Какие реальные масштабы напряжений?

На ключи подаю 50В. На осцилографе щуп с делителем, 1 клетка = 10В (ось Y), 500нс (Ось X)

..Нет картинок выключения верхнего ключа и включения нижнего.
Они же и по диагонали работают: левый верхний включается и правый нижний включается..
Я ничего не путаю? А где у нас включение нижнего, нет его.. как и выключения верхнего.

..Чем вызваны неодинаковые сопротивления затворные, 20 и 50 Ом?
..Можно во всех 4-х ключах разные поставить, а смысл..
Вот этого я не понимаю..

..Ну и ток, ток бы поглядеть..

То есть, Вы коммутируете 50 В за время порядка 50 нс (плохо видно, желательно длительность развертки уменьшить). Итого dU/dt = 1 В/нс.Для IRFP460 dU/dt нормируется 3.5 В/нс. Дадите выше 175 (плюс-минус некоторый лапоть) - получите гранату. Итог - внимательней за скоростями следить нужно.

Принцип работы такой: включатся оба нижних ключа, потом один нижний закрывается и открывается верхний , потом верхний закрывается и открывается опять тот же нижний, затем в другом плече нижний закрывается и открывается верхний и т.д., таким образом обмотка трансформатора никогда не находится "в воздухе". Т.е. нижний тарнзистор открывается и закрывается в промежутках между импульсами, а напряжение на обмотку подаёт верхний транзистора. Момент включения нижнего на осцилограме 2, 4, 6. Там видно что воммент пока подаётся напряжение на обмотку в затворе нижнего 0, затем когда напряжение с обмотки синимается (верхний транзистор закрывается) появляется напряжение в затворе нижнего. Там если внимательно посмотреть на осцилограммы 2,4,6 видно что напряжение в затвор нижнего транзистора подаётся драйвером в момент когда врехний тарнзистор ещё открыт (спад синего импульса и фронт жёлтого), вот этот момент меня и беспокоит.
У меня всего 2 канала на осцилографе, я не могу снять одновременро осцилограммы во всех 4 затворах. Но на тех диаграммах что есть все моменты есть и отркрытие/закрытие нижнего (осцилограммы 2,4,6) и иоткрытие/закрытие верхнего (осцилограммы 1,3,5,7).

Изначально сопротивления были одинаковые по 20 Ом, потом Вы порекомендовали сделать открытие как можно медленнее, а закрытие быстрее, поэтому и поставил в нижний 50 Ом, там время открытие можыть быть достаточно большим, т.к. нижний транзистор открывается когда на обмотке трансформатора нет напряжения и крутизна форонта не имеет значения, даже лучше если он будет медленнее открываться. А вот верхний должен открываться быстро, т.к. он коммутирует напряжение на обмотку (к момнту окрытия верхнего нижний в диагнонали уже открыт), поэтоум нужно сдлать время работы транзистора в активном режиме как можно меньше, иначе транзистор будет сильно греться.



Ну да где-то так, может даже меньше чем 50нс, чуть позже сниму чтоб получше видно было.

Смотрю datasheet на IRFP460LC там вроде Peak Diode Recovery dv/dt = 3.5нс, как этот параметр влияет на ограничение скорости включения транзистора? Turn-On Delay Time = 18нс, Rise Time = 77 нс, Turn-Off Delay Time = 40нс, Fall Time = 43нс.

- все эти таймы - понятия несколько абстрактные, вроде габаритной мощности трансформатора - они описывают динамику ключа при жестко заданных параметрах затвора и стока-истока. А если затворный резистор поменять - как эти времена изменятся? А вот ежели dU/dt превысить (кстати, описывается в Absolute Maximum Ratings без всяких доп. параметров, хотя это несколько неправильно) - получите либо мгновенный взрыв (если сильно превысить dU/dt), либо точечные перегревы кристалла и тот же взрыв, но чуть позднее (если хороший теплоотвод и предел dU/dt где-то возле максимального порога ).

..Ну, если посмотреть мой первый пост, я ни на чем не настаивал, а только, на всякий случай, посоветовал обратить внимание на следующий момент. Может быть, не очень внятно изложил.
А дело вот в чем.

..Пусть есть два ключа, верхний и нижний, коммутирующие индуктивную нагрузку.
Сначала, открыт верхний ключ, и ток в индуктивности течет сверху вниз, увеличиваясь.
Теперь, выключаем верхний ключ и включаем нижний. Даже если бы мы его не включали, цепь замкнулась бы через «боди-диод» нижнего ключа. Но, мы включили этот нижний ключ.

