реклама на сайте
подробности

 
 
3 страниц V  < 1 2 3  
Reply to this topicStart new topic
> IGBT ключ, странные выходы из строя
НЕХ
сообщение Mar 30 2011, 08:56
Сообщение #31


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169



бывает необходимость шунтирования накопительного конденсатора диодом во избежании резонансной перезарядки конденсатора в обратной полярности.


--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Serg SP
сообщение Mar 30 2011, 15:27
Сообщение #32


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 419
Регистрация: 29-03-10
Из: Москва, Щербинка
Пользователь №: 56 278



Цитата(НЕХ @ Mar 29 2011, 13:31) *
и драйвер, не работующий меньше 15 вольт, например, HCPL3120/


Недавно конструировал драйвер полумоста как раз на HCPL3120. Был неприятно удивлён, что попавшиеся мне экземпляры работают начиная с 12В. Вышел из положения хитро: для питания управления верхним и нижним ключом у меня стоит махонький прямоход DC/DC, я домотал ещё одну обмотку, которую застабилизировал на уровне 10В, а две обмотки для питания самих драйверов у меня имеют удвоенные по сравнению с 10 - вольтовой обмоткой количества витков. От этой 10 - вольтовой обмотки я питаю сам ШИМ - контроллер. И что же получается? При старте ШИМ - контроллер менее 7 В не работает, т.е. на драйверах минимум 14В, а при выходе на режим - 20В (отрицательное смещение 3В предусмотрел), т.е. на затворе при работе от -3В до +17В, что очень гуд. При старте от -3В до +11В, что тоже очень даже ничего.

Сообщение отредактировал Serg SP - Mar 30 2011, 15:28


--------------------
Под холодный шёпот звёзд мы сожгли диодный мост
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AlexeyW
сообщение Mar 30 2011, 19:42
Сообщение #33


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636



Цитата(НЕХ @ Mar 30 2011, 12:56) *
бывает необходимость шунтирования накопительного конденсатора диодом во избежании резонансной перезарядки конденсатора в обратной полярности.

Пока транзистор открыт, тут так и получается

Цитата(Марк_Я @ Mar 30 2011, 07:36) *
Получается резонансная частота около 700...900 Гц. Т.е. полпериода максимум 700 мкс. А импульс отпирания транзистора - 2...2,5 мс Процесс однозначно закончится, поскольку контур шунтирован. Это и видно на осциллограмме тока в катушке.

В этой схеме не может ток утихнуть за 2,5мс. Апериодический процесс будет тянуться долго, через 2мс ток будет около 10А. Другое дело, что он течет в диоде, не касаясь транзистора (я раньше ошибся).
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Марк_Я
сообщение Mar 31 2011, 05:17
Сообщение #34


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 178
Регистрация: 19-09-07
Из: М.О. г.Фрязино
Пользователь №: 30 656



Цитата(AlexeyW @ Mar 30 2011, 23:42) *
В этой схеме не может ток утихнуть за 2,5мс. Апериодический процесс будет тянуться долго, через 2мс ток будет около 10А. Другое дело, что он течет в диоде, не касаясь транзистора (я раньше ошибся).

Ток через транзистор не течет. А какой ток будет в диоде - дело десятое... На процесс выключения транзистора это не влияет.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ZVA
сообщение Mar 31 2011, 09:20
Сообщение #35


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 284
Регистрация: 10-10-05
Из: Киев
Пользователь №: 9 440



Отключение транзистора при 0 тока. Включение тоже.Скорость нарастания тока при включении (при Ваших параметрах контура) менее 1А/мкс.
Следовательно ультрафаст тут не нужен и можно ставить самый медленный лоусатурайшен, и драйвер 6 амперный тоже.... из пушки по воробьям. ИМХО. rolleyes.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Марк_Я
сообщение Apr 1 2011, 05:57
Сообщение #36


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 178
Регистрация: 19-09-07
Из: М.О. г.Фрязино
Пользователь №: 30 656



При штатном функционировании - Вы правы, все именно так. За исключением диода параллельного катушке - он переключается со скоростью изменения синусоиды в точке перехода через 0, в данном случае - 900 Гц.
Но при коммутациях питания при одновременном управлении ключом уже все не так очевидно. А устройство эксплуатируется именно с такими возможными событиями.
Драйвер на 6 ампер стоит 1 доллар. Правда он одноканальный. Но мне 2 канала не нужны, а менее мощные но двухканальные драйверы стоят приблизительно столько же.
Кроме того, схемотехника цепей питания устройства много проще и оптимальнее именно в варианте КМОП драйвера.

Сообщение отредактировал Марк_Я - Apr 1 2011, 05:59
Go to the top of the page
 
+Quote Post
NikF
сообщение Apr 18 2011, 19:59
Сообщение #37


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 24
Регистрация: 22-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 670



Был случай в практике, привезли разные драйвера фирменные, так вот с драйвером с выходным током 15А и Rg = 3.3 Ом, модуль IGBT на 400А, благополучно накрылся. Плюнули на эти фирменные драйвера и поставили связку HCPL3120+КТ817,816. Этот драйвер прекрасно работал при Rg = 1.8...6.8 Ом с модулями до 1000А. Схема включения почти такая же, одиночный импульс правда длительность от 10 до 100мкс регулируемая. Еще очень влияет паразитная индуктивность силового контура, подводящие шины планарные и т.д.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AlexeyW
сообщение Apr 19 2011, 18:15
Сообщение #38


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636



Цитата(NikF @ Apr 18 2011, 23:59) *
Еще очень влияет паразитная индуктивность силового контура, подводящие шины планарные и т.д.

