ВАХ СВЧ транзистора, Напряжение насыщения Опции

[oleg_uzh]

Всем привет! Имеется проблема определения напряжения насыщения полевого транзистора с управляемым затвором. Из теории следует, что напряжение насыщения есть некая область на выходной ВАХ, где характеристика переходит из линейной области в область насыщения (участок БВ на рисунке). А область насыщения - это когда при дальнейшем повышении напряжения стока-исток Uси, ток стока Iс будет расти очень незначительно, другими словами имеем малую крутизну. В связи с этим вопрос, а что если крутизна в области насыщения очень большая и при этом размывается определение данного напряжения? Где-то в литературе прочитал, что напряжение насыщения определяется приращением тока, то есть, когда приращение тока становится меньше 250 мкА. А если это приращение всегда больше, тогда что? хотя по характеристике можно определить, хоть и не явно.

[HardEgor]

А зачем знать точку насыщения?
Ведь она ограничивает линейный участок, и если вам нужны минимальные искажения, тогда точка перегиба на втором рисунке будет точкой насыщения и амплитуда сигнала не должна через неё переходить. Если искажения от этого перегиба не важны, тогда точку насыщения можно поставить на границе графика.

Сообщение отредактировал HardEgor - Sep 17 2013, 13:49

[oleg_uzh]

А зачем знать точку насыщения?
Ведь она ограничивает линейный участок, и если вам нужны минимальные искажения, тогда точка перегиба на втором рисунке будет точкой насыщения и амплитуда сигнала не должна через неё переходить. Если искажения от этого перегиба не важны, тогда точку насыщения можно поставить на границе графика.

Требование такое стоит, определить точку насыщения. Но когда ВАХ полевого транзистора выходит за пределы теории (по книжкам), вот и появились сомнения. По последнему вашему утверждению, точку насыщения можно выбрать в любом месте области насыщения???

[HardEgor]

Не в любом месте, у вас просто график не полный, видимо точка насыщения за пределами графика. Я так понимаю СВЧ работают только на линейном участке, и знать напряжение насыщения необходимо только с целью не попасть на этот участок при расчетах.
Если точка нужна для расчетов её можно положить на границе графика, если это лабораторная работа, тогда можно сказать что в рабочем диапазоне транзистор не входит в насыщение.
Если всё-таки надо получить какое-то значение, можно понижать напряжение затвора пока не начнет входить в насыщение. Вот например STB120NF10 Figure .6

Сообщение отредактировал HardEgor - Sep 19 2013, 03:49

[oleg_uzh]

Как раз таки полевик работает в области насыщения, в качестве усилителя. У меня стоит задача определить точку насыщения, хотя по снятой ВАХ она не явная. Дальше напряжение поднимать нельзя, наступает пробой транзистора. Понятно, что судя по графику транзистор не совсем входит в насыщение. Но где критерии этого? В литературе я этого не нашел. На сколько должна быть мала крутизна, чтобы считать, что транзистор вошел в область насыщения?

[HardEgor]

Я же привел даташит и в нём график, на котором явно видно - при больших Vgs насыщение можно и не увидеть, а при уменьшении появляется.