С резонансными я мало имел дело. Сам много раз наблюдал в других типах (обратноходовых и т.п.), они вылезают в виде очень высокодобротных звонов (кстати, очень хорошо оцениваемых и теоретически). Нет никаких оснований считать, что в резонансных они куда-то исчезнут.
Конечно, это наиболее актуально тогда, когда внешние емкости соизмеримы с собственными емкостями трансформатора - естественно, с ростом основной частоты эта проблема обостряется.

Это очень общее заявление. Одни проблемы исчезнут, другие появятся.

Это интересно. А почему так получается? Ведь в формулу для расчёта резонансной частоты входят те же величины L и С. За счёт чего же резонанс токов переходит в резонанс напряжений?

Дык, видимо, и не переходит резонанс токов в резонанс напряжений. Дело в том, что у меня снята реальная частотная характеристика преобразователя 3кВ с трансформатором и двумя плечами умножителя
на которой виден один плавный максимум в области 12-17кГц. Дальше никаких всплесков нет, плавное убывание амплитуды на выходе умножителя от частоты.
Естественно, в общую картину ЧХ внесли свой вклад все паразитные емкости системы.

А вопрос был, как лучше распорядиться наличием резонансных свойств - настроиться на резонанс или наоборот, отойти в сторонку.

Мое мнение - "отойти в сторонку" ибо, под нагрузкой, резонанс все-равно не даст выигрыша по коэффициенту преобразования.
А если преобразователь работает на аномально низкую нагрузку, например 1мкА, тогда можно настроиться и на резонанс.



Я конечно не знаю из чего у Вас изоляция , но обычно, она на магнитный поток никак не влияет.
Насчет индуктивности рассеяния - не спорю, если бы удалось снять частотную характеристику "потери-чатота", можно было бы обосновать выбор рабочей частоты.


Да ладно, я уже и сам забыл...

Есть индуктивность вторичной обмотки, эквивалентная емкость приведенная к вторичной обмотке (или к первичной, в зависимости от модели) и индуктивность рассеяния. Индуктивность рассеяния образует с эквивалентной емкостью последовательный резонанс, который располагается, естественно, выше по частоте. Снимать характеристику надо на синусе.



Так пробуйте, а когда сделаете, сообщите результаты.

Индуктивность рассеяния напрямую зависит от конструктивного исполнения трансформатора, а изоляция напрямую влияет на это конструктивное расположение. Так понятнее?

Я так и не понял почему:

Безотносительно рекомендаций автору.

А как же тогда? Параллельный - это и есть резонанс токов, вестимо. Как последовательный - напряжений. Почему они на разных частотах?


А параллельный какие реактивности использует?

Насколько плавно они переходят друг в друга зависит от параметров трансформатора и добротности. Ну а последовательный всегда выше, так как индуктивность рассеяния не может быть больше индуктивности обмотки

Есть вторичная обмотка и приведенная емкость на ее зажимах. Они же дадут параллельный резонанс.

Так вот... вернемся к баранам ТС, то есть к моим. Расскажу про проделанный эксперимент, поделюсь опытом.

Попробовал вначале 6кВольт RMS на выходе получать, на входе можно либо 12В постоянки, либо 220В сетевых. Что попробовал:

1. полномостовым образом вогнать 12В в один транс (тор 10см) с коэффициентом трансформации 375 (первичка - 4 обмотки по 2 витка), вторичка одна обмотка с 750 витков,
2. полномостовым образом вогнать 12В в один транс (тор 10см) с коэффициентом трансформации 20 (первичка 39, вторичка 750) и выход снова в такой же транс (первичка 39, вторичка 750), то есть первый транс поднимал напряжение до 360В переменки, а второй до 6кВ,
3. входные 220 переменки выпрямил до 310В, и вогнал в один транс c коэффициентом трансформации 15 (первичка 50, вторичка 750).

Во всех экспериментах вторичка была на тор намотана, пропарафинена, прозазорена на 1см, а поверх моталась первичка/первички. Реально использовал только два транса и перенаматывал первички.

На выходе стояли умножители двухполупериодные, в + и в -, оба по 5 ступеней, в пике должно было получаться 90кВольт, реально выход этих каскадов был через 8кОм резисторы воткнут в 110кВольтный конденсатор на 5нФ, и в параллель к нему ключ-разрядник, который на 70кВ срабатывал.

