Есть устройство с максимальным потреблением 1 А и напряжением питания от 12В до 24В - предполагается использовать LMZ14201.

Защиту от переполюсовки при подключении можно сделать включив диод в провод питания или самовостанавливающийся предохранитель и после него диод параллельно входу.
Место и тепловыделение ограниченно.
В первом случае имеем лишние потери по теплу на диоде.

Во втором случае не понятно как поведет себя предохранитель при переполюсовке на неизвестный источник питания.
При срабатывании может быть приличный ток, превышающий, хоть и кратковременно, максимальный ток самовосстанавливающегося предохранителя.
Может есть самовосстанавливающиеся предохранители предназначенные для такой защиты?

LTC4365

Поставьте мост. и питайте хоть плюсом хоть минусом

Мне потери на одном диоде не нравятся, а на двух тем более. Требуется только защита от неправильного включения.

Кроме того, с мостом придется общий изолировать от корпуса который работает как теплоотвод.

Обыкновенный n-канальный MOSFET в цепи "минуса" питания.
На затвор - положительное открывающее напряжение.
Когда перепутали питание - на стоке "+", транзистор закрыт.

Хорошая штука, но.
Место съест и при этом,
насколько я понимаю,
все равно будет включен один диод с падением 0.78 - 1.2 при токе 1.6 A.

Или P-FET. Тип транзистора определяется током и напряжением. Максимально допустимое напряжение Затвор-Исток должно быть больше внешнего напряжения.

Такой вариант встречал для аккумуляторов и батареек, например
http://www.ti.com/lit/an/slva315/slva315.pdf
Но подставляя затвор на внешние провода питания в промышленных условиях придется заботится уже о его защите.
Опыт применения есть?

Диод Шотки дорого будет? На 50В обратного вполне хватит и падение не большое.

Сообщение отредактировал GefarD - Oct 5 2011, 15:09

Если P-FET не имеет защиты затвора, то добавляю TVS в корпусе 0402 или 0603 на соответствующее максимальное напряжение на входе. P-FET можно включать и как показано в промерах от TI - тогда дополнительно есть защита источника от обратного напряжения от нагрузки, например, при работе с аккумулятором

Неправильно понимаете. Никто бы не стал продавать микросхему, равную диоду.

Падение напряжения с парой каких-нибудь Si2318 будет 0,1 вольта при 1 ампере.

В отношении шутки насчёт места — замените LMZ14201 на что-нибудь менее золотое. Тогда не только лишнее место и деньги появятся, но и подобные довески не понадобятся, и КПД будет максимальный.

Наверное, транзистор (вместе с обвесом в истоке) стОит развернуть наоборот, и TVS должен быть на < Ugs_max.

Падение около 0,5В.



Да, действительно, неправильно. Остальное все устраивает.

Я о деньгах не ничего не писал. Кроме того, у LMZ14201 есть собрат LMZ12001 для питания 15В.
Тиражность небольшая, поэтому на то какой вариант золотым будет влияет не столько цена комплектации, сколько время на работу.
А по поводу места подскажите что интегральное займет меньше места при входном 12-24В и токе до 1А.
С удовольствием поставлю. Особенно, с большим кпд.
Я не нашел и остановился на том, что влезло.

Да, это ошибка (скопировал со своих ключей)


Я стараюсь, если возможно, брать Ugs_max > Uin. Например, полно P-FETов с Ugs_max = +/-20V. Тогда, если Uin < 20V, то TVS можно брать с несколько большим напряжением, чем Uin. Если нельзя, то таки да.