|
Защита частотных преобразователей от короткого замыкания |
|
|
|
Jul 7 2017, 14:13
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 15
Регистрация: 21-01-16
Из: Казань
Пользователь №: 90 123

|
Уважаемые коллеги, есть вопрос по поводу живучести частотных преобразователей. При испытаниях частотного преобразователя (трехфазного на 15 кВт) собственного изготовления выяснилось, что он не выдерживает межфазного короткого замыкания, выходят из строя силовые ключи (замыкания фазы на + или минус DC-шины, вроде, держут, но это не факт, т.к. большую статистику накопить дороговато  ). При этом у драйверов есть защита по насыщению силовых ключей, логика защиты на тестовых сигналах работает корректно. Возможно, ключи выходят из строя от перенапряжения в момент броска тока. Не вдаваясь пока в подробности силовой части, хотелось бы узнать насколько реально защитить частотник от короткого замыкания, насколько серийные преобразователи стойки к таким аварийным ситуациям. У нашего частотного преобразователя есть дополнительные аварийные уставки по току и напряжению, но они работают на частоте ШИМ, медленные. Возможно, организовать систему защиты можно иначе...
|
|
|
|
|
Jul 7 2017, 15:01
|

Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 255
Регистрация: 30-01-07
Из: Калининградская обл.
Пользователь №: 24 867

|
Цитата(RustemKZN @ Jul 7 2017, 16:13)  При этом у драйверов есть защита по насыщению силовых ключей, логика защиты на тестовых сигналах работает корректно. На сколько мне известно, IGBT транзисторы могут выдержать лишь ограниченное количество перегрузок, вводящих их в режим насыщения. Защита, основанная на контроле режима насыщения, требует обязательной реализации периода охлаждения после срабатывания защиты.
--------------------
Всем творческой удачи и профессионального роста!
|
|
|
|
|
Jul 8 2017, 15:09
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 190
Регистрация: 2-03-11
Пользователь №: 63 341

|
Цитата Синусный фильтр на выходе частотника ограничит скорость нарастания тока при КЗ до уровня, при которых защита успеет сработать. Свист. Между сетью и транзисторами звено постоянного тока в виде конденсаторной батареи. В момент кз она вся разрежается и ничего ее не остановит.Вы можете хоть автомат в полноминала ставить - горит из-за невозможности ограничить ток от конденсаторов Цитата На сколько мне известно, IGBT транзисторы могут выдержать лишь ограниченное количество перегрузок, вводящих их в режим насыщения. Дело не в этом. Все очень сильно зависит от кучи ньюансов: а) Короткое замыкание в звене постоянного тока в работы. Обычно так: КЗ-выгорает сопля, которая вызвала КЗ-дикое перенапряжение более 1000В на ближайшем транзисторе (d(Lсопли*I)/dt).Далее ,все зависит от того, стоит ли на драйвере активная защита от перенапряжений или нет. Если не стоит, то транзистор выгорает от 1000В+ (пробой). Если стоит, то шансы 50/50: возникшая дуга может случайно открыть ключ в полумосте по помехе через питание, если на драйвере нет супервизора питания (бабах сопли-иголка в питании драйвера до 0В-потенциал затвора с минус 15В до ~0В-наводка на затвор - бабах ключ). Все зависит от расположения точки, в которой произошло КЗ б) Межфазное КЗ. При правильной организации цепей защиты, с этим проблем нет. Смысл в том, что транзистор может выдержать двухкратный ток в течении ~10мкс. Все цепи защиты должны быть ювелирно настроены на это число. Это касается драйвера, платы, куда приходит сигнал с драйвера об аварии и программы. В программе сигнал об аварии должен моментально быть отработан (не ждать, пока что-то там выполнится, а по самому высшему приоритету: пришел сигнал аварии-переход в прерывание - моментально отключить все). Плюс на этот случай делается защита от высоких токах в фазе. Банально ставятся 2 датчика тока на выход частотника и такая же аппаратная 10мкс защита без замедлений *И в 1 , и во 2 случае в такие моменты в редких случаях может пересброситься процессор и при инициализации на его ножках может быть что угодно. В итоге оба ключа полумоста при инициализации могут быть открыты. Нужно делать еще аппаратную защиту от этого ** Подводный камень здесь скрыт в том, что 10мкс-ная защита ужасно боится помех даже при номинальных токах,а больше фильтровать нельзя. Если в плате/разводке шкафа/жгута будет хоть что-то непомехоустойчивое, антенна и пр., то защита даст ложное срабатывание
Сообщение отредактировал somebody111 - Jul 8 2017, 15:27
|
|
|
|
|
Jul 9 2017, 09:38
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 190
Регистрация: 2-03-11
Пользователь №: 63 341

