добрый день.
подскажите, пожалуйста:
планируется использовать полевой ключевой транзистор mosfet (макс. мощность напр. 100ватт) в усилителе аналоговых сигналов частота от десятков кГц до сотен кГц, в полумостовой схеме вых. каскад, рассеиваемая мощность при этом например 70вт на транзистор.
какие при этом будут ограничения на использование его в таком режиме, вроде необходимо снизить мощность, следует ли опасаться шнурования токов и разрушения канала (или это явление возникает на более низких частотах), насколько вообще такой вых. каскад будет "управляем", помню некоторые пр-ли прямо советовали не использовать их ключевые тр-ры в лин. режиме.

Это какие?

без резистора в затворе очень вероятно возбуждение со всеми вытекающими. у меня обычный линейный усилитель на таких транзисторах есть. отменно работает

точно не припомню, St или IR, постараюсь найти доку.

на вскидку гугл выдал http://powerelectronics.com/power_semicond...ithstand_stress

http://www.irf.com/7BBFCFD6-3EA4-466D-A0AF...tes/an-1155.pdf

IXYS похоже из пальца "изобретение" высосал.

ИМХО, не превышайте то, что транзюк может рассеять и все ок будет.


404

странно, тоже не могу открыть, выложу когда на работу приду.

Ну а своими словами? Почему транзюк который держит импульсную мощность в десятки киловатт, не тянет долговременную в сотни?

Импульсная мощность ведь зависит от длительности импульса, в пределе энергия импульса должна давать нагрев рабочей зоны канала не более конкретной температуры - в даташитах соответствующие кривые часто приводятся. ТО-247 вроде обычно держат две-три сотни ватт непрерывно при идеальном охлаждении, меньшие корпуса - десятки ватт. Но только все эти цифры для идеального охлаждения.

А шнурования тока быть не должно, поскольку сопротивление канала растет с температурой.

Мужики, может я чего не понимаю, но ключевые MOSFETы совсем не рассчитаны на линейный режим:
Начнём с того, что у ключевых MOSFETов в обратке канала диод Шоттки стоит, который усугубляет нелинейность..
Далее, переходная характеристика так сжата, что надо очень хорошо постараться для введения MOSFET-ключа в нужный линейный (малосигнальный) режим. Да и корпус ключевых MOSFETов не рассчитан на отвод огромной постоянной мощности...

да я со всем этим согласен, и усилок делать не мне, вот мой коллега "сделал и доволен", а у меня масса сомнений относительно будущего данного изделия.
на вышеописанные доводы он отмахивается- ерунда все это- "будет и мощность и линейность", однако первый экземпляр быстро сгорел, правда под воздействием внешней помехи (типа наносек. импульса).



шнурование происходит в "паразитном биполярном транзисторе", здесь в кратце описано http://www.kit-e.ru/articles/powerel/2006_10_96.php

вот пдфка от IR

Пишут что "все плохо". Спасибо. Не знал.

да, не утешительно, вот я и спрашиваю, кто в практике встречался, может есть "более подходящие" полевики или все не так плохо.

пс- "такие же по характеристикам" но линейные стоят в разы и десятки раз дороже вот в чем дело

Может IGBT попробовать? А просо биполярные поставить?

ЗЫ: не встречался с такой проблемой. И первый раз услышал. Думаю что аудио усилки еще делают, и там проблема должна была вылезти в полный рост.

про игбт надо подумать, есть ли подходящие.
основная задумка автора- дешевизна и простота построения усилка на mosfet, низкое вых. сопротивление полевика и др. плюсы, сейчас усил. на биполярных, вот хочется на полевых построить, усил питается от 220В постоянки, биполярники такие подобрать трудно.
а УМЗЧ наверно используют обычные полевики или ШИМ усилители на ключах .

У IXYS есть "линейные" силовые MOSFET с пониженной крутизной и рейтингом для линейного режима. Суффикс "L" и "L2".
УМЗЧ обычно делают на каких-то японских(которые к тому же плоские, а не вертикальные), забыл, как называются, но они 220 вольт вроде не держат и достаточно дорогие. Зато крутизна реально низкая, особенно на малых токах, так что рабочая точка для полумоста устанавливается без проблем.