Моделирование питания микросхем (die wirebonding), Как правильно это сделать, и какие емкости ставят в PDS чипа микросхем Опции

[tAmega]

Вопрос в следующем. Попытался промоделировать по честному драйвер в bga корпусе. Для драйвера взята его IBIS модель, а питание через примерную твердотельную модель.
Вопрос вот какой. Balls у BGA чипа подсоединены к внутренним планам питания с которых затем на верхний слой выводятся шины питания. И затем с шин питания
через проволочки питание подается на сам кристалл. Это вроде бы понятно. Но сами проводки обладают довольно большими сопротивлением и индуктивностью.
Моделирование wirebond дает довольно значения индуктивности 0.8nH и сопротивления в районе 0.1 ohm. Драйвер IBIS при таких значениях и токе потребления 50ma
просто захлебывается. Вопрос. Чтобы все работало на самом чипе должна быть своя сеть конденсаторов. Какие номиналы примерно в расчете на один драйвер ставят на кристалле.
И если я где то серьезно ошибаюсь, прошу подсказать, как именно лучше моделировать питание чипа.

Сообщение отредактировал tAmega - Apr 30 2009, 11:00

[SM]

Вопрос. Чтобы все работало на самом чипе должна быть своя сеть конденсаторов.

Ну есть она там... Между n-карманом (подложкой p-канальных транзюков), который везде, где только можно, подключен к питанию, и собственно подложкой кристалла, которая точно так же везде на земле. Площадь такого кондера можно приблизительно оценить как 3/5...2/3 площади кристалла. Емкость - она нелинейная, описывается моделью обратновключенного диода n-well/substrate. За этой моделью надо залезть в комплект спайсов от той технологии, по которой сделан чип. Ну, соответственно, еще и последовательно ему есть резистор, сделанный из тучи параллельных контактов от металла к подложке, и распределенным сопротивлением n-well-а и подложки. В общем умоделируешься там.

ЗЫ. Если есть топология, то есть бэк-энд делали Вы, то задача сильно упрощается, благо можно экстрагировать этого мега-диода совершенно точно.
ЗЗЫ. Кстати кондер этот паразитный, случай полезного паразита . Случаев установки специальных отдельно взятых кондеров на питание мне пока что неизвестно... Хотя возможности для этого в принципе есть, особенно в технологиях с MIM и тучей слоев металлизаций. А то ведь кондер - это аццкое расточительство - например PIP в технологии, с которой я дело имею, дает 1 фемтофарад на 1 квадратный микрон... Еще емкость затвор-канал, она посолиднее... Но тоже не фонтан и сильно нелинейна.