Тут вот мне присоветовали утилиту для расчёта импульсных преобразователей на LM2675, но она как я понимаю годится для многих случаев.

Для преобразователя 27В -> 5 / 250мА утилита предлагает дроссель 150 мкГн. У LM2675 частота фиксированная и равна 260 кГц, т.е. на 100 кГц это уже 390 мкГн. Это для положительного понижающего преобразователя. А если теперь говорить о преобразователе полярности то поскольку выходной ток в 5 раз ниже то грубо можно оценить величину индуктивности дросселя в 2 мГн, а если сравнить формулы по которым рассчитываются понижающий преобразователь и преобразователь полярности, то там для моего случая ещё набегает коэффициент 1.5 и получается 3 мГн...

Сообщение отредактировал Konrad - May 11 2011, 10:55

Возникли сомнения в правильности формулы расчёта дросселя...



Скажите пожалуйста: верна ли формула для расчёта L?



Да тут уже вроде это обсуждали и пришли к выводу что получится)

Не получится 200-300мА на этой микросхеме сделать. Смотрите не только допустимое напряжение, но и ТОК ключей. И в ключевой режим их загнать проблематично, ПУШКАРЕВ тоже предупреждает.
МС 34063 - не "шило на мыло". Это как раз для требуемого случая. Дроссель с 0.125 ватта резистор все равно не получится, нужно ставить то, что нужно.
Нет 5 или 9 приемки? Сочувствую. Ну тогда кенотроны 5Ц4С и трансформатор ТН61 ОС. Сам когда-то от этой проблемы страдал, но господа майоры должны понимать, что из дерьма конфетки не делают.

А откуда эта картинка, не подскажете? Заранее признателен.

Подозреваю, из "Микросхемы для импульсных источников питания и их применение" Додека 1997

Итак:
ток ключей - 200мА на каждый ключ, а там их два в параллель...
Напряжение насыщения в режиме эммитерного повторителя макс. 2.5В... Мощность рассеивания 0.125вт... Всё это довольно подробно обсуждалось на первой странице...



2001, и кстати в ней полно ошибок

Сообщение отредактировал Konrad - May 11 2011, 13:00

Можно и на операционниках и компараторах необходимую функциональность собрать. Наверное в ограничительном перечне они присутствуют в большем ассортименте.
Когда-то таким образом 27В--5В-5А делали.
Кстати, автору темы наверное придется побороться и с отрицательными температурами, когда упадут коэффициенты усиления транзисторов и замерзнут конденсаторы.

Правильно возникли. Посмотрите лучше здесь.

Этот источник действительно проще на россыпи построить.
Что-то вроде КТ816, КТ315, П13 еще в ограничительном перечне есть? Четыре транзистора и - вперед.

За большим количеством сообщений уже потерялось, что это за проект: учебный или практический. Если последнее - не полетит никогда.

Проект практический... считаете я не прав? Очень возможно... но к чему безаппеляционные заявления? Форум то технический...

Не обижайтесь, но по Вашим вопросам и утверждениям чувствуется, что Вы в самом начале пути по освоению импульсных преобразователей. Вместо того, чтобы разобрать по косточкам формулу для индуктивности дросселя из букваря по схемотехнике источников питания, а может и вывести ее самому, спрашиваете, какой софт ее рассчитает. С таким багажом сдать изделие ПЗ? Хотя, может нынче и можно.

Так потому и не советуют Вам делать так. Потому что технический и потому, что это практическая разработка, а не для кружка по макраме. Вас предостерегают от явной ошибки люди, которые через нее уже прошли.

Разумеется никто не обязан думать над решением моих технических задач... но если у кого-то возникнет желание помочь советом и объяснить ошибки если я их допустил то я буду только рад... но ради бога, не нужно словословий. Давайте по существу.

Вы пишите и МикроВатт с Вами соглашается:


Я ответил, что в доке на TL494 сказано, что каждый транзистор даёт до 200мА... их там два, т.е. их нагрузочной способности вполне хватит для ИП на 300мА... и ещё сказано, что в режиме эмиттерного повторителя падение на ключе 2.5В макс.
Вопрос: где тут намёк на то, что транзисторы не будут насыщаться? Может быть я невнимательно читаю даташит... Тогда, чтобы положить конец прениям у меня к Вам огромная просьба: ткните меня носом в строчку которая явно подтверждает Ваши слова...

И поверьте, я не считаю себя самым умным... Просто Ваше утверждение мне показалось не обоснованным...

Составной транзистор в насыщении - это 1-1,5 В, а не 2,5 В. Если не гнаться за КПД, а в конкретном случае он будет весьма и весьма невелик, можно попробовать. Только если потребуется защита от перегрузок и КЗ, встроенными в микросхему средствами уже не обойтись. Поищите цикл статей Александра Гончарова в журнале "Электронные компоненты" на тему различных топологий импульсных преобразователей.