|
Цитата(khach @ Jul 8 2017, 19:17)  Синусный фильтр стоит на ВЫХОДЕ частотника. И прекрасно ограничивает dI/dT. Иногда даже просто переделка скалярного частотника в векторный с датчиками тока по фазам на трансформаторах начинала спасть частотник от гибели при межфазном КЗ. При межфазном кз спасает нормально организованная быстрая защита.Навешивать ненужную фигню вместо организации нормальной защиты не самое лучшее решение.Ну если очень хочется какую-нибудь фигню поставить, поставьте туда предохранители Цитата Ток КЗ вообще-то принимают за бесконечность, так что смысла здесь никакого, обычный азарт, повезёт — не повезёт. Скорость нарастания тока определяется паразитной индуктивностью конденсаторной стойки, а она там не маленькая.Там это время хорошечно больше 10мкс.Физика там простая:много тока-много тепла и оно не успевает отвестись от кристалла.Если дольше, то жидкий силикон, который окружает кристалл, от температуры в точках соприкосновения с кристаллом, начинает выделять пузырики, ещё больше ухудшающие контакт с кристаллом.Начинается лавинообразный процесс:ещё хуже тепло-еще больше нагрев-еще больше пузырей. Задача этой защиты не только в том, чтобы не дать нагреться кристаллу, но и не допустить образования пузырей, иначе транзистора хватит на 2-3 раза.Если защиты выстроены нормально, то транзистор выдерживает таких кз раз 30 подряд.Дальше пузыри дают о себе знать и транзистор очень быстро разогревается до 100 даже под номиналом и если на драйвере не организована тепловая защита , то будет бах.Если есть-привод отключится по перегреву, но транзистор все равно придётся менять.На 5 лет положить куда-нибудь, пока пузырики не растворяться ^,^
Сообщение отредактировал somebody111 - Jul 9 2017, 10:05
|
|
|
|
|
Jul 9 2017, 16:31
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 190
Регистрация: 2-03-11
Пользователь №: 63 341

|
Цитата Про снабберные конденсаторы прямо на шинах питания IGBT модулей вы подумали? Это не помогает, никак. Я их раньше ставил для перестраховки. Года два назад перестал ставить, потому что вечно выгорают. И вы не поверите - все так же работает. Это как аппендикс - он есть, но толку от него нет и система сама от него избавляется. А от перенапряжений спасает отстроенная активная защита на драйвере
Сообщение отредактировал somebody111 - Jul 9 2017, 16:42
|
|
|
|
|
Jul 9 2017, 19:21
|

Ally
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 6 232
Регистрация: 19-01-05
Пользователь №: 2 050

|
Цитата(somebody111 @ Jul 9 2017, 19:31)  И вы не поверите - все так же работает. Не, не верим. Без снабера ни о какой защите от КЗ c дугой не может быть и речи. Другое дело, что я не встречал еще ни одного частотника который бы мог выдержать КЗ с дугой. Даже простых контакторов на выходе частотники не выдерживают. Так что пустой разговор, за разумные деньги защиту от реального искрящего КЗ в частотнике не сделать.
|
|
|
|
|
Jul 10 2017, 13:01
|

Ally
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 6 232
Регистрация: 19-01-05
Пользователь №: 2 050

|
Цитата(san822 @ Jul 10 2017, 13:03)  Почему нет ? Читаю мануал от Semikron и там такой рисунок:
Из него следует что денасыщение происходит за время около 100 нс. Даже если DSP и успеет что-то увидеть (обычный Corteх M4 за это время даже в контекст прерывания не успеет войти), то у него не будет никаких средств так быстро что либо включить или выключить. Остается только молится чтобы Vce не превысил критический порог во время денасыщения. Но дальше ведь еще идет обрывание тока на фазе 4
Тут уже придется мучительно тюнингировать топологию. И тоже никакой DSP не поможет.
|
|
|
|
|
Jul 10 2017, 21:32
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741

