Генерация временной задержки, (задержка включения MOSFETа) Опции

[НЕХ]

Попался в руки блок питания на 1300 ватт, резонансный полумост на 4 транзисторах, 2 в параллель. На холостом ходу 320 кГц, на полной нагрузке - 120 кГц. Драйвера выполнены в формате микросборки с применением бескорпусных чипов, залитых компаундом, с огромными кристаллами. Видимо, в Китае кремниевые фабрики готовы на любую халтуру - регулировка модулей приводила к напайке резисторов 0805 в 3 этажа. Эти акробатические усилия, похоже, недостаточны - горят БП синим пламенем.
Модуль состоит из генератора, двух трансформаторов и двух оконечных драйверов MOSFET. Трансформаторы передают энергию питания и моменты переключения. Задержка включения 500 нс, выключение - максимально быстро. Питание : 10-15 вольт.
На чём можно изящно решить задачу задержки фронта ?

Сообщение отредактировал НЕХ - Oct 10 2010, 12:29

[НЕХ]

В предыдущих версиях драйвера задержка обеспечивалась 40106 - 6 инверторов с последовательными резисторами по входам.

Эскизы прикрепленных изображений

 

[IVX]

это не серийные, а видать пробные сэмплы, раз в три этажа параллелят, кстати, не понял причём тут кремниевые фабрики, когда на фото ручной смд монтаж?? Задержать можно и просто используя входную логику мосфет драйвера, добавив 20-50пф на вход, заряжая медленно, через рез, разряжая быстро, через 1n4148 - каммон практис, как грится.

[НЕХ]

По моему разумению, чипы несовершенные, несмотря на размер.
Выкинуть всё - поставить свежую irs27951s !
Ради искусства - как выдержать 500 нс при колебании питании 10 - 15 вольт и температуры ?

[IVX]

ради искусства можно и LC задержки поставить, правда такое искусство попахивает паранойей, чего бы вдруг не стабилизировать-то эти самые 10-15в на 10в? Подозреваю, что вам и не нужны эти 500нс столь точно, это же только дед тайм для мосфетов, а у них самих всё с температурой плывёт неслабо, вообще рассмотрите возможность ассиметрии заряд/разряд гейта, возможно этого будет достаточно без всяких дополнительных дедтаймов, ведь у вас "резонансный" SMPS, там быстро переключать незачем.

Сообщение отредактировал IVX - Oct 12 2010, 08:37

[НЕХ]

Выключать MOSFET нужно максимально быстро - а ёмкость затворов превышает 10000 пФ.
Оконечный драйвер можно оставить в покое - дело ясное, опыт-понимание есть.

А можно ли организовать такую логику : подавать напряжение на затвор только после прихода напряжения на стоке в ноль ?
Это время разнИца на холостом ходу и полной нагрузке из-за шунтирования сток-исток 1000 пФ и выходной ёмкости MOSFETов.

[НЕХ]

Что может служить причиной редких, но катастрофических разрушений резонансных преобразователей ?
Выход из режима ZVS ?

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Integrator1983]

Скорее всего да.

[НЕХ]

Из найденного по этой тематике лучшее - AN2644 от ST

Но проблема с отказами не решена, хотя блок питания для ответственных применений...

Сообщение отредактировал НЕХ - Oct 14 2010, 11:59

Прикрепленные файлы

 AN2644_RESONANT_BEST.pdf ( 1.28 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 1837

 

[Serg SP]

Частенько ремонтирую ЗУ по топологии полный резонансный мост, характерная неисправность - пробой по стойке транзисторов, причём, если в одном плече стоят параллельно несколько ключей - никогда не сгорают все. Хорошо, если защита по току (на трансформаторе тока) успевает увидеть, что в противоположном плече сгорел ключ и прекратить генерацию. Если не успевает - пробой по стойке. Среднее время жизни такого ЗУ до первого попадания в ремонт 2 года.

[НЕХ]

Вот, такая же песня...
Датчик тока, в моём случае, лишь способен поднять частоту.
Напряжение на резонансной ёмкости не контролируется.
Пока грешу на soft start.

[Integrator1983]

Посмотрите поведение затвора, напряжение и ток каналов на холостом ходу при частоте, соответствующей максимальной нагрузке (имитируйте резкий сброс нагрузки). Напряжение на ключи подайте от лабораторного источника или от ЛАТРа.

[НЕХ]

От нагрева L & C может возрастать резонансная частота ?
От резкого возрастания амплитуды в резонансном контуре сможет помочь пара диодов ?

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Integrator1983]

"От резкого возрастания амплитуды в резонансном контуре сможет помочь пара диодов ? " - в квазике - да, в резонанснике - надо аккуратно считать и моделировать, можно легко убить схему.

