Ещё не понятно - что за нагрузка? Ей почему-то от батареи допускается работать в диапазоне 3.5-4.2V, а от внешнего питания почему-то нет.


Кто сказал что он разряжается? И при каких напряжениях в трёх точках? (вход, выход, акк)

Нагрузка GSM модем и от батареи она будет работать не более 1мин.
Я ж написал: IRLML6402 имеет сопротивление в открытом состоянии 0,065 Ом, в результате при 2А на нем падает 0,13В и на входе я имею 4,17В. В этот момент с батареи и утекают милиамперы через встроенный в полевик диод. Но это уже не важно, т.к. в момент потребления 2А заряднику будет "разрешено" подавать напряжение на аккум.

Сообщение отредактировал Alt.F4 - Mar 21 2011, 11:38

Это не так. Диод начнёт проводить миллиамперный ток только при падении на нём выше 0.5 вольт грубо. Можно сказать точно, что при падении до 0.3 вольта ток будет еденицы микроампер или меньше.

Еденицы мка - это на уровне саморазряда аккума.

Alt.F4, с такими номиналами (1 мегаом) печатная плата должна быть покрыта как минимум лаком, чтобы ни пыль, ни влага не создавали микроамперных утечек между контактными площадками. Особенно если девайс будет для уличного применения.

Вы ошиблись, 105 - это 100К. Или лучше ставить 10К?

105 это 1 мегаом. Я не ошибся.
10к неплохой вариант, но т.к. этот резистор будет постоянно грузить акк, то акк ни в коем случае не должен глубоко разряжаться. Значит либо акк должен быть с защитой (как в большинстве акков для сотовых) либо напряжение питания не должно пропадать надолго.

GetSmart, тогда наверное 100К будет лучшим вариантом.
з.ы. не могу никак вставить модель irlml6402.spi в multisim, чтобы прогнать схемку с конкретными элементами. Пробовал качать micro-cap, 9 не запускается из-за ключа, а 10 бета не разрешает использовать свою библиотеку. Скачал LTspice - модель irlml6402.spi тоже не понимает...

1. Напряжение надёжного открытия irlml6402 вроде бы от 2.7V. То есть когда на выходе схемы будет +4.3V, то достаточно иметь на затворе +1.6V относительно земли.
2. Схемка работает неплохо только когда разница напряжений между входом и акком в несколько десятых вольта, например 0.3. Тогда этот "недодиф каскад" формирует стабильные логические уровни для управления мосфетами. То есть если на аккуме 4.2V максимум, то на вход желательно подавать 4.5V от DC-DC питальника. А если в эмиттер Q4 включить диод или переход БЭ такого же транзистора, то можно снизить напряжение питальника на 0.5 вольта, до 4.0V.

А как Вы определили?
При симуляции, вроде разница и в 0,1В работает...
С увеличением тока до 2А, на диоде будет падать довольно много. Не подходит.

Сообщение отредактировал Alt.F4 - Mar 22 2011, 08:26

Эх, ля...
Симулятор, симулятор. Избаловали.

Во-первых DC-DC имеет пульсации, во-вторых транзисторы (PNP) могут иметь разную температуру и вследствие разное падение напряжения БЭ, в третьих DC-DC не прецизионный и запас полюбому нужен. В четвёртых, в пятых могу ещё придумать


Подходит, подходит.
По этому диоду/транзистору ток будет течь маскимум 100 мка.

Вот ещё. В четвёртых, на разном токе нагрузки будет разное падение на мосфете и внутреннем сопротивлении DC-DC (в том числе проводов). Что вызовет падение напруги на входе ниже чем на аккуме значительно выше какой-то одной десятой. Там вообще в минус уйдёт относительно аккума и схема переключится на аккум. Кроме этого, в пятых, в эти переходные моменты, когда напруги будут близки друг к другу, схема ведёт себя нестабильно.

Да! На схему не посмотрел, думал Вы про полевик (хотя там и эмиттера нету, я кретин )
В таком случае повышать входные 4,3В до 4,5В и не нужно. Никогда бы не додумался.
Интересно, какие скачки будут при переключении?


Я думал схема "недодиф каскада" отталкивается от приложенного к мосфетам напряжения, а не после них.
А каковы критерии это близости напряжений?
В принципе, как Вы предложили, 0.5В падения на Q5 должны решить проблему.

Сообщение отредактировал Alt.F4 - Mar 22 2011, 09:01

Угу. Осталось только найти два транзистора с абсолютно одинаковыми бетта, как в симуляторе
Не говоря уже об остальных параметрах.

PS. Я бы тогда закладывался на какуюнить сборку типа BC857BDW1T1, хотя там тоже не понятно какой разброс в этой паре.
update: не ту полярность привел, исправлено.

У этой схемы, когда напруги на эмиттерах биполяров близки может быть так, что оба биполяра включатся и оба мосфета отключатся. Мосфеты будут проводить ток только через боди диоды. Это значит, что напруга на выходе резко упадёт на 0.5V примерно. Или будет прыгать туда-сюда. Возможна даже автогенерация. Поэтому нужен всегда запас.

Для начала 0.1В как якобы достаточное симулятору. Далее добавить к ним все наихудшие отклонения параметров транзисторов и DC-DC. Эта цифра легко поднимается до 0.5. И даже этого может быть мало если от DC-DC будут идти длинные или тонкие провода.

Ещё нужно гарантировать, что зарядка аккума не будет выдавать более обозначенной напруги, то есть 4.2V.

Сообщение отредактировал GetSmart - Mar 22 2011, 09:25

GetSmart, повышать входное напряжение 4,3В крайне нежелательно...
Кстати на диоде Q5, при наличии основного питания, симулятор показал падение всего 0,15В (при отсутствии основного питания - 0.5В).
Может есть еще варианты преобразования данной схемы?
Спасибо.

Сообщение отредактировал Alt.F4 - Mar 22 2011, 09:42

У схемы ещё ещё есть недостаток. На выходе могут быть провалы напряжения до 3.0V. Например когда на акке 3.5 и оба мосфета выключены в переходном режиме, например когда DC-DC только выключился и на нём плавно снижается напруга. Тогда на короткое время (доли сек) на выходе напруга провалится.


Выбросить?

Я бы с удовольствием.
Но заменить отдельной микросхемой не представляется возможным (уже интересовался, цена для меня от 5уе и ждать месяц).
Может есть подобные схемы на транзисторах, только с другим принципом работы? (по форуму кроме этой, больше не найшов)

Сообщение отредактировал Alt.F4 - Mar 22 2011, 09:53