Цитата(Maksa @ Aug 25 2014, 10:26)

Здравствуйте! У меня возник спор с ВП МО РФ по вопросу отношения параметров СВЧ усилителя к статическим и динамическим. А параметры такие: ток потребления, выходная мощность в режиме насыщения, коэффициент усиления по мощности, коэффициент неравномерности АЧХ, КСВН входа/выхода.
Интересно, а какими ГОСТ на методы измерений этих параметров Вы пользуетесь? Особенно интересен термин "выходная мощность в режиме насыщения".
Цитата(Maksa @ Aug 25 2014, 10:26)

Изначально ток потребления у меня был записан как статический параметр, остальные - динамические. Военпред утверждает, что все мои параметры являются статическими, аргументируя тем, что динамические параметры - это те, которые изменяются во времени, коих по его словам у меня нет. Я ему привел контраргумент, что все указанные мной динамические параметры имеют зависимость от частоты, а частота, как известно, - это количество повторений в единицу времени (собственно Гц=1/с). Он конечно же со мной не согласился.
Так кто из нас двоих прав? Есть ли какие-либо ГОСТы или другие нормативные документы, где даны определения статического и динамического параметра?
Я как-то не встречал ГОСТы, в которых бы давалось определение "статических" и "динамических" параметров. На мой взгляд - это какие-то устоявшиеся термины в научной литературе. Тогда логичнее выделить "частотные" параметры, т.е. те параметры которые зависят от частоты (и, соответственно, измеряются на определённой частоте), вот как раз к этим параметрам и можно отнести Ваши "ток потребления, выходная мощность в режиме насыщения, коэффициент усиления по мощности, коэффициент неравномерности АЧХ, КСВН входа/выхода."
Зарубежные производители часто эти параметры выделяют в группы "RF Performane" (радиочастотная производительность) или радиочастотные свойства/характеристики.
Статические параметры подразумевают измерения в установившемся режиме, динамические параметры обычно характеризуют систему, на которую воздействуют при помощи импульса. Типичными динамическими параметрами могут быть время установления, время нарастания, спада и т.д.)
Но существуют так же непонятки среди зарубежных производителей. Вот например, куда отнести измерение межэлектродной емкости транзисторов, производимое на малом сигнале и на определённой частоте (скажем 1 МГц)?
На мой взгляд логичнее относить либо к частотным параметрам (но зависимость от частоты небольшая), либо к статическим, что и делает NXP (см. даташит BLF645). Но FreeScale почему-то упорно относит межэлектродные ёмкости к динамическим параметрам (см. даташит MRF6VP121KH)! И как это понимать?