[НЕХ]

Ремонтирую дистанционно - на руках только драйвер...
А диоды оказались штатно установленными.

[НЕХ]

Решил, что панацеей от разлетающихся осколков корпусов транзисторов, будет слежение не только за амплитудой колебаний в контуре, получаемых с трансформатора тока, но и фазой. Синхронный детектор удержит индуктивный характер нагрузки полумоста.

[НЕХ]

Свеженькое по теме
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter

Прикрепленные файлы

 AN_9067.pdf ( 1.45 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 600

 

[wave48]

На чём можно изящно решить задачу задержки фронта ?

Винтовка Дегтярева плюс джигит. В чём промблемма?

[НЕХ]

Никаких проблем - задержка, в том виде, как была, не нужна и, более того, вредна.
Слишком большое dead time приводит к бОльшим токам при выключении или к жесткому переключению (если прозевать момент смены направления тока).
Необходима адаптивная задержка, следящяя за напряжением на стоке.

[НЕХ]

Причина выхода из строя на малой нагрузке кроется в медленном внутреннем диоде и постоянном слепом dead-time.
Вредные заряды не рассасываются из него даже если на затвор подано напряжение !
Когда течёт через канал приличный ток, на сток-исток появляется напряжение и рассасывание носителей происходит быстрее, так как на внутреннем диоде уже обратное напряжение.

Прикрепленные файлы

 APT9804.pdf ( 507.43 килобайт ) Кол-во скачиваний: 376

 

[НЕХ]

перевод статьи попался - придётся ставить MOSFET с быстрым внутренним диодом, благо сегодня их выбор богат.

Адаптивный алгоритм мёртвого времени обнаружился лишь у TEA1713 - следят за производной напряжения на силовом ключе.

Не попадались ли Вам альтернативные решения ?

Прикрепленные файлы

 __________MOSFET_2006_04.pdf ( 450.32 килобайт ) Кол-во скачиваний: 2972
 TEA1713__AN10881.pdf ( 1.42 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 445

 

[Integrator1983]

LTC3722-1/2, UCC2895/UCC3895, UCC28950. Внешними цепями организовывается в UC2875/UC3875. Также можно применить DSP и толкового программиста. Первая регулирует DeadTime прямо по напряжению сток-исток, остальные - косвенно - по току моста. Если вставить DSP - как пожелаете.


http://www.intersil.com/data/an/an9506.pdf - обратите внимание на Figure 17.

[НЕХ]

А не доводилось ли Вам встречать такое бюджетное решение проблем в ZVS мостах :
параллельно внутреннему паразитному диоду устанавливается маленький, МЕДЛЕННЫЙ (стандартный) диодик ?
При прохождении возвратного тока заряд накапливается в обоих - внутреннем MOSFET и этом дополнительном, а при закрытии транзистора дополнительный диод ограничил бы скорость роста напряжения на стоке ниже регламентированной производителем транзистора.

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 11 2010, 09:19

[Integrator1983]

Идея не очень понятна - накопить дополнительный заряд в медленном диоде, чтобы потом его рассасывать? (хотя неочевидно, что заряд будет распределяться между внутренним и внешним диодами - скорее всего, в насыщении будет один из них). Если нужно ограничить скорость - поставьте емкость С-И или поиграйтесь цепями затвора.

http://de.sitestat.com/infineon/infineon/s...112b40ac9a40688
- стр. 9 - 12

[НЕХ]

ёмкость С-И стоит.
задача не допустить развития вторичного пробоя полевика при рассасывании зарядов body-diode (которые почти никуда не деваются при малом напряжении С-И, оказавшись там после переключения ZVS)
CoolMOS(как представитель SuperJunction MOSFET), кстати, несмотря на медленный внутренний диод и большой заряд в нём, не страдают проблемой dV/dt reverse recovery.
(Имя проблемы - The activation of the parasitic bipolar transistor during reverse recovery of the internal diode of a power MOSFET used as a fly-back diode in a half-bridge )

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 11 2010, 10:59

[Integrator1983]

Емкость С-И, затягивая du/dt, позволяет мягко восстановиться оппозитному диоду в момент ZVS - ток восстановления, при том же интегральном значении, "размазан" во времени, критической плотности тока, необходимой для развития вторичного пробоя, не достигается - соответственно, вторичный пробой не происходит.

CoolMOS(как представитель SuperJunction MOSFET), кстати, несмотря на медленный внутренний диод и большой заряд в нём, не страдают проблемой dV/dt reverse recovery.

