Привет. Второй вопрос по теме динамического моделирования.
Задача - промоделировать температуру чипа для IGBT модуля, установленного на медный водяной радиатор охлаждения.
Есть вот такая модель, как на картинке:
В принципе внутри модуля все понятно - моделируем параллельными RC- цепочками и значения RC есть в даташитах.
Например на мой транзистор - http://www05.abb.com/global/scot/scot256.n...-03May%2005.pdf

С тепловым сопротивлением термопасты и радиатора я тоже вроде разобрался. Остались теплоемкости подложки и самого радиатора. Т.е. значения Ccase и Cheatsink. Они, конечно большие, но для динамики и это нужно знать.
Правильно ли я считаю.
Теплоемкость подложки не входит в даташитные данные, поэтому ее надо учитывать отдельно. Материал подложки - AlSiC. Теплоемкость в инете около 0.786Дж/(гК). Размеры подложки я померял циркулем и определил объем - 128см3. Плотность AlSiC - 3 г/см3. Т.е вес - 384г. В итоге теплоемкость такой пластины: 301 Дж/К.
Для медного радиатора я просто взял вес (5.4кг) и помножил его на теплоемкость меди - 390Дж/кгК . В итоге получилось 2106 Дж/К

Но что-то мне подсказывает, что данные значения слишком большие. Ведь радиатор не весь нагревается до рабочей температуры, а только та часть, что учавствует в теплообмене. В этом собственно и вопрос - правильно ли я рассчитал, или нужно по другой формуле считать, или лучше промоделировать, но где?