Где можно нарыть детальную информацию по предоставляемым TSMC (и, возможно, другими фабриками) компилируемым блокам памяти? Особенно волнует примерное потребление и оптимальные конфигурации блоков. Я не специалист в ASIC, - прошу заранее простить, если спрашиваю глупость.

До сих пор мне попадались лишь отдельные извлечения маркетингового характера, типа такого: “The SRAM cell size is about half that of the 65nm process technology. The high density SRAM 0.242мm2 cell is the smallest available in the 45/40nm generation.”
Где бы найти подробный первоисточник?

Можно посмотреть имеющийся ассортимент здесь: www.design-reuse.com
Характеристики описаны скудно. Для получения дополнительной информации придется связываться с разработчиком.

Увы, я там вообще никаких характеристик не вижу. Может подскажете хотя бы порядок величин по потреблению или цифири для каких-то частных случаев?
А вообще странно. Должен же быть где-то калькулятор, чтобы мощу считать. Для плисов и процессоров такие калькуляторы выкладывают.

Информация почти "от первоисточника" - моделирование на транзисторном уровне с паразитами
Блок ARM 2Kx16 для TSMC65GPlus. Условия Typical.
Блок памяти расходует 16,2 пДж на операцию.
На 1 МГц по идее должен потреблять 16,2 пДж * 1 МГц / 1 Вольт = 0,0162 мА
Что собственно указано в таблице из datasheet, которая для частоты 1 МГц.
Таблица в datasheet получается в результате работы калькулятора, встроенного в компилятор памяти.

cdsinit, данке щён!!!

Пытаюсь зарегится на АРМе, но пока не все могу скачать (а может этого и нет там), потому еще пара вопросов по приведенным цифрам:
1) объем памяти 2килослова? (на всякий случай уточняю)
2) есть ли сведения по статическому потреблению?
3) чтение и запись, видимо, по потреблению одинаковы, так?
4) память однопортовая?

2048 слов по 16 бит

0,12 мВт в Typical,
4,5 мВт в FF/1,1/125/

Примерно одинаковы, это видно по третьей картинке. Хотя и не равны.

Однопортовая

это что значит?




это что значит?

FF - "Быстрый" процесс с большими утечками
1,1 - напряжение питания, повышенное на 10%
125 - температура
В этих условиях статическое потребление максимально.

тогда самый последний вопрос: медленный (типичный) процесс на сколько МГц рассчитан?

К процессу этот вопрос не применим. Можно сказать, на сколько МГц расчитана конкретная память по этому процессу.
Написано, что у CLK min_period=1.150 нс (типичные условия TT/1,0/25 - процесс/питание/температура)
=> 869 МГц максимум

В наихудших условиях (SS/0,9/125) память работает медленнее, и min_period=1.874
=> 533 МГц максимум

Микросхема должна проектироваться так, чтобы быть работоспособной как на быстром (FF), так и на медленном (SS) процессах.
Это необходимо для того, чтобы не терять выход годных при неизбежных технологических отклонениях на производстве.

Спасибо!!