На мой взгляд, еще и как страдают! Берем SPW17N80C3 - громадный заряд восстановления (15uC) + канал 0,25 Ом - и видим описанную выше картину. Во всяком случае, мне другого объяснения отказов этих транзисторов в мостовой схеме найти не удалось (пиковый ток в ключе при номинальной нагрузке - 11 А, нагрузка - порядка 60 % от номинала, отказ - при работе от 20 сек до 2 мин в зависимости от партии ключей (партия с лазерной маркировкой вылетала быстро, маркированные краской - работали дольше). При этом, выхода из резонанса не наблюдалось, на полной нагрузке (быстро проскочив указанный диапазон нагрузок) - нормально работали, скорости du/dt не превышались, в корректоре рядом эти же ключи работали при пиковом токе токе, большем в 1,6 раза и более высоких скоростях открытия/закрытия - и прекрасно себя чувствовали).

[НЕХ]

Так почему же горят ?
в статье на русском языке хвалятся, что отказы будут редки...

А тут Infineon призывает ставить новые С6 вместо CFD (с быстрым диодом) в резонансники
http://www.infineon.com/dgdl/Mastering+the...127903d130171e1

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 13 2010, 10:49

Прикрепленные файлы

 CoolMOS______________.PDF ( 304.43 килобайт ) Кол-во скачиваний: 341

 

[Integrator1983]

Так поэтому, если я правильно понимаю, и горят - большой заряд диода не восстанавливается на маленьком сопротивлении канала - включение оппозитного ключа происходит при насыщенном диоде -сквозной ток - плотность тока превышает критическую - вторичный пробой - меняй ключи.

После замены на SPW17N80C3 на IXFH23N80Q (с большим в 2 раза сопротивлением канала и меньшим в 15 раз зарядом восстановления диода) - как бабка пошептала.

А CoolMOS C6 весчь конечно хорошая, но на базаре его не купишь. А если из-за границы везти - то IXYS или APT мне больше нравятся. Кроме того, С6 на 800 В нету...

[НЕХ]

Получается, что кратковременно, CoolMOS выдерживают жесткую коммутацию диода с огромным dI/dt при выходе из ZVS режима, а при продолжительной работе на холостом ходу из-за вкусившего тока внутреннего диода обречены.

не сравнивали транзисторы CoolMOS Infineon c разными MESH от ST ? Есть ли различие в характеристиках от разницы в технологиях ?

[НЕХ]

IXYS производит полевики с сочетанием малого заряда в body-diode (1 мкQ) и, в тоже время, низкой скоростью восстановления dV/dt (5 V/ns).
Получается, заряд важнее скорости ?

[Integrator1983]

Получается, заряд важнее скорости ?

Получается, что для резонансной схемы - да. Скорость 5V/ns - достаточная для многих применений, кроме того, скорость нарастания легко контролировать. Также есть ключи Ixys со скоростями 15-20 V/ns.

Получается, что кратковременно, CoolMOS выдерживают жесткую коммутацию диода с огромным dI/dt при выходе из ZVS режима, а при продолжительной работе на холостом ходу из-за вкусившего тока внутреннего диода обречены.

Так выхода из режима ZVS, строго говоря, нет. Переключение КАНАЛА происходит при 0 напряжения (но не тока). Как раз на холостом ходу режим ZVS отсутствует, но ключи не горят - канал просто разряжает на себя емкость СИ (виден бросок тока в канале при открытии ключа) - но в контуре реактивности для обеспечения протекания тока через возвратный диод не хватает - диод не насыщается. На большой мощности реактивности много, диод насыщается хорошо - но и рассасывается хорошо падением напряжения на канале ключа. Но в определенном диапазоне нагрузок диод насыщается достаточно сильно, а рассасывается неполностью - вот тут и можно наблюдать "подскваживание" тока. При этом структура уже разогрета (не ХХ, ток приличный), дополнительный токовый удар вызывает вторичный пробой. Этот диапазон нагрузок определяется соотношением напряжения на канале и заряда восстановления диода как функции прямого тока через диод. Также, возможно, играет роль скорость восстановления диода (точнее, плотность тока при восстановлении). Авторы статьи APT столкнулись с эффектом в диапазоне нагрузок порядка 25%, я - 60% от номинала. Также в эту теорию вписывается то, что у меня ключи работали некоторое время, различное от партии - видно, кристалл добирал температуру. Это - мои личные предположения, как я понимаю механизм отказов.

не сравнивали транзисторы CoolMOS Infineon c разными MESH от ST ? Есть ли различие в характеристиках от разницы в технологиях ?

