Отстали вы от жизни.
Уже давно и успешно применяется обратная связь в драйверах по напряжению на ключе для ограничения выбросов при закрывании.

 PEE_2009_12_Advanced_Active_Clamping.pdf ( 492.59 килобайт ) Кол-во скачиваний: 201

 pelincec2005.pdf ( 355.85 килобайт ) Кол-во скачиваний: 461

Это дело известно со времен первого электронного коммутатора от зажигания автомобиля.
Оно применимо лишь для низких частот и для низких напряжений.
С которыми я, увы, дела не имею.
При высоких частотах коммутации суммарные динамические потери на ключевом элементе будут очень большими.
Посему ставят специальные R-L-D-C цепи, называемые снабберами.
Они и принимают на себя удары стихии в виде нескомпенсированных индуктивно емкостных выбросов.

А вот в такой схеме чем лучше всего гасить выбросы, величина импульса тока до 4 ка.

Да, частоты низкие, килогерц до десяти, в зависимости от задачи, а насчет низких напряжений вы порогячились: сила от двенадцатого класса и выше - типичные задачи силовой электроники.
Рекурперационные снабберы городить сильно сложно, а диссипирующие не просто и дорого (заказные планарные резисторы, куча механики...)
Гораздо проще взять прибор с запасом и ограничить dI/dt.

У ТС кстати, единичные импульсы. Сеять тепло в правильных приборах - то что доктор прописал.

А откуда 4 кА, если 10/4m = 2 kA ?
У вас L/R = 0.25 mS. Оптимистичная оценка для минимальной длительности импульса тока 1 mS.
И с максимальной длиной импульса у вас фиаско какое то... Емкости накопителя категорически недостаточно.
Я бы вместе с каждым из ключей поставил бы диод в питание на соответствующий импульсный ток.
Шустрые сильноточные драйвера городить нет никакого смысла. У вас постоянная времени 250 микросекунд!
За несколько микросекунд откроете ключи и хорошо.
Выключайте также неспешно, и не придется бодаться с индуктивностью монтажа.

Максимальное рабочее напряжение на конденсаторе 25 вольт, отсюда и ток, который я указал, просто оно регулируется от 3 до 25 вольт.
В макете использую 12 штук IRFB3006 и драйвер IXDD414, пока получить время выхода импульса на рабочий ток быстрее чем за 200 микросекунд не удается, да и не сильно надо , а вот сделать плавный спад тока очень желательно, но может возникнуть ситуация, когда транзистор еще открыт, а цепь разорвалась из за искрения, как тогда защитить транзисторы?

Microsemi точно есть в Дижики. Ixys в РФ вроде бы доступен, надо смотреть дилеров и звонить/писать им.

Попробуйте применить тиристор (таблетку) на килоамперный диапазон, сие получше будет, нежели изощрения с защитой и т. д.

С баяном это не прокатит.
Слишком по-разному элементарные транзисторы будут реагировать на этот хак.

За 200 долларов там и тут будет 250, итого не меньше 1000 баксов только за силовые транзисторы. Я взял сегодня за 2500 руб. 24 штуки IRFS3006-7PPbF, этого должно хватить на токи до 4ка.
Согласен, возни больше и требования жесткие, но разница в цене больше чем в 10 раз того стоит.
К тому же ремонтопригодность модуля нулевая, а транзистор заменил и все.




К сожалению нельзя, используется два импульса , один за другим, с разрывом токовой цепи.

В баяне просто так транзистор не заменишь.
В модуле все работы по подбору кристаллов и их одинаковой разварке выполнены за Вас.
Так же выполнены работы по выравниванию температуры на элементарных кристаллах за счет корпуса.
Проведена отбраковка всех модулей, не отвечающих требованиям, во всем температурном диапазоне.
Поэтому они и стоят намного дороже.
Нам удалось реально подружить только 4 IGBT в параллель в максимуме.
На это ушло значительное время, пока отрабатывался конструктив этого дела и стендовое оборудование.

Можно сделать оценки.

Берем 24 ключа IRFS3006-7PPbF.
Делаем фронты напряжения и тока по 1 микросекунде.
Импульсная мощность (4000/24)*25/2 = 2.1 кВт
Для двух микросекунд и одиночного импульса имеем динамическое тепловое сопротивление около 2.5е-3 градус на Ватт.
Получаем dT всего 5.3 градуса за переключение.
Даже если будет перекос в динамике на порядок - не смертельно.
Потери проводимости дают dT порядка 12 градусов за 10 mS.

Можно завалить фронты еще сильнее.

У меня никак не получается одна микросекунда, 200 получается, вот график нарастания тока в импульсе длительностью 1 миллисекунда, и это при токе всего 1200 ампер. График снят с шунта, включенного вместо нагрузки.

Несколько накопителей с ключами на общую нагрузку.

1) Александр, демпферную цепь нужно поставить на каждый транзистор, а затем соединять ключи параллельно.
2) Не жалейте транзисторов в драйверах затворов, хоть на каждый транзистор поставьте свой повторитель, чтобы обеспечить необходимые скоростные параметры переключения.
3) Важно в каждом ключике обеспечить минимальную индуктивность в демпферной цепи, причем транзисторы должны иметь запасы по напряжению. Это все считается.
4) Если транзистор открыт, то искрение ему не страшно. Искрить будеть место разрыва.

Если прекращать ток в 100 А за 100 нс на индуктивности в 10 нГн, то перенапряжение будет 10 В. 10 нГн вы уже будете иметь только на выводах транзистора, даже без учета трасс. Транзисторы на 50 В в Вашей ситуации это минимум.

Параллелить MOSFET попроще, у них сопротивление канала растет с температурой, в отличие от IGBT. Только надо иметь в виду, что разброс по току все равно будет и нужно иметь запас.