Вопрос к знатокам мощных тиристоров, Вопрос по теории Опции

[Make_Pic]

Вопрос к знатокам мощных тиристоров - как то связано значение резистора подключаемого параллельно катод - гейт с переносимостью тиристором импульсной подводимой энергии dV/dt и dI/dt? Есть где нибудь об этом почитать?

Сообщение отредактировал Alexandr - May 4 2008, 07:25

[alexkok]

Вопрос к знатокам мощных тиристоров - как то связано значение резистора подключаемого параллельно катод - гейт с переносимостью тиристором импульсной подводимой энергии dV/dt и dI/dt? Есть где нибудь об этом почитать?

Конечно, ведь для тиристора пролаз через емкость анод - гейт это открывающий ток.
Резистор этот пролаз шунтирует.

[Make_Pic]

Конечно, ведь для тиристора пролаз через емкость анод - гейт это открывающий ток.
Резистор этот пролаз шунтирует.

Как то можно его расчитать?

[alexkok]

Как то можно его расчитать?

Я с тиристорами работал мало и давно и могу ошибиться, но примерно так:
1. Напряжение открывания где-то 1.5В
2. Ток через емкость анод - гейт считается
Ток = емкость * dV/dt
т.е. надо обеспечить напряжение на гейте меньше (с запасом на температуру и прочее).
Для КУ202 резистор был 68 Ом вроде.

Сообщение отредактировал alexkok - May 3 2008, 06:20

[evgeny_ch]

Вопрос к знатокам мощных тиристоров - как то связано значение резистора подключаемого параллельно катод - гейт с переносимостью тиристором импульсной подводимой энергии dV/dt и dI/dt? Есть где нибудь об этом почитать?

http://www.dectel.ru/publicat/10rul.shtml
http://www.nxp.com/acrobat_download/applic...OLDEN_RULES.pdf
http://www.nxp.com/acrobat_download/applic...tes/APPCHP6.pdf
ПМСМ, мощные тиристоры разных производителей имеют свои приколы.
Three-quadrant triacs.

Сообщение отредактировал evgeny_ch - May 3 2008, 07:28

[GeorgyBey]

Конечно, ведь для тиристора пролаз через емкость анод - гейт это открывающий ток.
Резистор этот пролаз шунтирует.

А никак этот резистор не связан с упомянутыми параметрами
Эти параметры чисто "конструктивные" - прежде всего РАЗМЕР и геометрия кристалла, плюс технология изготовления p-n переходов, отвечающая за время и характер распространения в кристалле "волны" включения (dI/dT), емкости p-n переходов пропускающие паразитный ток включения от dV/dT. Если шунтирующий резистор влияет на dV/dT, то этот параметр будет указан ДЛЯ конкретного значения резистора ("не более ...")

[rezident]

Three-quadrant triacs.

Все эти трехквадрантные и снабберлесс триаки не панацея. Они рассчитаны на работу в сетях с нормированным уровнем помех до 4500В/мкс по-моему. Несмотря на вроде бы как большое значение критической скорости нарастания напряжения, в отечественных электрических сетях можно встретить еще и не такой ужас

Эти параметры чисто "конструктивные" - прежде всего РАЗМЕР и геометрия кристалла, плюс технология изготовления p-n переходов, отвечающая за время и характер распространения в кристалле "волны" включения (dI/dT), емкости p-n переходов пропускающие паразитный ток включения от dV/dT.

Угу. Последствия превышения dI/dt иногда можно наблюдать визуально (если вскрыть корпус неисправного тиристора) в виде так называемого "шнурового" пробоя. Шнуровой пробой вызывается тем, что за счет большой площади кристалла у мощных тиристоров при критических значениях dI/dt ток просто не успевает "растечься" по всему объему кристалла. Получается тепловой пробой с выгоранием/испарением части кристалла, который выглядит визуально как шнурок, упавший на кристалл. Отсюда и название.