Не знаю. С ST работал года 2 назад, стояли в ККМ и резонансном мосте нормально - но там был дикий запас по мощности (токовая загрузка - процентов 40-50 на полной нагрузке, боролись за тепло на сопротивлении канала). Но судя по документации, для сопоставимых ключей у ST параметры хуже, чем у Infineon.

[НЕХ]

IXYS нервно курит в сторонке - у многих 40 - 50 V/ns
скорость восстановления сравнялась со скоростью выключения канала.
FDH45N50F, например.

ST тоже на уровне и дешевле конкурентов.

Про выход из режима ZVS - имел в виду емкостный характер нагрузки в переходных режимах с настоящим запиранием диода оппозитного ключа.

вижу 2 способа фиксации проблемы с помощью драйвера :
1)открывать транзистор сразу, как напряжение на стоке упало почти до напряжения истока (а ля синхронный выпрямитель IR11672) - так уменьшится время протекания тока через диод и возрастёт время на рассасывание вредных зарядов
2)пусть ток течёт через диод, подождём смену его направления, рассасывается пусть в своё удовольствие. И когда напряжение на стоке начнёт немного расти - подам напряжение на затвор.

Если на стоке стало вольт 5 можно ли говорить, что все носители разбежались ?

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 13 2010, 19:17

[Integrator1983]

FDH45N50F - приличный ключик. Только пока купить его где не нашел.

ST - не знаю, ключей с приличными диодами у них не помню.

вижу 2 способа фиксации проблемы с помощью драйвера :
1)открывать транзистор сразу, как напряжение на стоке упало почти до напряжения истока (а ля синхронный выпрямитель IR11672) - так уменьшится время протекания тока через диод и возрастёт время на рассасывание вредных зарядов
2)пусть ток течёт через диод, подождём смену его направления, рассасывается пусть в своё удовольствие. И когда напряжение на стоке начнёт немного расти - подам напряжение на затвор.

1 способ (не допускать насыщения диода, фиксируя его каналом) - правильный и рабочий, сам проверял. 2 - теоретически правильный, но я его не использовал.

Если на стоке стало вольт 5 можно ли говорить, что все носители разбежались ?

- наверное, да.

[НЕХ]

Познал ответ на вопрос - почему дохнут транзисторы !!!

оставим dV/dt впокое - оно никак не превышает 5 V/ns.

В первой статье упоминалось, что рассасывание ускоряется, если на затвор подать 3 вольта - напряжение ниже порога включения.
Похоже, что вредоносные заряды, образовавшиеся при открытии внутреннего диода, смещают подложку так, что напряжение затвор-подложка превышает пороговое.
И это же происходит, когда на затворе 0 !
Ток продолжает течь - транзистор в аналоговом (не ключевом) режиме. Хвост тока, как "tail current IGBT" !!!
Это приводит не только к динамическим потерям при переключении, но и к опасности возбуждения, если транзисторы стоят параллельно !

И никакими резисторами в затворе проблему не решить ! А в аляCoolMOS устройствах резистор не влияет уже на скорость переключения - нет помощи Миллера, так как емкость сток-исток исчезающе мала при наприжении на стоке, больших 100 вольт.
со скорость dV/dt производители мухлюют - приводят её при напряжении, больших 100 вольт !

Торжествую !

ST stw30nm60nd, например. или http://catalog.compel.ru/vt_mosfet/info/ST...60ND%20%28ST%29 с ценой.


Запараллеленные MOSFET горят чаще ?

Если гипотеза верна, то подача отрицательного напряжения на затвор решит проблему.

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 14 2010, 14:02

[НЕХ]

нашел документальное подтверждение
ток через body-diode тоже 3 Ампера
но называют "reverse recovery", связывают с открытием биполярного паразитного транзистора.
судя по пульсациям тока - он ещё и генерить пытается.
возможно, что отрицательное напряжение не поможет - цепь затвора непричём...

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 15 2010, 07:48

Эскизы прикрепленных изображений

 

[dmitrp]

Давно так делаем. Уже наверное лет 10. И генераторов выпущено больше сотни. Последовательный резонансный мостовой или полумостовой инвертор до 100кВт на IXFN50N80Q2. Высоковольтная часть драйвера обеспечивает включение транзистора при напряжении сток-исток меньше порогового (например 10В) Автоматически выбирается т.о. мертвое время. Если это время выходит за разрешенный диапазон, то срабатывает защита. После включения транзистора начинает действовать защита по падению напряжения на транзисторе. Работает инвертор на частоте выше резонанса (т.е. с индуктивной расстройкой). Регулирование частотное. Так делать и всем советую.

[НЕХ]

IR2520 - резонансный балласт - подбирает частоту так, что включение затвора дожидается, когда на стоке будет вольта 4 после протекания тока через внутренний диод мосфета и его закрывания.