Менял частоту накачки на МК линейно с X до Y, так, что X - было сразу после разряда, а Y - непосредственно перед разрядом, а в промежутке - линейная аппроксимация. X и Y подбирались по Ньютону на основе затраченной энергии на один импульс.

Выводы:

КПД схемы 3 достигда 76% при 100В мощности, при 1кВ мощности было около 60% КПД.

КПД схемы 2 было больше КПД схемы 1, но выйти на 1кВ выходной мощности удалось только при 50% и 30% КПД соответственно, реально трансы грелись ужасно, можно было экспериментировать только около 10 секунд, а потом ждать пару минут пока парафин застынет. В то же время на схеме с двумя трансами КПД около 70% достигалось при 10Ватт нагрузке (около одного импульса в секунду моей схемы).

Выводы... сами понимаете... два транса - геморно и не нужно, имеет смысл только если у Вас под рукой нет нормальных ВВ мосфетов, чтобы питаться от 220В. Может иметь смысл только если питание только низковольтное, и очень стеснены по габаритам.

Off/PS: предварительные опыты, правда на меньшее выходное напряжение, буст на прямую воткнутый в длинный умножитель пока даже более успешны на небольших мощностях, чем схема 3. Буст на 335мкГн, 100витков, 0.6Дж до насыщения, микрометальный тор примерно тех же габаритов. Но управление там - МК уже на самоподстройку еле-еле хватает.

Это надо понимать так, что паразитные реактивности сопоставимы с "рабочими"? Это какие же должны быть потери у такого транса?

Это хороший совет, спасибо.


Нет. На что именно влияет изоляция? К чему темнить в таком простом вопросе? Что понимается под "Конструктивным расположением" - то, что между слоями лакоткань проложили? Габарит обмотки вырос? Разнесли первичку и вторичку на разные строны магнитопровода? Вот вроде и все варианты. Я так думаю, что имелось ввид, что большая индуктивность вторички приводит к высокой индуктивности рассеяния и нечего на изоляцию ссылаться.


А, собствннно, кто сказал, что частоты сопоставимы? Я второй всплеск ЧХ не наблюдал.

Емкость обмотки и индуктивность намагничивания.

Для прояснения ситуации. Индуктивность рассеяния и паразитные емкости трансформатора зависят от геометрии обмоток и их взаимного расположением в пространстве. Для обеспечения высоковольтной изоляции приходится выполнять пространственное разнесение обмоток (про лакоткань и компаунды всем известно - но их нужно куда-то впихнуть) - либо выполнять их на разных кернах, либо делать достаточно большой зазор между обмотками (заполненный изолятором). Кроме того, большое количество витков вторичной обмотки часто не позволяет оптимизировать намотку по критерию Lрасс. Отсюда - большая Lрасс. С емкостями проще, но тоже не всегда.

Обмотки или нагрузки?

За свои про индуктивность рассеяния не скажу, для моделирования важно подогнать импеданс модели реальному трансформатору, что бы проверить работу ПИД регулятора на разные перегрузки. Отношение частот голого трансформатора разы.

По потерям.
Когда то измерялся кпд В.В. источника на 110 кВ с питанием от 52В (1,4А мах). Работал он на параллельном резонансе нагрузки, обычный мост. Суммарный к.п.д. от питания до нагрузки был более 80%. То ли 82, то ли 84, лень документы поднимать.

P.S.
Транс CCFL серийного LCD монитора. Индуктивность (измеренная) в.в. обмотки 1.44 Гн. На схеме указана индуктивность (судя по названию и значению, рассеяния) lK =0.3 Гн. Мощность трансформатора до 20Вт, соотношение витков 1:100. Частоты уже не помню, но не проблема посмотреть.


Я сказал и объяснил почему, больше повторять не буду.
Возьмите генератор, двухлучевой осциллограф, поставьте токовый шунт и внимательно снимите характеристику на синусе обращая внимание не на напряжение на выходе умножителя, а на изменение импеданса (амплитуды тока и напряжения на входе трансформатора) и сдвиг фазы между током и напряжением.

Что имелось, то и написано.
При одной и той же высокой индуктивности в зависимости от конструкции будет разная взаимная индукция обмоток и паразитные емкости.
А конструкция зависит, в том числе, от требований к изоляции, которые зависят от напряжения и рабочей частоты. Иногда приходится увеличивать изоляцию для уменьшения емкости.