (фронт менее 10 нс вообще почти никогда не нужен, даже вреден). Знаю затворы с напряжением до 8 кВ, но 12 - представить не могу, а тем более постоянное. Действительно ли Вам нужны все эти параметры одновременно, они ведь сильно осложняют жизнь. Цитата(yakub_EZ @ Feb 2 2011, 12:12)  Смех смехом, а BNC выдерживает высоковольтные наносекундные импульсы. Пробить не успевает. И даже тонкий коаксиальный кабель применяемый в VGA кабеле. Сколько работал с высоковольтными устройствами, существенной разницы по пробою между постоянкой и 100 нс импульсами не видел. BNC если пробивается, то не через изоляцию, а по поверхности (вообще, 1 мм нормального изолятора обычно достаточно для 10 кВ). А поверхность со временем всегда загаживается и начинает шить. Посему HV BNC отличается длиной по поверхности (типа лабиринта).
|
|
|
|
|
Mar 12 2011, 15:53
|

Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 101
Регистрация: 28-06-04
Пользователь №: 200

|
Цитата(yakub_EZ @ Feb 9 2011, 15:33)  Вы их заказывать будете? Я бы тоже хотел их попробовать, хотя бы десяток-пару. Я свои транзисторы жег только в режиме настройки/наладки, после чего на выход включил ограничительный резистор - можно замыкать не боясь. Небольшое влияние на сигнал устраивает. В сумме генератор проработал недели две, изменений не заметно. У вас будет длительная работа? Неделями, годами? zetex857 (не лавинные, цена адекватная) живут долго, уже больше года возвратов не было, режим работы - 10Гц, несколько часов в день. Их же специальные лавинные (413,415) имеют неадекватную цену.
|
|
|
|
|
Mar 18 2011, 09:14
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 318
Регистрация: 13-02-05
Из: Липецкая область
Пользователь №: 2 613

|
Цитата(AlexeyW @ Feb 20 2011, 23:12)  Сколько работал с высоковольтными устройствами, существенной разницы по пробою между постоянкой и 100 нс импульсами не видел. BNC если пробивается, то не через изоляцию, а по поверхности (вообще, 1 мм нормального изолятора обычно достаточно для 10 кВ). А поверхность со временем всегда загаживается и начинает шить. Посему HV BNC отличается длиной по поверхности (типа лабиринта). Пробой по поверхности, это пробой в газе, для которого существует понятие вольт-секундной характеристики. Для одних и тех же условий время формирования канала пробоя прямо зависит от величины поданного напряжения и если за время действия импульса канал не успевает сформироваться, пробой при данном напряжении не наступает. времена 100 нс достаточно малые даже для изоляционных поверхностей разъема, поэтому при таких коротких импульсах пробой может развиваться на более высоких напряжениях, чем при постоянном напряжении.
Кроме того, загрязнение поверхности уменьшают пробивное напряжение , в том числе, за счет перераспределения потенциала по поверхности изолятора, на что так же необходимо время.
|
|
|
|
|
Mar 18 2011, 20:17
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636

|
Цитата(gte @ Mar 18 2011, 12:14)  Пробой по поверхности, это пробой в газе, для которого существует понятие вольт-секундной характеристики. Для одних и тех же условий время формирования канала пробоя прямо зависит от величины поданного напряжения и если за время действия импульса канал не успевает сформироваться, пробой при данном напряжении не наступает. времена 100 нс достаточно малые даже для изоляционных поверхностей разъема, поэтому при таких коротких импульсах пробой может развиваться на более высоких напряжениях, чем при постоянном напряжении. Кроме того, загрязнение поверхности уменьшают пробивное напряжение , в том числе, за счет перераспределения потенциала по поверхности изолятора, на что так же необходимо время. Спасибо за рисунок, интересная информация. Я сам когда-то полагал примерно так же, но для малых промежутков (миллиметры - пара сантиметров) сто нан - уже большое время, как показывает опыт (каковы порядки "малых расстояний" для приведенных Вами графиков?). Например, лазерные лампы с промежутком 3-4 см пробиваются примерно за 100 нс, и зависимость от напряжения много больше, чем от времени. Правда, при постоянке включаются много более медленные процессы типа электролиза. Большие расстояния - время растет за счет пространственной емкости. Вообще, скорее всего, именно ей определяется вообще время пробоя, пока время не дойдет до времени свободного пробега. Также для воздушного пробоя есть обратный эффект - при медленном нарастании напряжения из промежутка вытягиваются свободные заряды, которые при быстром нарастании могли бы быть инициаторами лавины.
|
|
|
|
|
Mar 19 2011, 11:26
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 318
Регистрация: 13-02-05
Из: Липецкая область
Пользователь №: 2 613