Стереотип "рассасывание зарядов" обычно связан с малым напряжением на закрываемом диоде.
Но в нашем катастрофическом случае это больше похоже на лавинный пробой.
Неблагополучные, случайно уцелевшие после прохождения тока через диод, заряды покидают чрево полевика, порождая avalanche.
Транзистор горячий, напряженность поля велика = сток-исток уже 400 вольт.

А осциллографом видна "правильная" коммутация напряжения - ток мы не видим !

Влияет ли отрицательное напряжение на затворе на параметры лавинного пробоя полевика ?
В силовых ключах имеет место "back-gate effect" ?


(картинки из работы "Investigation of MOSFET failure in soft-switching conditions" Iannuzzo)
1. mosfet after the normal commutation, an instability characterized by a burst of high-frequency oscillations

2.current tail after the turn-off of the device power dissipation of about 50W at 100KHz (это мощность только паразитного рассасывания)

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 15 2010, 10:12

Эскизы прикрепленных изображений

 

[НЕХ]

to dmitrp

Давно так делаем. Уже наверное лет 10

пара вопросиков...
1) как происходит старт инвертора - ведь на обоих ключах может быть напряжение сток-исток больше порога ?
2) подача напряжения на затвор сразу после прихода напряжения на стоке в 0 может и не помочь спасти ключ, если U=I*R превысит 1/2 вольта из-за большого сопротивления ключа/слишком большого тока. Внутренний диод откроется. А быстрое срабатывание защиты (особенно если она организована внешней цепью с некоторой задержкой и может произойти несвоевременно - заряд body diode не рассасался и пришла команда закрывать ключ) может только усугубить ситуацию - лучше дождаться резонансного уменьшения тока, потянуть время - большое (но не 400 вольт !) напряжение облегчит удаление зарядов. А как происходит "удаление зарядов" при полном напряжении на стоке мы хорошо видим - с фейерверком, с огоньком и шумовыми эффектами.

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 15 2010, 10:27

[dmitrp]

to dmitrp


пара вопросиков...
1) как происходит старт инвертора - ведь на обоих ключах может быть напряжение сток-исток больше порога ?
2) подача напряжения на затвор сразу после прихода напряжения на стоке в 0 может и не помочь спасти ключ, если U=I*R превысит 1/2 вольта из-за большого сопротивления ключа/слишком большого тока. Внутренний диод откроется. А быстрое срабатывание защиты (особенно если она организована внешней цепью с некоторой задержкой и может произойти несвоевременно - заряд body diode не рассасался и пришла команда закрывать ключ) может только усугубить ситуацию - лучше дождаться резонансного уменьшения тока, потянуть время - большое (но не 400 вольт !) напряжение облегчит удаление зарядов. А как происходит "удаление зарядов" при полном напряжении на стоке мы хорошо видим - с фейерверком, с огоньком и шумовыми эффектами.

1) На первом импульсе первом драйвере импульс проходит независимо от напряжения сток исток. Рабртает только защита по падению напряжения на включенном транзисторе.
2) В резонансном инверторе напряжения на частоте выше резонанса напряжение на транзисторе спадает до нуля ( разряжается емкость сток -истока), а затем ток начинает течь через обратный диод (ток близок к синусойде). Фактически импульс подается в момент протекания тока через обратный диод. Режим ZVS при включении. Ну и гарантированно закрыт другой ключ в плече. На нем уже все напряжение Ud. Используем мы MOSFET. У них хвоста нет. На IGBT может конечно остаться некоторый хвост, но как показали наши испытания - это все не критично. Просто запас большой по IGBT надо брать, если ты хочешь их использовать на частоты под 100кГц

[НЕХ]

Используем мы MOSFET. У них хвоста нет

я же привёл картинки - есть хвост у MOSFET, если был ток через внутренний диод !
и он может привести к открытию паразитного биполярного транзистора - тогда ключу пламенный привет.

гарантированно закрыт другой ключ в плече

а потом, через микросекунду, сам собой открывается - посмотрите картинку с последней прижизненной осциллограммой.

[Alekseeey]

а потом, через микросекунду, сам собой открывается - посмотрите картинку с последней прижизненной осциллограммой.

Прошу прощения, что встрял.
Понимаю, что "Слышал звон, но не знаю, где он", но уж больно случай похожий описан:
http://www.power-e.ru/360.php

[dmitrp]

я же привёл картинки - есть хвост у MOSFET, если был ток через внутренний диод !
и он может привести к открытию паразитного биполярного транзистора - тогда ключу пламенный привет.


