Всем привет!

Разрабатываю СВЧ генератор на ЖИГ резонаторе. В качестве теории использую книги RF and Microwave Transistor Oscillator Design Андрея Гребенникова и THE DESIGN OF MODERN MICROWAVE OSCILLATORS FOR WIRELESS APPLICATIONS Ульриха Роде. Моделирование начал в ADS2009. Нашел там примеры по разработке YIG генераторов, все ясно. Но когда применил в схеме транзистор bfp620, bfp740 и подобные СВЧ с хорошими параметрами. Получил квазипериодические, хаотические и какие угодно другие колебания вместо того что нужно. А нужен генератор на 6GHz с приличным SNR и низкими нелинейными искажениями.

Схема генератора представляет собой емкостную трехточку, куда уж проще.



Результаты моделирования


Вместо 6GHz паразитная генерация на ~300МHz.

Посоветуйте что делать и как быть =) Всю дополнительную информацию, ВАХ транзисторов, потенциалы на базе и др. могу предоставить, если это нужно.

А это что с периодом 0,35 нс? http://electronix.ru/forum/uploads/monthly...97072_thumb.png

А это только на одной частоте возможно или в диапазоне? Может, пока с одним резонатором поэкспериментировать до достижения добротности, а потом генератор делать?

Это возможно в диапазоне частот, причем перестройка генератора будет дискретной... согласно резонансам в подложке. Экспериментов в с такими типами ЖИГ пленок уже проводились лет 20. Задача стоит в том, чтобы превратить теорию и эксперимент в реально существующий рабочий прибор.

Извиняюсь. Да на этом графике действительно генерация на 3ГГц. Откуда я там взял 300МГц, сам не понимаю. Там была 20ГГц составляющая, за счет которой фазовый портрет приобретает такой вид.

Проблема сейчас только в этой составляющей, и в том, чтобы подключить файл S-параметров пленки.

Спасибо всем за помощь, информации к размышлению и обучению у меня достаточно.

Меню "Data Items". Там кнопочки соответсвенно SnP файлам. Ну а дальше разобраться легко.

Спасибо, разобраться было легко.

Назрел вопрос. При расчете S-параметров транзистора с тем, чтобы определить можно ли на его основе сделать генератор я провел несколько симуляций.

1. Расчет S-параметров схемы с общим эммитером получил следующие результаты



Коэффициент стабильность K меньше единицы, параметр S11 также не удовлетворяет условия отрицательного сопротивления (слишком мал).

Добавляя индуктивность мы получаем следующие результаты



Коэффициент стабильности много меньше единицы, параметры S11,S22 позволяют говорит о том, что возможна генерация за счет отрицательного сопротивления транзисторной части схемы.

Однако, для включения транзистора по схеме с общей базой результаты моделирования не удовлетворяют условиям генерации.




Добавление индуктивности не приводит к увеличению параметров S11,S22



Изменение тока и напряжения коллектор-эмиттер, ничего это не приводит к существенным изменениям.

Вопрос: Можно ли из вышесказанного сделать вывод, что данный транзистор не удастся использовать по данной схеме в качестве генераторного ядра.

Сообщение отредактировал Artemij14 - Sep 28 2011, 19:21

Ну вообще-то тяжело генерить малосигнальному транзистору, если эмиттер по ВЧ нагружен на идеальные 50 ом (в смысле- 50 ом-не догма, для возбуждения генерации может понадобится совсем другая нагрузка). Ну или резонатор нарисовать какой-либо в эмиттере.

10 нГн много. Там 0,5-1 нГн хватит.

Можно и резонатор нарисовать и индуктивность поменьше сделать и нагрузку поменять. Скажем вот так



И опять не получить никого результата. Думаю перейти на AT-41400 транзистор.

Такие сейчас не найти.
А Вы уверены, что нога Ref является базой? Что-то мне подсказывает, что это эмиттер. Как правило, S-параметры транзистора при заданном режиме меряют по схеме с ОЭ.

Да, действительно "Common Emitter S-Parameters: Jul 2004". Спасибо!