|
Цитата(AlexandrY @ Jul 10 2017, 15:01)  Из него следует что денасыщение происходит за время около 100 нс. Даже если DSP и успеет что-то увидеть (обычный Corteх M4 за это время даже в контекст прерывания не успеет войти Вот на десатурацию ( выход IGBT из насыщения) реагирует за 100 нс драйвер того транзистора, на котором КЗ. Драйвер выключает транзистор и выставляет сигнал fault. Fault от всех драйверов аппаратно по схеме ИЛИ суммируется и идет на вход break STM32 и переводит таймер в безопасное состояние. Только потом ядро процессора узнает об аварии и будет ее отрабатывать, вернее регистрировать последствия или пытаться перезапустить инвертор. На вход break так же заводятся аппаратно выход компаратора перегрузки по току, компаратор утечки common node ( обычно это третья обмотка синфазного дросселя между фильтром и силовым транзисторным мостом - если сумма токов по плюсовой и мниусовой цепи не равна нулю, то значит в двигателе или проводах есть утечка и сработает защита по common node) кстати в STM32F3 много защит интергрировали аппаратно внутрь процессора, советую посмотреть блок схемы в рефмануале. На холлах и токовых трансформаторах построить защиту с временим реакции 100 нс невозможно, разве что на резистивных шунтах, но для 15 квт такой вариант маловероятен. поэтому остается только десатурация, а ее транзистор обязан выдержать.
|
|
|
|
|
Jul 11 2017, 06:24
|

Ally
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 6 232
Регистрация: 19-01-05
Пользователь №: 2 050

|
Цитата(khach @ Jul 11 2017, 00:32)  Вот на десатурацию ( выход IGBT из насыщения) реагирует за 100 нс драйвер того транзистора, на котором КЗ. Драйвер выключает транзистор и ... Посмотрите внимательней в даташит на ISO5500. Функция DESAT срабатывает спустя 250 ns после того как напряжение подскочило уже до 90% от выходного. Далее у этого драйвера еще задержка распространения более 200 ns Все что может этот драйвер - это медленно выключить транзистор если он выжил после динамического денасыщения. Т.е. просто сгладить крутизну тока и соответственно бросок напряжения на этапе 4 как на рисунке у Semicron. И всем известно что STM32 всегда тащится в хвосте у TI, Infineon и Friscele-NXP в плане управления движками. Поэтому как правильно строится архитектура цепей защиты смотрите лучше у Kinetis V серии.
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 04:47
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 15
Регистрация: 21-01-16
Из: Казань
Пользователь №: 90 123

|
Спасибо за бурное обсуждение проблемы! Будем думать, если решим проблему, обязательно напишу как.
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 09:19
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 190
Регистрация: 2-03-11
Пользователь №: 63 341

|
Цитата 100 ns Во-первых, это реакция сигнальных цепей микры на насыщение без учёта времени на её измерение.Во-вторых, если бы это было реально время на срабатывание, то привод даже бы не включился, потому что српбптывала бы защита от ложняка непрерывно.Это числа далеко от реального на 2 порядка
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 09:44
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741

|
Цитата(somebody111 @ Jul 13 2017, 11:19)  Во-первых, это реакция сигнальных цепей микры на насыщение без учёта времени на её измерение. Никакого сложного процесса измерения там нет- обычный быстродействующий компаратор, с временем реакции 10 нс и менее, все остальное- задержка от неправильных срабатываний и собственно время реакции схемы драйвера. В древние времена, когда таких интегральных драйверов небыло, лепили на рассыпухе на LM311 компараторах. Да купите вы драйвер с защитой по десатурации, любой IGBT промышленный модуль на 75-100а, зарядите емкостной источник до 50-75 вольт и устройте КЗ с обмером осциллографом. При таких напряжениях питания транзистор все равно не сгорит, зато получите полное представление о процессе.
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 14:47
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741

|
Цитата(somebody111 @ Jul 13 2017, 14:22)  Там уровень срабатывания 7.2В.Ни от чего она не защищает при таком пороге. Как не зашишает? промышленные IGBT выдерживают 2 кратную и больше перегрузку по току при длине импульса 50 мкс однократную. Ну вышел транзистор из насыщения, на нем 7.2 вольта падет. Срабатывает защита. За время срабатывания защиты ну хорошо если до 8 вольт доползет падение на транзисторе. Внутренне сопротивление модуля в районе единиц-десятков миллиом, уже при 100А напряжение на выводах будет достаточно для срабатывания десат. Вы реальный транзистор измеряйте, а не в даташитах параметры при КЗ ищите- там их действительно может не быть, особенно для старых серий. Главное dI/dt ограничить конструктивно.
А какие "новые методы" вы имеете ввиду?
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 15:01
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 190
Регистрация: 2-03-11
Пользователь №: 63 341

