Добрый день, есть ли в обычных толстых(>=0.25um) техпроцессах операции, требующие отсутствия кислорода в воздухе (не считая само собой операций в плазменной камере)?
Ведь кислород воздуха моментально окисляет и кремний (на пару нм), и алюминий, да и вообще многие металлы.

Или на это забивают, и работают не обращая внимания на эту оксидную пленку?

Опять же, gate oxide может быть тоньше 3nm для низких напряжений питания, и тут уж точно так просто не отделаться...
И наконец, окисляет ли кремний водяные пары при комнатной температуре?

Ночью нужно спать.

Так почти все операции в вакууме делаются, там нет кислорода, либо в инертной среде, т.е. азотом вытесняют воздух.

Ну не знаю, экскурсии котории я видел по местным заводам - все операции похоже на воздухе.
Не видел даже, чтобы было где нанести фоторезист без доступа воздуха.
Я что-то упустил?

Фоторезист в вакууме не нанесёшь, т.к., думаю, он испарится быстро. Но ионное легирование - в вакууме, диффузия в инертной среде (правда есть с окислением поверхности при разгонке примеси, чтобы не испарялась с поверхности, если не ошибаюсь), жидкое травление в обычных, а вот плазмохимия тоже в разреженной среде делается, и напыление металла тоже в вакууме... что-там ещё осталось?

Я и говорю про интертную среду. Если пластины таскать через воздух между операциями - на них же будет слой окисла каждый раз нарастатать...
И эти 2-3нм оксида - уже должны влиять на многое...

Поэтому перед каждой крупной операцией (Легирования, разгонки) делают еще с десяток мелких, в том числе каждый раз травление диэлектрических слоев, так называемое освежение пластины.

Попробуйте почитать про SMIF-контейнеры и кластеры в микроэлектронных технологиях.