реклама на сайте
подробности

 
 
 
Reply to this topicStart new topic
> Малосигнальные S-параметры в datasheet, Как их применять для нелинейного режима?
RFMAN
сообщение Oct 8 2007, 09:28
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 62
Регистрация: 29-08-07
Пользователь №: 30 123



Господа, просвятите, ДЛЯ ЧЕГО в некоторых даташитах на мощные транзисторы производителем указаны S-параметры в малосигнальном режиме. Цепи согласования считают обычно по указанным входным и выходным импедансам транзистора, т.к мощные транзисторы работают в сильно нелинейном режиме (классы АВ, В и С). Хотелось бы побеседовать с разработчиками мощных усилителей, как они используют данные S-параметры.

Сообщение отредактировал RFMAN - Oct 8 2007, 09:53
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Zeek
сообщение Oct 11 2007, 17:54
Сообщение #2





Группа: Новичок
Сообщений: 12
Регистрация: 22-02-06
Пользователь №: 14 582



Поскольку опыта разработки мощных усилителей нет, могу только предположить, что транзисторы подобного рода используются не только в усилителях класса AB, B и С, но и в А-класса. Параметры рассеяния, измеренные в малосигнальном режиме, обладают несомненной ценностью при работе транзистора ниже точки компрессии, и теряют свою актуальность при приближении к ней. Этот факт проверен и изучен. При моделировании нелинейностей с некоторой степенью достоверности и сходимости результатов можно пользоваться SPICE-моделями, приводимыми производителями. Существуют еще модели нелинейных S-параметров, но они просто так на дороге не валяются и очень дорого стоят из-за своей сложности.

Вот, например ссылка на новое поколение SPICE-моделей: http://designers-guide.org/

Сообщение отредактировал Zeek - Oct 11 2007, 17:56
Go to the top of the page
 
+Quote Post
RFMAN
сообщение Oct 12 2007, 12:49
Сообщение #3


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 62
Регистрация: 29-08-07
Пользователь №: 30 123



Не, эти транзисторы специально для нелинейного режима, в даташите пишут - "сделан для класса АВ", и все энергетические характеристики - мощность, КПД - даны для малого тока покоя (в 5-10 раз меньше, чем ток при раскачке в классе АВ).
Я тут подумал, может по этим S-параметрам можно устойчивость транзистора определять... Вроде, если в линейном режиме устойчив, значит - в нелинейном тем более, т.к. коэффициент передачи в нелинейном режиме ниже.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
obormot
сообщение Oct 12 2007, 13:59
Сообщение #4


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 90
Регистрация: 10-10-07
Из: Беларусь
Пользователь №: 31 234



Сам столкнулся с такой же проблемой. Необходимо сделать усилитель который будет работать с отсечкой на 10 Вт, частота 2,4 ГГц. Сейчас вожусь с макетом. Опыта в проектировании подобных вещей практически нет. Пока приходится делать самотыком, на настройку уходит кучу времени и результат в итоге все равно далек от приемлемого. Из информации в сети пока нашел только вот это, там правда для класса А, но кое-что полезное для себя оттуда я почерпнул.
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  EDA_Expert_9_54_61_1_.pdf ( 678.26 килобайт ) Кол-во скачиваний: 106
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
RFMAN
сообщение Oct 15 2007, 12:43
Сообщение #5


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 62
Регистрация: 29-08-07
Пользователь №: 30 123



2 Obormot
Для начала скачайте лучше application notes от Freescale, NXP, Polyfet. А класс А - это легкая задача, все малосигнальными S-параметрами можно описать.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 16:57
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01347 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016