|
Хорошо, вот Транзистор. Какой- там ток соответствует 7.2В? И если очень точно, то считать надо не ток, а энергию, которую кристал сможет отвести за время срабатывания этой защиты. Я даже расчёт приводить не хочу - 7.2В - это по вольт-амперной характеристике килоампер 6-7, в то время как в даташите указано предельное 2800.
Сообщение отредактировал somebody111 - Jul 13 2017, 15:05
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 15:28
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741

|
Цитата(somebody111 @ Jul 13 2017, 17:01)  Хорошо, вот Транзистор. Какой- там ток соответствует 7.2В? Ну вы и выбрали, Код Kurzschlußverhalten SC data VGE £ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 5600 A 5600A перегрузки при импульсе короче 10 мкс. Для такого транзистора я пас. Исследовать надо. Семикрон для своих модулей пишет следующее. Цитата The drivers that have the IGBT desaturation feature measure the current Vce voltage between the collector and emitter of the IGBT, and then this value is compared with a reference voltage (Vref). This reference is chosen so that Vce under this reference value can be considered as saturation voltage. So far I understand how this feature works. But what happens in the instant when the IGBT commutates to On-state (the so-called “gating time”, typically 10us)? In the transition between off-state and saturation in on-state, Vce falls from a big voltage value to a very small one (e.g. 3V). If we have e.g. a value of Vref = 6V, theoretically every time a commutation takes place the desaturation monitoring should report a “desaturation error”. How is this avoided in practice? Answer The key to the problem is a dynamic value of Vref. At the very beginning of the turn-on, Vref can be e.g. 15V, and after that the value falls exponentially until it stabilizes at e.g. 6V. The falling speed of Vref can be controlled by an external capacitor CCE, which is connected in parallel to a RCE resistor. It controls the blanking time which passes after turn-on of the IGBT before the VCE monitoring is activated (so guaranteeing that always VCE < Vref during monitoring). This makes an adaptation to any IGBT switching behaviour possible. Note that the blanking time should not be too large, since otherwise the capability of reacting to a short circuit will be reduced. Т.е ставить границу срабатывания менее 6 вольт нельзя, и надо правильно подобрать задержку после начала включения ключа до начала реакции на десат, т.к напряжения могут быть и до 15 вольт на ключе. Есть конечно проблема если при давно открытом ключе произойдет КЗ, но это маловероятное событие. А так граница 7-9 вольт вполне приемлима, т.к КЗ будет обнаруживаться на еще не полностью открытом ключе. Техас такие величины и ставит. Можно конечно и цифровое управление придумать опрным напряжением, но надо ли это?
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 15:40
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 190
Регистрация: 2-03-11
Пользователь №: 63 341

|
Обычный транзистор, на котором куча устройств сделана... Вы просто не до конца понимаете, как работает измерение Vce у этой микры.Видите источник тока внутри микры?Он заряжает конденсатор до тех пор, пока на нем напряжение не совпадет с Vce минус падение на диоде и резисторе.Это и есть то числа, которое сравнивается с опорнымВыберите ёмкость, возьмите ток и посчитайте сколько это дело будет заряжаться.Ещё раз повторяю, я общался с разработчиками texasa и спрашивал почему так- потому что гладиолус, могли сделать больше, могли меньше.У них есть несколько серий с уставкой 9ВМогу даже больше сказать-там параллельно выходу надо вешать обратный диод, а тот, который в схеме стоит должен иметь ёмкость не более 10пФ.А эта RC цепочка должна быть в районе 1 мкс(ну не получается по другому, если начнете это проектировать серьёзно).250нс-это даже близко неправда
Сообщение отредактировал somebody111 - Jul 13 2017, 16:16
|
|
|
|
|
Jul 30 2017, 12:27
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741

|
Т.е трансформатор одновитковый по первичке, но не токовый, т.к нет низкоомной нагрузки. И как такой трансформатор реагирует на ШИМ силовых транзисторов, вернее на фронты ШИМа? Там же иголки будут такие, что любой компаратор с ума сойдет. Интересно было бы глянуть на осциллограммы в нормальном и аварийном режиме. Датчики в таком включении встречал, но не в защитных цепях. Например.
PS. https://www.eletimes.com/igbt-current-short...al-motor-drives реализован подобный способ защиты на AD7403. Хотя я и не понял, как им удалось получить скорость срабатывания защиты в 400 нс при использовании модулятора.
|
|
|
|
|
Aug 1 2017, 10:02
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741

