реклама на сайте
подробности

 
 
3 страниц V  < 1 2 3  
Reply to this topicStart new topic
> Нагрев MOSFET, как оценить в зависимости от частоты коммутации
Stanislav
сообщение Feb 27 2006, 19:02
Сообщение #31


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 363
Регистрация: 13-05-05
Из: Москва
Пользователь №: 4 987



Цитата(Herz @ Feb 27 2006, 18:59) *
Да, но Вы базу с эмиттером не закорачиваете... Или диод восстанавливается дольше?
Я лишь возразил по поводу Вашего поста:
Цитата
...Ведь рассасывание зарядов в базе насыщенного транзистора при практически нулевом смещении Б-Э перехода происходит достаточно медленно.
База с эмиттером в схеме действительно не замыкается, но, в таком случае, поясните, как может открыться "правый" диод, если заряд в базе верхнего транзистора не рассосался (предположим даже, что он был насыщен), и, соответственно, потенциал базы не упал практически до потенциала эмиттера? Ведь это есть необходимое условие возникновения "сквозняка".

Цитата(asdf @ Feb 27 2006, 19:17) *
Я думаю, дело сильно прояснилось бы, если бы Вы привели осциллограммы тока через полевик при нескольких частотах коммутации, в частности, при которой он греется.
Можно обойтись напряжениями на затворе и стоке ПТ, а также на выходе МК. Похоже, с ним что-то не так.


--------------------
Самонадеянность слепа. Сомнения - спутник разума. (с)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Pyku_He_oTTyda
сообщение Feb 28 2006, 06:20
Сообщение #32


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 751
Регистрация: 4-08-05
Из: Великие Луки
Пользователь №: 7 360



МК - Tiny15. Использовался PB1 (в режиме PWM)
Оссилограммы сделаю ближе к концу недели, пока никак, к сожалению.
Тиньку пришлось в другое устройство поставить и отдать, жду деталей через пару дней.


--------------------
Андрей Смирнов
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Herz
сообщение Feb 28 2006, 06:26
Сообщение #33


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата
База с эмиттером в схеме действительно не замыкается, но, в таком случае, поясните, как может открыться "правый" диод, если заряд в базе верхнего транзистора не рассосался (предположим даже, что он был насыщен), и, соответственно, потенциал базы не упал практически до потенциала эмиттера? Ведь это есть необходимое условие возникновения "сквозняка".

Простите, я не понял, что именно Вы называете необходимым условием...
И что, собственно, мешает открыться "правому" диоду в тот самый момент, когда потенциал на его катоде станет ниже потенциала анодного, т.е. с открытием нижнего транзистора?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Stanislav
сообщение Feb 28 2006, 13:04
Сообщение #34


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 363
Регистрация: 13-05-05
Из: Москва
Пользователь №: 4 987



Цитата(Herz @ Feb 28 2006, 09:26) *
Простите, я не понял, что именно Вы называете необходимым условием...
Отпирание "правого" диода. Из анализа схемы должно быть понятно, что это может произойти только если потенциал базы верхнего БТ сравняется с потенциалом его эмиттера. Что означает завершение процесса разряда диффузионной и барьерной емкостей БЭ, и, как следствие, полное прекращение тока через БТ.
Цитата(Herz @ Feb 28 2006, 09:26) *
И что, собственно, мешает открыться "правому" диоду в тот самый момент, когда потенциал на его катоде станет ниже потенциала анодного, т.е. с открытием нижнего транзистора?
См. выше.


--------------------
Самонадеянность слепа. Сомнения - спутник разума. (с)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Herz
сообщение Mar 5 2006, 06:48
Сообщение #35


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Снимаю шляпу! smile.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V  < 1 2 3
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 07:35
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01388 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016