Группа: Свой
Сообщений: 239
Регистрация: 2-03-06
Из: г. С-Пб
Пользователь №: 14 871
Добрый день всем. Возникла сложность при реализации импульсного режима работы GaN транзисторов. Сложность состоит в том, что питание GaN транзисторов составляет 28 В. Для открытия модулирующим мощным n-канальным полевиком включенным по схеме общий исток, на затвор его необходимо подать еще больше напряжение, не меньше 33 В. Соответственно необходимо городить целый огород для модулирующего полевика. Мощные р-канальные полевики медленее (то есть не подходят). Может есть какой-нибудь драйвер управления GaN транзистором ? Заранее спасибо.
А это ВЧ усилитель? По затвору управлять не пробовали? Регулировка должна быть более быстрой. Единственно, надо оберегать от звона коммутатора постоянного смещения затвора. Возможно, фильтром Бесселя.
Что за транзистор у вас, тип укажите (наверное от Nitronexa), и как это на затвор еще большее напряжение? Поясните. Как у вас согласование сделано? Низкое сопротивление модулируещего в высокое на затворе? Какой диапазон частот у вас?
Группа: Свой
Сообщений: 239
Регистрация: 2-03-06
Из: г. С-Пб
Пользователь №: 14 871
Транзистор TriQuint http://www.triquint.com/products/p/TGF2023-02. Согласование по S-параметрам, рассчитано в MWO. По затвору управлять конечно не пробовал, но к этому и иду, максимальное напряжение на затворе у него минус 50 В. Но еще как крайний вариант остается, модулирование по стоку p-канальным полевиком, включенным по схеме общий исток.
Импульсный режим GaN транзисторов
Mar 12 2012, 08:23