а потом, через микросекунду, сам собой открывается - посмотрите картинку с последней прижизненной осциллограммой.

При двуполярном упровлении таких проблем не наблюдал. Это видимо при однополярном управлении. Там может прыгнуть напряжение на затворе. А тут ему прыгать некуда.

[НЕХ]

ошибаетесь, если в dead-time на затворах по нулям у всех транзисторов.

на затворе ничего не прыгает ! нет dV/dt !
А вот прыгает ли под затвором ?

сейчас не уверен, что отрицательное напряжение меняет картину...надо перестать писать-читать и смотреть самому в осциллограф.

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 16 2010, 11:07

[dmitrp]

ошибаетесь, если в dead-time на затворах по нулям у всех транзисторов.

на затворе ничего не прыгает ! нет dV/dt !
А вот прыгает ли под затвором ?

сейчас не уверен, что отрицательное напряжение меняет картину...надо перестать писать-читать и смотреть самому в осциллограф.

Что значит по нулям, у нас по минусу.
Что значит под затвором?
Мы используем IXFN50N80Q2. У них диод быстрый, может вообще дополнительный.
При работе в режиме больших dU/dt 5-10 B/нс и выше есть подскоки напряжения на затворе в момент выключения. При включении естественно такой проблемы нет. Там начинает включаться не структура, а обратный диод, а затем уже структура транзистора.

[НЕХ]

под затвором - канал и "back-gate effect"

у IXYS быстрый внутренний паразитный, но хуже настоящего быстрого на порядок. Дополнительных не бывает.

Вам с быстрыми полевиками нас с простыми и дешевыми не понять - печально знаменитые эффекты ослаблены...

[НЕХ]

продолжаю копать под затвором
нашёл !
"third quadrant effect"

Прикрепленные файлы

 US20080094124.pdf ( 67.07 килобайт ) Кол-во скачиваний: 637

 

[dmitrp]

продолжаю копать под затвором
нашёл !
"third quadrant effect"

Надо просто приборы использовать современные. А не 20 лет назад разработанные.

[НЕХ]

Ошибаетесь - эффекту подвержены все полевики, в той или иной степени...
Dynamic avalance breakdown
лавинный пробой при восстановлении диода

[dmitrp]

Ошибаетесь - эффекту подвержены все полевики, в той или иной степени...
Dynamic avalance breakdown
лавинный пробой при восстановлении диода

Это если к диоду прикладывается обратное напряжение, а если нет (как в резонансном преобразователе), то и пробоя нет.
Ну а для диплома можно и поисследовать такие процессы.

[НЕХ]

Удивляете меня - когда на стоке + это уже обратное напряжение на внутреннем диоде.

для полевика, оказывается, гораздо менее опасно жесткое закрытие паразитного диода, чем тот эффект, от которого они дохнут на малой нагрузке.
К моменту выключения транзистора вредных носителей осталось мало от того времени, когда тёк ток через внутренний диод, но ведут себя героически, потому что велико напряжение сток исток. Они разгонятся, размножатся, порадив лавину. И произойдёт это при напряжении, меньшем статического лавинного пробоя. А потом транзистор умирает от вторичного теплого пробоя.
Но выход есть !

[dmitrp]

Удивляете меня - когда на стоке + это уже обратное напряжение на внутреннем диоде.

для полевика, оказывается, гораздо менее опасно жесткое закрытие паразитного диода, чем тот эффект, от которого они дохнут на малой нагрузке.
К моменту выключения транзистора вредных носителей осталось мало от того времени, когда тёк ток через внутренний диод, но ведут себя героически, потому что велико напряжение сток исток. Они разгонятся, размножатся, порадив лавину. И произойдёт это при напряжении, меньшем статического лавинного пробоя. А потом транзистор умирает от вторичного теплого пробоя.
Но выход есть !

Вы мне такой режим найдите в резонансном инверторе напряжения на частоте выше резонанса с режимом ZVS при включении транзистора.
Про коммутацию транзисторов я кое что знаю. Не зря защищал диссер с темой
Исследование и оптимизация коммутационных процессов в транзисторных преобразователях для электротехнологии.
Это правда был 1998 год.