|
Цитата(AlexeyW @ Mar 18 2011, 23:17)  Спасибо за рисунок, интересная информация. Я сам когда-то полагал примерно так же, но для малых промежутков (миллиметры - пара сантиметров) сто нан - уже большое время, как показывает опыт (каковы порядки "малых расстояний" для приведенных Вами графиков?). Например, лазерные лампы с промежутком 3-4 см пробиваются примерно за 100 нс, и зависимость от напряжения много больше, чем от времени. То, что Вы написали - "зависимость от напряжения много больше, чем от времени" как раз согласуется с понятие вольт-секундной характеристики для времени запаздывания пробоя. Больше превышение напряжения над критическим напряжением - меньше время запаздывания пробоя. Скорость роста стримера в воздухе при нормальном давлении может составлять 10-100 см/мкс и сильно зависит, например, от напряженности поля. Поэтому, при хороших условиях то о чем писал yakub_EZ вполне имеет право на жизнь. При этом, я бы не советовал использовать не предназначенные для высокого напряжения разъемы в промышленном оборудовании без серьезного изучения проблемы. Для внутреннего потребления вполне возможно, если это безопасно.
|
|
|
|
|
Mar 20 2011, 21:33
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636

|
Цитата(gte @ Mar 19 2011, 14:26)  Скорость роста стримера в воздухе при нормальном давлении может составлять 10-100 см/мкс и сильно зависит, например, от напряженности поля. Поэтому, при хороших условиях то о чем писал yakub_EZ вполне имеет право на жизнь. При этом, я бы не советовал использовать не предназначенные для высокого напряжения разъемы в промышленном оборудовании без серьезного изучения проблемы. Для внутреннего потребления вполне возможно, если это безопасно. Да, тут Вы полностью правы, и цифры эти не противоречат ничему тому, что сам наблюдал. Я бы, скорее, переформулировал свою начальную фразу в виде "не стоит рассчитывать на существенное повышение пробивного напряжения вследствие малых времен" и делать для коротких импульсов все же такие же запасы, как и для постоянки. Про разъемы тоже именно так - но я и не призывал, просто обозначил их отличия от обычных.
|
|
|
|
|
Mar 24 2011, 11:49
|
Группа: Новичок
Сообщений: 2
Регистрация: 23-03-11
Пользователь №: 63 806

|
Добрый день, я в схемотехнике не силен, но возникла потребность и импульсном генераторе с амплитудой импульса в 400В (не менее) и частотой на 1кГц нагрузка ячейка Поккельса 90+-10 пФ длительность импульса 10-20 нс. Заранее благодарен
|
|
|
|
|
Apr 11 2011, 10:36
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 284
Регистрация: 10-10-05
Из: Киев
Пользователь №: 9 440

|
Цитата(AlexeyW @ Apr 9 2011, 21:46)  Ну, тут просто один провод затвора на земле, другой высоковольтным полевиком коммутируется, например, тоже на землю, а резистором подтягивается к 400В - это самый простой вариант. Возможны добавления и усложнения - в зависимости от требований к фронту/спаду, наличию запирающего напряжения и т.п. Почти верю - что просто.  Но можно ссылочку на производителей полевых силовых транзисторов с напряжением 400В током 40 А и временами задержки,переключения и спада в единицы наносекунд для предложеного вами варианта. Да, драйвера тоже интересны.
|
|
|
|
|
Apr 11 2011, 20:24
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636

|
Цитата(ZVA @ Apr 11 2011, 14:36)  полевых силовых транзисторов с напряжением 400В током 40 А и временами задержки,переключения и спада в единицы наносекунд для предложеного вами варианта. Да, драйвера тоже интересны. Вы предположили, что фронт должен быть 1нс? Вроде про такое не говорилось. Это крайне сложно совсем по другим причинам. Кроме того, про фронты короче 5нс для затворов я вообще не слышал. Кажется, человек имел в виду фронт, а не длительность. Мы делали многоэтажные из киловольтовых транзисторов. При примерно тех же фронтах (10-20нс) емкость раза в три поменьше, ток около 10-20А - все получается. При необходимости транзисторы параллелятся. К драйверам тоже нет экстраординарных требований - ну, 1-2 ампера выдавать должен, но это обычно для большинства. Время задержки - да, оно есть, несколько десятков наносекунд в худшем случае, но про него речь не шла.
Сообщение отредактировал AlexeyW - Apr 11 2011, 20:27
|
|
|
|
|
Apr 11 2011, 21:41
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 284
Регистрация: 10-10-05
Из: Киев
Пользователь №: 9 440

|
Цитата(SNGNL @ Apr 11 2011, 22:27)  Спасибо. Посмотрел. Действительно отличые транзисторы, но и цена 60$ за штуку хороша. Хотя оно того стоит. Цитата(AlexeyW @ Apr 11 2011, 23:24)  Вы предположили, что фронт должен быть 1нс? Вроде про такое не говорилось. Это крайне сложно совсем по другим причинам. Кроме того, про фронты короче 5нс для затворов я вообще не слышал. Кажется, человек имел в виду фронт, а не длительность. Мы делали многоэтажные из киловольтовых транзисторов. При примерно тех же фронтах (10-20нс) емкость раза в три поменьше, ток около 10-20А - все получается. При необходимости транзисторы параллелятся. К драйверам тоже нет экстраординарных требований - ну, 1-2 ампера выдавать должен, но это обычно для большинства. Время задержки - да, оно есть, несколько десятков наносекунд в худшем случае, но про него речь не шла. Я ничего не предполагал. Это человеку хотелось длительность импульса 10 nS. на емкости 100 pF. А мне просто интересно, действительно ли это просто, как следует из Ваших слов.
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|