Решил применить
Si2351DS. Vishay заявляет, что транзистор может рассеять 2.1W. Но не приводит ни площадь полигона, ни его пример. Надо делать один полигон для стока? Или для истока тоже делать, такой же по площади полигон, или меньше? Может кто встречал рекомендации производителей?