|
Цитата(jeka @ Aug 1 2017, 11:38)  Кстати, такие датчики тока нормально на практике работают? В плане гистерезиса и дрейфа нуля? В плане гистерезиса нормально, желательно сделать калибровку задержки по фазе от частоты для холловского датчика. В плане калибровки нуля- можно делать автокалибровку в цифре в установившемся режиме синуса. Особых требований по точности токовых датчиков по фазам у нас не было, в режиме точного привода использовался внешний энкодер, по нему и строилась обратная связь. Цитата Я бы на Вашем месте поставил от датчика тока дифференцирующую цепочку и компаратор. Ток за период ШИМа несколько раз успеет нарасти выше критического (у меня по крайней мере так). Выборки были в одном периоде шим, Изначально планировалось использовать АЦП контроллера, но потом от этой идеи отказались. Был еще суперстенд из 3 китайских USB осциллографов с переделанной прошивкой CPLD, где АЦП непрерывно молотили на 40 МГц, CPLD аппартано рассчитывала di/dT и выдавала сигнал срабатывания защиты, а по USB вычитывалась потом история, которая привела к срабатыванию защиты. Получилось намного дешевле чем многоканальный цифровой скоп брендовый. Но конечно это все отладочные извращения, в частотик никто не будет ставить 6 быстрых AЦП и ПЛИС.
|
|
|
|
|
Aug 2 2017, 11:49
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 101
Регистрация: 3-08-06
Из: Екатеринбург
Пользователь №: 19 275

|
Господа, в теме полно религии, особенно на первых страницах. Зачем вам космически быстрая защита от КЗ, срабатывающая за 100 нс? Ваш преобразователь работает на мегагерцовой частоте? Сейчас в любом микроконтроллере, где написано motor control timer, есть вход fault#, по которому этот таймер останавливается и отключает все 6 или 8 выходов вне зависимости от прерываний и всего остального. Правда, это не всегда оптимальная стратегия для безопасного останова, но не суть. IGBT-транзисторы нормируются на вполне определенный ток КЗ, который они должны выдерживать в течение 10 мкс. Сейчас, правда, пошла мода на 5 мкс или вообще без short circuit rate, но это для первичных цепей закрытых преобразователей, которые нагружены на обмотку трансформатора внутри самого изделия. Зато цена таких транзисторов радует. Ток КЗ отнюдь не бесконечен, т.к. силовая цепь преобразователя неидеальна, в ней есть и неучтенное (или учтенное?!) внутреннее сопротивление батареи, и индуктивность шин. Испытать DESAT-защиту на столе проблем не составляет - возьмите батарею из снабберных конденсаторов, или добавьте банку MKP на несколько сот микроФарад, нагрузите на перемычку известного сопротивления и индуктивности, несколько мОм и мкГн, и, меняя напряжение, подберите искомый порог. Совсем необязательно экспериментировать на опасных напряжениях, MKP даже с 50-80 В отдадут вам несколько кА, смотря, как нагрузите. Заодно сможете увидеть, как ваши шины работают при таких импульсах, звон в ушах будет стоять))) Потом, для частотника большая разница, где возникает КЗ - на клеммах, в кабеле, или в обмотках мотора; и когда возникает КЗ - перед попыткой пуска, или на ходу, на открытый и насыщенный транзистор. Одно дело, если вы уроните гаечный ключ в клеммную коробку на моторе за 20м кабеля, и другое, если это произойдет на клеммах преобразователя. Чаще всего неожиданности проявляются после монтажа и после межэксплуатационных периодов, когда вполне можно протестировать нагрузку на утечки перед пуском.
|
|
|
|
|
Aug 2 2017, 14:15
|

Ally
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 6 232
Регистрация: 19-01-05
Пользователь №: 2 050

|
Цитата(VSt& @ Aug 2 2017, 14:49)  Потом, для частотника большая разница, где возникает КЗ ... У нас КЗ возникает при наезде металлических кромок на кабель. Это может быть и далеко и близко от частотника. КЗ может быть однократным, а могут на него и долго не обращать внимание. В результате частотник сгорает. Причем сгореть могут даже не силовые транзисторы, а драйвера силовых транзисторов. От КЗ с дугой и пачками прерывистых импульсов никакой защиты вы не сделаете.
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|