[НЕХ]

режим штатный, постоянный ZVS !
и проблема рассасывания диода никуда не пропала - так как ток через внутренний диод шёл ток вначале цикла !!!
подача напряжения на затвор ничего не меняет - рассасывать заряд, накопленный диодом, обязательно придётся.
это главная причина того, что горят полевики и их драйверы впридачу в резонансных инверторах и электронных балластах.
рассасывание происходит при закрывании, а не при открывании оппозитного транзистора. Что бы сгорел mosfet не нужен даже открытым второй транзистор - достаточно его диода, которым фиксируется напряжение на стоке.
медленный рост напряжения на стоке - порядка половины напряжения питания за 500 нс - спасёт от преждевременного лавинного пробоя. Но так никто не делает - жалко нагревать снабберы, либо обеспечить это условие можно лишь на малой нагрузке.
Важна не скорость dV/dt (скорость приводит к другим проблемам), а время от момента протекания тока через body diode до появления высокого напряжения на стоке. Зазевавшиеся носители, неуспевшие рекомбинировать и благополучно удалиться при малом напряжении на стоке, ведут себя как камикадзе. Они оказались не в том месте и не в то время - им надо пройти слишком долгий путь, а значит, велика вероятность развития лавины при такой напряженности поля. Поэтому жесткое закрытие диода проходит легче: носители подбираются поближе к выходу (CoolMOS, пишут, 3000 А/мкс выдерживают) и лавин не происходит. Лавина - ударная ионизация, разогрев, шнурование тока и тютю. И это происходит на детских режимах...
перечитайте http://electronix.ru/forum/index.php?s=&am...st&p=834403

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 21 2010, 13:15

[dmitrp]

режим штатный, постоянный ZVS !
и проблема рассасывания диода никуда не пропала - так как ток через внутренний диод шёл ток вначале цикла !!!
подача напряжения на затвор ничего не меняет - рассасывать заряд, накопленный диодом, обязательно придётся.
это главная причина того, что горят полевики и их драйверы впридачу в резонансных инверторах и электронных балластах.
рассасывание происходит при закрывании, а не при открывании оппозитного транзистора. Что бы сгорел mosfet не нужен даже открытым второй транзистор - достаточно его диода, которым фиксируется напряжение на стоке.
медленный рост напряжения на стоке - порядка половины напряжения питания за 500 нс - спасёт от преждевременного лавинного пробоя. Но так никто не делает - жалко нагревать снабберы, либо обеспечить это условие можно лишь на малой нагрузке.
Важна не скорость dV/dt (скорость приводит к другим проблемам), а время от момента протекания тока через body diode до появления высокого напряжения на стоке. Зазевавшиеся носители, неуспевшие рекомбинировать и благополучно удалиться при малом напряжении на стоке, ведут себя как камикадзе. Они оказались не в том месте и не в то время - им надо пройти слишком долгий путь, а значит, велика вероятность развития лавины при такой напряженности поля. Поэтому жесткое закрытие диода проходит легче: носители подбираются поближе к выходу (CoolMOS, пишут, 3000 А/мкс выдерживают) и лавин не происходит. Лавина - ударная ионизация, разогрев, шнурование тока и тютю. И это происходит на детских режимах...
перечитайте http://electronix.ru/forum/index.php?s=&am...st&p=834403

Статью почитал. Ничего общего с резонансным инвертором напряжения не узрел. Стадиии 6 в резонансном инверторе напряжения не бывает вообще.

[НЕХ]

Склонен предположить, что дохнут только транзисторы, закрывание которых отдано на совесть снаббера/ёмкости между стоком-истоком и тока нагрузки.
Только те, у которых при росте напряжения на стоке жестко "0"/"минус" на затворе.
Гибнут только те, у которых ток канала при закрывании отсутствует.

Жалкой участи избегнут те, чьё закрывание контролируется резистором в затворе и ёмкостью Миллера.
И, возможно, беда обойдёт стороной тех, у кого на затворе при закрывании напряжение чуть ниже порога открывания транзистора.

Приоткрытие транзистора поставляет основные носители - электроны, которые ускоряют рекомбинацию оставшихся от прохождения тока через диод дырок, предотвращая развитие лавинных процессов.
Когда напряжение чуть ниже порогового на затворе, при росте напряжения на стоке приоткроются те ячейки полевика, где скопился бОльшой заряд неосновных носителей.

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 22 2010, 17:34

[Vokchap]

Вопрос надёжности работы силового ключа, связанный с рассасыванием накопленного в обратном диоде заряда при высоких скоростях подъема напряжения на стоке может проще и правильнее сегодня решать интеллектуальными методами в управлении затвором? Т.е. в нужные моменты полностью открывать ключ для работы в третьем квадранте, исключая таким образом накопление паразитного заряда. Поднимая к тому же КПД преобразователя. При сегодняшней доступности программируемой логики и её цене вопрос в реализации управления вообще не стоит. И как работать даже с самыми "большими" затворами с высокими скоростями перезаряда тоже известно....

[НЕХ]

интеллект - слишком пафосное слово для простой мысли - ток через паразитный диод никогда не должен течь без положительного напряжения на затворе...

