пытаюсь после манипуляций описаных выше (в частности flash_write_int16()) прочитать записанное значение

int x = nv_parms.seg_a.s.variable;
вывожу 'x' на дисплей: нули((

P.S. дисплей выводит правильно

Подмена на __infomem___ прагмы "location="INFO"" . Просто для удобства чтения и модификации. Но тут могут быть зарыты грабли. В частности, этот текст может быть несовместим с вышеописанной процедурой. Надо смотреть распределение флеш памяти для конкретного кристалла. Секция INFO включает в себя сегменты A, B (C, D в зависимости от кристалла)


Разместить стуктуру nv_parms типа info_mem_s в памяти в секции INFO. Здесь надо проверить, как расположены в памяти входящие в INFO сегменты INFOA, INFOB (C, D). Компилятор расположит структуру nv_parms в начале секции INFO, а в серии 2хх там расположена секция D, например, в то время как flash_replace16 подразумевает, что данные хранятся в секции В. Можно не париться и прямо указать Pragma("location=\"INFOB\"")



>>получается: обявили константу во флеши и затем записали на её место что-то...верно?
Не совсем так. Скорее жестко привязали имя и местоположение структуры к определенному адресу памяти. Делают так, потому что TI специально выделяют зону флеш-памяти именно для этих целей. У нее уменьшен размер страницы и увеличено количество возможных перезаписей по сравнению с основной страницей


JTAG есть? Давайте ВЕСЬ код, относящися к теме, тип кристалла.

Спасибо за подсказки. Всё заработало. Кристалл F47187
непонятно только почему не работает конструкция



когда применяю её вместо flash_replace16()

Сообщение отредактировал Zelepuk - Nov 21 2011, 16:53

Возможно, потому что вы оставили флеш в режиме записи?
По завершении записи надо дать команды
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY | LOCK;

Еще одна вещь, о которой не надо забывать - если собака работает, перед записью во флеш ее надо отключать, а то взбрыкнуть может капитально.

если предположить что таких переменных для хранения не более десяти. Частота изменения около 15 минут.

-наверное лучше написать функцию которая сразу меняет 10 переменных во флеши, чтобы как-то сбереч ресурс флеши?
-при перезаписи каждые 15 минут и количестве циклов флеши 100 000(как у MSP430) получается имеем всего 25000 часов такой работы, после чего флешь загнётся...

наверное лучше на какую-то внешнюю ПЗУ перейти.

Не так все плохо. Там 255 ячеек памяти в инфо области, прежде чем ее стирать можно заполнить 25 - 10 блоками настроек в завистимости от их типа, что уже дает 250000-500000 часов работы, а если вы еще заранее знаете, что часть из них будет меняться очень редко, то можно их сгруппироать и выиграть еще больше.
Или поставить кондер побольше по питанию и держать быстро меняющиеся настройки в ОЗУ, а во флеш их писать при пропадании питания.

Сообщение отредактировал =DS= - Nov 23 2011, 01:04

можно по подробнее об этом?

имеется ввиду такая последовательность:
- стереть страницу
- записать данные (10 байт) со смещением 0x00 (начало страницы),
- через 15 мин записать данные (10 байт) со смещением 0x0A,
- через 15 мин записать данные (10 байт) со смещением 0x14,
- ... так 50 раз
- страница заполнилась, стирание всей страницы

это для обычной страницы по 512 байт (не INFO),
для INFO размер 64 байта