Квазиунофантазия от TI.
биполярные транзисторы необходимы специальные - у которых усиление по току не падает катастрофически при токе более ампера.
Например, FMMTL618, BISS от NXP.

Сообщение отредактировал НЕХ - May 31 2011, 10:45

Имеет право на жизнь, всё зависит от тех частей, которые остались за рамкой и слева наверняка не TL494
Именно по причине высокого B на больших токах, я очень часто иcпользую 2N2222 (КТ3117), соединяя их параллельно по несколько штук, при необходимости, а в smd варианте даже без выравнивания.

за рамкой - UCC25600

И, главное, нет VD41 - VD44.

Да, слева действительно не ТЛка, а вполне современный проверенный драйвер. MIC4422 называется и безболезненно раскачивает нужные 15нан мосфетов, вся проблема в том что драйверов всего два, поскольку планировалось использовать полумост. Но мощности не хватило и пришлось вернуться к мосту. Первая мысль пришла нагрузить транс и раскидать его на 4 плеча моста, видимо мысль ошибочная. Думаю будет проще, а главное надёжней добавить ещё два MIC4422 и сделать 4 источника питания. Самый короткий путь всё же прямой. Постоянно пытаюсь от трансов отказаться, и постоянно они меня преследуют, вот опять лукавый попутал. В очередной 101 раз прийдётся плату переделывать.

нет предела совершенству...
может транзисторы поставить с малым зарядом затвора - NEXFET, например ?

в Вашей схеме можно применить N-канальный полевик для разрядки затвора. Но зарядный ток ограничит качество намотки трансформатора.

Сообщение отредактировал НЕХ - May 31 2011, 14:42

Так делать нельзя. У вас схема работать не будет. Нужно делать мостовой инвертор (как у TI http://focus.ti.com/lit/ug/sluu421a/sluu421a.pdf).Не стоит пользоваться журналами РАДИО за 19... год. В полне отлаженые решения. Если поставить драйвера по мощнее, то хоть мкФ-ы накачивайте.

Ссылка почему-то не работает. Проверьте, пожалуйста.

Если у автора темы низковольтные ключи и "моторное" их применение...
Для уменьшения издержек при закрывании внутренних диодов полевиков на мой взгляд следует избегать отрицательных напряжений на затворах ключей и применять logic level trench mosfet - при закрытом канале ключа транзистор ведёт себя как TMBS diode.
этому поможет и небольшое положительное напряжение на затворе (порядка 1 вольта) - падение напряжения на закрытом ключе при протекании тока из истока на стоке не превысит порогового для открывания паразитного внутреннего медленного диода.
для эконом варианта драйверов можно попробовать 74АС123, 74АС244, 74АС11244 ,74АС16244.

Не дошло. К каким издержкам при закрывании внутренних диодов приводит отрицательное напряжение на затворе? Ничего не слышал об этом.
Как и о начальном смещение затвора. Не могли бы подробнее, что имеется в виду?

Что при малом положительном на затворе 1В параллельно медленному паразитному диоду образуется ещё внутренний быстрый TMBS диод???

да - можете проверить сами

Где почитать можно? Или это ноу-хау?

Мне кажется что в небольшом постоянном смещении есть какой то смысл. Открывание проискодит быстрее на этот уровень, главное не переборьщить, дабы случайно не приоткрыть его.

эффект обнаружил в прошлом году, об этом сразу сообщил сообществу...
http://electronix.ru/forum/index.php?showt...45&start=45

подайте на затвор напряжение меньше порогового на 30-вольтовый полевик с логическим порогом и определите на каком токе напряжение исток-сток превысит 0,5 Вольта. (на истоке - плюс, на стоке - минус)
обычно это ток в несколько Ампер.

Сообщение отредактировал НЕХ - Jun 1 2011, 18:42