..Ток в индуктивности по-прежнему течет в том же направлении, но, теперь уменьшается, по пиле.
Внимание! Если мы сейчас (пока ток еще не упал до нуля) выключим нижний ключ, ток потечет через «боди-диод», как тек бы и без всякого открытого нижнего ключа.
..Если включить верхний ключ, на катоде «боди-диода» возникнет плюс питания, он должен выключиться, по идее. А фиг там. Какое-то время, которое нормируется и т. д., «боди-диод» будет пропускать ток, несмотря на то, что должен закрыться.

..Вот это и будет «сквозняк». Бороться с ним можно уменьшением скорости открывания верхнего ключа.
Вот этот нюанс я и имел в виду. Такая штука есть, конкретно, в D-усилителях.
Пригодится ли это наблюдение вам, в вашей схеме, я пока не знаю, и не настаиваю.

..А то вы пишете так, что, вот, мол, посоветовал какую-то фигню..
..Я хотел обратить ваше внимание на то, что, при коммутации индуктивной нагрузки, могут быть такие ситуации, когда ключ, формально, закрыт, судя по его затворной осциллограмме, но, его «боди диод», несмотря на приложенное обратное напряжение, какое-то время еще открыт.

..Чтобы «просечь» такие ситуации, надо смотреть совмещенные осциллограммы затворов и выходов моста, ну и ток, конечно.
Вот, собственно, моя основная мысль. Может быть, она здесь неуместна, тогда умолкаю..

В дополнение
Следует заметит заметить что индуктивная нагрузка намагничивается (накапливает энергию) все время открытых по диагонали транзисторов dI=(1/L)Udt
если открыть оба нижних ключа то напряжение на катушке будет близко к нулю а время размагничивания очень велико. причем энергия намагничивания будет рассасываться в основном на ключах и активном сопротивлении катушки.
при размагничивании через «боди-диоды» к катушке приложено напряжение питания и время размагничивания не превышает время намагничивания. кроме того основная энергия уходит в источник питания.
Так что выбранный алгоритм работы мне кажется крайне неудачным.

Мне кажется, не совсем логичное объяснение. Чем "размагничивание" через боди-диоды быстрее размагничивания через замкнутые ключи? Напряжение, близкое к нулю - это тоже напряжение, как и напряжение источника питания. Здесь важнее ток. При "размагничивании" через боди-диоды ток будет течь и возвращать энергию в источник только до того момента, пока эдс индуктивной нагрузки выше напряжения питания.
В случае закорачивания же нагрузки ключами, ток в образовавшемся контуре примет колебательный характер и рассеивание энергии действительно может занять больше времени.
По-хорошему, надо следить за возвратным током и переключаться, когда он близок к нулю.

Э.д.с. индуктивности есть dI/dt она есть пока есть ток. Посчитайте постоянную времени спадания тока при наличии втречного э.д.с. и убедитесь что она обратнопропорциональна величине э.д.с.
При низком сопротивлении цепи размагничивания постоянная времени вообще стремится к беконечности.

У автора - нечто вроде Phase-Shift PWM, но с циркуляцией только в нижнем контуре. Поэтому и греются нижние ключи. Сделайте нормальный режим управления, повалите скорости - и будет Вам счастье (и, может даже, приличный КПД). А катушке все равно нужно куда-то размагничиваться - через Body Diodes в источник, в резонансный контур или на омическое сопротивление чего-то там. Как по мне, получить ZVS - лучше и правильней, чем греть диоды и емкость входного фильтра и бороться с иглами жесткой коммутации.

Уважаемый Wise ни в коем случае не хотел Вас обидеть, а уж тем более на утверждаю что вы советуете "какую-то фигню", наоборот спасибо большое за советы, Вы первый предложили (не имеет значения для каких целей) обратить внимание на скорости открытия и закрытия транзисторов и попробовать поменять их. Я хотел сказать, что 50 Ом и 20 Ом разные – это результат эксперимента со скоростями транзисторов ничего более, если бы считал Ваш совет ерундой не стал бы вообще менять эти резисторы и ставить диоды. Integrator1983 тоже считает, что проблема в скоростях открытия, так что вполне вероятно что Вы были правы в том что надо уменьшить скорость открытия транзистора (независимо от причин). Ответственность за принятия того или иного решения несу только я и никто более. Буду признателен за любой совет, даже если он напрямую не указывает на причину проблем, то вполне может натолкнуть на какую-нибудь интересную мысль.

Как обещал выкладываю осцилограммы фронтов закрытия и открытия. Фронт порядка 30нс. Сегодня подберу резисторы чтобы фронт был порядка 100нс. Только мне всё равно не понятно что за Peak Diode Recovery dv/dt, я думал что это максимальная скорость воссатновления диода, по крайней мере если дословно пероводить...

Почитайте тему http://electronix.ru/forum/index.php?showt...EA%E0%E7+MOSFET

Там в конце есть несколько ссылок на правильные и полезные статьи.

To PAN_Spirit. Как успехи в построении? Результат есть? Или забросил?