Тогда вопрос - сколько значащих цифр в экспериментальных данных? Бессмысленно добиваться точности аппроксимации большей, чем точность измерений.

Порядок точности измерений - десятые доли. Так что здесь хорошо бы добиться совпадения целых чисел.

Используя программу TableCurve удалось получить функцию, наиболее точно совпадающую с точками из данной таблицы. Программа - отличная, вот только результат почему-то не сохраняет, точнее сохраняет, но в виде таблицы, что не очень наглядно. Спасибо всем за помощь!

Взгляните еще на регрессионный анализ. Кажется что вы задачу решаете не тем методом,
т.е. не строите качественную модель, а пытаетесь подобрать формулу для исходных данных.

Эта зависимость нужна для описания емкости транзистора. А модель сама описывает поведение транзистора, когда он работает в режиме.

Хорошо, другими словами.
Вы например получите: C,мкф = f (t,мс)
А что нужно получить ? Без цели,
дальнейшие рассуждения теряют смысл.

Получаю зависимость C, мкФ от U, В. Затем подставляю эту зависимость в эквивалентную схему транзистора. Эта схема имеет несколько нелинейных элементов, зависящих от U, один из них эта емкость. Таким образом я могу описать поведение транзистора при различных напряжениях. В частности можно посмотреть как изменяется импеданс транзистора.

В обычных нелинейных моделях (в стандартных) проходная емкость описывается формулой: Cgs = Cgs0/ sqrt(1- Vgs/Vgsi). Где Cgs0 – это значение емкости затвор-исток при Vgs = 0 В; Vgsi – потенциал поля барьера Шотки. Эта формула основа, обычно еще добавляют всякие разные сглаживающие функции (как в модели Statz или Raytheon). Посмотрите описание моделей Angelov, Statz, Curtice-Ettenberg и прочих, например, в help'e Agilent'a, возможно многие вопросы отпадут.

Тут как раз дело в том, чтобы эту зависимость для емкости задать максимально совпадающей с реальной, т.к. и без этого в моделе много чего неточного. Как мне уже подсказали, я использовал программу TableCurve, где очень все хорошо получилось.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Nov 3 2011, 07:43

В матлабе есть функции апроксимации. Создается структура, содержащая коэффициенты полинома. Затем просто подставить их в аналитическую запись. Все это в пакете Spline toolbox вроде

А в качестве самого простого варианта в среде Matlab можно воспользоваться функцией polyfit, но "хороший" результат сложно получить для плохо обусловленной матрицы...

Я пробовал уже, но то, что хотел сделать - не получилось. В итоге нашел проще способ.

Stefan доброго времени суток, не могу отправить вам в личку сообщение. вопрос такой:как вы расчитываете эквивалентную схему транзистора? какие измерения делаете? какая методика. заранее благодарю.

Методика - ничего необычного:
1) Измеряем ВАХи.
2) Измеряем емкости кристалла транзистора.
3) Дальше измеряем индуктивности проволочек внутри корпуса транзистора (делаем тесты, например, для измерения проволочек между кристаллом и бортом).
4) Самое сложное - это измерение паразитных сопротивлений. В зарубежных статьях пишут, что вычисляют их из S параметров, но тут не все так просто, т.к. для мощных транзисторов их сложно мерить, нужно специальное оборудование. У нас его нет и мы эти сопротивления измеряем на малом сигнале и затем подгоняем, понятно, что точность при этом не ахти какая.

Благодарю
эх нужен приборчик для х параметров. и не париться с эквивалентными схемами