Здравствуйте.

Подскажите как определить максимально допустимую мощность входного сигнала (56 МГц) для приведенной ниже схемы.

Заранее благодарю за ответы.

Сообщение отредактировал Aleksandr_KPI - Jun 3 2011, 13:09

Напряжения питания и нагрузку укажите

Смотря по какому критерию. По выходу из строя эмиттерно-базового перехода - не более 20 мВт где-то т.е. 13дБм, по 1 децибелльной компрессии - наверное где-то минус 15 дБм, по интермодуляции третьего порядка - еще меньше. Но кто ставит 25 Гиговый транзистор в усилитель 56МГц - микроскопом гвозди.

...а может он у него дешевле чем, например BFS17A.

VCC - 5V
Нагрузка 50 Ом.




Плата спроектована не мной, замерял мощность от генератора сигнала, который подключался к плате, там намерял 29 мВ, принял как максимальное, проверять когда згорит что-то не стал.
Минус 15 дБм это где то 30 мкВ?

Ой. Вы, надеюсь, не РТФ заканчивали. 29мВ, я так полагаю, все-таки напряжение в миллиВольтах, а не мощность в миллиВаттах, (29Е-3)^2/50=16.8Е-6Вт
10*log(16.8E-6)+30 (+30 - переведем дБВт в дБм - дециБелл к миллиВатту) = минус 17.7 дБм - т.е. Ваш предшественник тоже прикинул точку насыщения каскада по входу и чуть понизил сигнал. Минус 15дБм это где-то 40 миллиВольт. Чем плох 25ГГц транзистор? Он может загудеть на каком-нибудь ГигаГерце, а Вы этого даже не заметите. При этом может повыситься шум и наблюдаться резкие скачки усиления при разных нагрузках и при касании руками к плате. По выходу на 50 Ом нагрузки у Вас должно быть что-то типа 1 Вольта?

Сообщение отредактировал ledum - Jun 8 2011, 15:48

Если бы учился таких вопросов бы не задавал. Прошу прощения, в посте выше у меня опечатка, намерял я ваттметром мощность 29 мВт (миливат). Требуется при описании работы устройства в которое входит данный усилительный каскад, указать допуски по мощности для входной частоты 56 МГц в милливаттах. Я правильно понимаю. Минус 15 ДБм это 40 милиВольт или 32 милливатта?

Многовато. У этого транзистора даже формально 1.5В б-э пробивное. Если пересчитать в действующее, а потом в мощность при 50 Ом, получится 20 мВт = 13дБм. Обычно в схемах с такими транзисторами стараются ограничить 10мВт. Дальше, опять формально, без привязки к схеме, однодецибелльная компрессия ЕМНИП 18дБм по выходу - больше где-то 19дБм значит при даташитовских режимах получить невозможно. Усиление на этих частотах у транзистора порядка 30-33дБ. Значит до ограничения надо подавать не более 18-(30...33)=минус 12... минус 15 дБм - дальше начинается ограничение, гармоники и прочие неприятности. Конечно, по-хорошему это надо было бы промоделировать (усиление с Вашими резисторами в базе и эмиттере и конденсаторами в 1000пик, а также блокировочном 0.22мкФ - великоват, быстрей всего уже за собственным резонансом) меньше 30дБ, но Юрий Потапов сегодня нам объяснил, что мы не имеем права пользоваться AWR MWO - нет лицензии.

32, точнее 31.6 микроВатта

Спасибо за пояснения, кажется разобрался. Странно то, что ведь работает и то что на выходе после усилитель синусоида получается по амплитуде порядка 8 вольт и с небольшими отрицательными значениями, чего я так понимаю быть не должно.

Конечно не должно. Если 8Вольт амплитуды на 50 Омах (надеюсь, нет), то это 0.64 Вт выходной мощности при 13дБ усиления - почти 20дБ ограничения. Пусть КПД 5033% (исправил 9.06.11) - 1.3Вт рассеиваемой у 0.45Вт по даташиту транзистора (он должен быть градусов 200 на кристалле). Если учесть 5В питания и 68Ом коллекторный резистор, то у Вас вообще вечный двигатель. Если же только на Вашем многокилоОмном делителе, точнее 750 Ом - то Вы просто доказываете, что Инфинеоны хороший запас дают транзисторам по работе на фиговый КСВ при коэффициенте усиления 1.7дБ по мощности на 56МГц у 25 Гигового транзистора. При этом работает до первого чиха.

Сообщение отредактировал ledum - Jun 10 2011, 06:21