Действительно очень важно. Причем, не знаю про модули - но обычные транзисторы в корпусах до ТО-247 имеют, как правило, только силовой вывод эмиттера, а у него еще внутренняя индуктивность - при быстром нарастании или спаде тока выброс на ней вполне может пробить затвор.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
NikF
сообщение Apr 20 2011, 19:04
Сообщение #39


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 24
Регистрация: 22-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 670



Ну пробить затвор это врядли, надо все-таки вольт 30, а вот подкинуть затворное напряжение вольт на 5 может, в то время когда это не нужно. Что приводит к несанкционированному включению ключа и как следствие, к тепловому пробою от сверхтока. Поэтому и закрывать IGBT рекомендуется небольшим вольт 5, минусом.

Сообщение отредактировал NikF - Apr 20 2011, 19:07
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AlexeyW
сообщение Apr 20 2011, 19:28
Сообщение #40


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636



Цитата(NikF @ Apr 20 2011, 23:04) *
Ну пробить затвор это врядли, надо все-таки вольт 30, а вот подкинуть затворное напряжение вольт на 5 может, в то время когда это не нужно. Что приводит к несанкционированному включению ключа и как следствие, к тепловому пробою от сверхтока. Поэтому и закрывать IGBT рекомендуется небольшим вольт 5, минусом.

Зависит от тока - мы с трудом и ухищрениями боролись с самозапиранием при работе на нагрузку около 0,4мкГн при напряжении 300-400В, там запросто 6-7 вольт набегало, и это не самый трудный случай. Про -5В учту, спасибо.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
НЕХ
сообщение Apr 21 2011, 06:33
Сообщение #41


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169



познавательный труд нашёл... про ключи и не только.


--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AlexeyW
сообщение Apr 21 2011, 18:10
Сообщение #42


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 988
Регистрация: 3-11-10
Пользователь №: 60 636



Цитата(НЕХ @ Apr 21 2011, 10:33) *
познавательный труд нашёл... про ключи и не только.

Спасибо! Какая знакомая классика жанра sm.gif) Я для таких ускоряющих линий даже свое моделирование писал когда-то sm.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Drewa
сообщение May 9 2011, 22:54
Сообщение #43


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 20
Регистрация: 1-10-10
Пользователь №: 59 859



Цитата(Марк_Я @ Mar 28 2011, 15:23) *
Цел диодик. Только что прозвонил.


Вы попробуйте посмотреть внимательно на геометрию эмиттерной цепи. Если Вы выключаете транзистор при ненулевом токе, на индуктивности эмиттерной цепи вполне можно при хорошем раскладе получить иголку более 20В, и дёшево выбить IGBT по затвору. Проверьте, что у проводника земли управления, которая идёт к драйверу, и у земли силовой, которая идёт к "минус 300В", нет общих участков. Длительность этой иголки примерно равна длительности спада для данного транзистора, а амплитуда - обратно пропорциональна ей.

Цитата(NikF @ Apr 20 2011, 23:04) *
Ну пробить затвор это врядли, надо все-таки вольт 30


Да с лёгкостью необычайной! Для более быстрых транзисторов IRGP50B60PD1, ну и чуть более серьёзных отключаемых токов, скажем, около ста с небольшим ампер, для этого вполне может хватить длины эмиттерного вывода. Но я с Вами совершенно согласен, что получить повторное отпирание транзистора гораздо проще.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
vao
сообщение May 15 2011, 17:06
Сообщение #44


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 144
Регистрация: 12-05-09
Из: Воронеж
Пользователь №: 48 973



Цитата(Марк_Я @ Mar 28 2011, 18:01) *
Я не очень часто использую IGBT, поэтому был весьма удивлен, когда в типовой схеме включения происходит пробой транзистора (все электроды стянуты в точку).
Намагничивающее устройство. Импульсы разовые (не чаще 1...2 секунд период). Конденсатор разряжается в катушку. Ток около 90 ампер в пиковом значении. Время процесса около 750 мкс (импульс запуска длиннее).
Драйвер 6 амперный. Блокировки по питанию не показаны, но имеются.
Транзистор имеет импульсный допустимый ток 220 ампер. Напряжение коллектора 600 вольт (у меня всего 300...320).
Вроде все ОК...
Схема:
[attachment=54846:react.jpg]

Я в некотором недоумении.
Спасибо.


Я бы посоветовал вам заменить дид на ультабыстрый, так как у вас обычный диод - это не правильно. И переделать затворную цепь транзистора - поставить супрессор. Но основная причина (на мой взгляд) - это диод.
У меня с подобными схемами проблем небыло.
И еще. как сгорает транзистор? через какоето время - не проходит по току.
Внезапно - пробой по напряжению.

У вас ключ без обратного диода, время во велюченом состоянии больше полупериуда коллебательного прцесса "Время процесса около 750 мкс (импульс запуска длиннее)." (хотя судя по номиналам схемы это бред). В этом случае IGBT точно сгорит.
В общем у вас есть нестыковки.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V  < 1 2 3
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 18th July 2025 - 08:24
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01471 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016