[Vokchap]

Я о том-же. Ток никогда не будет течь через паразитный диод при положительном напряжении на затворе и выше его порога.
К слову, интеллект уже давно перестал быть пафосом в силовой электронике, даже на малых мощностях...

[НЕХ]

Ток никогда не будет течь через паразитный диод при положительном напряжении на затворе и выше его порога.

это неправда...

[georgy31]

Пафос пафосом, а объясните мне тёмному крестьянину механику процесса. В промежутками между включениями на затворе присутствует пару вольт питания? Для включения это хорошо, меньше нужна скорость наростания, а вот не будет ли оно тормозить выключение? Ведь не зря же самы высокие динамические показатели получаются при питании управляющего драйвера именно двуполярным питанием +15-5 вольт. Или же положительное смещение появляется после полного выключения мосфета? Типа второй дэд-тайм.

Сообщение отредактировал georgy31 - Jun 2 2011, 09:23

[Vokchap]

это неправда...

Речь о полевых транзисторах? Про "синхронное" выпрямление слышали?

georgy31, речь немного о другом.

[НЕХ]

в этой теме обсуждались проблемы высоковольтных полевых транзисторов.

проблема начинаетя не при выключении транзистора. при выключении она себя лишь проявляет.

[Vokchap]

Высоковольтные полевые в третьем квадранте вообще никак не работают?

Понятно, что при выключении проблема уже себя проявляет. Бороть её там, где она начинается - в обратном диоде - можно ???

[Integrator1983]

For Vokchap:

К вопросу о работе обратного диода.

Берем первый попавшийся высоковольтный ключ - например, IXFX 38N80Q2.

ID25 = 38 A, RDS(on) = 220 mΩ, VSD (IF = IS, VGS = 0 V) = 1.5 V.

Что будет, если обратный ток канала превысит 6.8 А?

Бороть её там, где она начинается - в обратном диоде - можно ???

Не только можно, но и нужно - если нет запасного ведра для транзисторов. Ответ один - держать dU/dt, dI/dt в допустимых пределах (затвором или внешними цепями, а лучше - всем вместе).

[Vokchap]

Integrator1983,
зачем первый попавшийся, ещё и десятилетней давности. Если говорить о 800 В, то 140 мОм уже не рекорд при том же Vsd. IXFB 60N80P
500 - вольтовые с каналом менее 100 мОм уже нормальное явление. Ну и 100 вольтовые с каналом единицы мОм - тоже "высоковольтные".

Ответ один - держать dU/dt, dI/dt в допустимых пределах.

В этом нового уже ничего нет. Это рождает только ограничения на частоту, КПД и габариты.

[Integrator1983]

Вопрос не в том, сколько лет транзистору. Возьмем APT8014L2LL (2003): 140 мОм, 1,3 В на диоде. При каком обратном токе канала заработает диод? То же самое и для IXFB 60N80P (2006). А других ключей на 800 В 140 mOhm я не видел. Кроме того, некоторых может смущать их цена.
А если почитать DataSheet еще дальше и сравнить накапливаемые в диоде заряды у Ixys и APT - то и о 10 годах как-то забываешь.

По-моему, для 100 В ключей еще можно выбрать режим, в котором обратный диод никогда работать не будет. А вольт на 400 и выше - увы.

Это рождает только ограничения на частоту, КПД и габариты.

КПД и, косвенно, габариты - согласен. А частота тут причем?

[Vokchap]

А вольт на 400 и выше - увы.

Так-уж и увы? 10А обратного тока мимо диода на 800-вольтовом - сущий пустяк? Пусть не на 100% канал зашунтирует паразитный диод, накопленный в диоде заряд будет пропорционален его прямому току. Соответственно это уже другая картина. Есть некая ниша.

КПД и, косвенно, габариты - согласен. А частота тут причем?

Интеграл под кривыми больше при крутых фронтах . Частота и КПД понятия неразделимые.

ps
Я не имею ничего против идеи шунтировать диод каналом (или сформированным TMBS диодом) с напряжением на затворе ниже порогового, как предлагает автор в соседней теме. Раз это работает, значит будет определенная ниша. Всегда приходится искать компромисс между что хочется и что можно.

[Integrator1983]

Так-уж и увы?

Под УВЫ подразумевается полное исключение протекания тока через диод.

10А обратного тока мимо диода на 800-вольтовом - сущий пустяк?

Конечно же не пустяк. И КПД повыше, и заряд поменьше. Но накопление заряда в диоде будет, и обходится с ключем придется аккуратно (к чему и призывает уважаемый НЕХ).

Частота и КПД понятия неразделимые.

Вот тут не согласен. Если коммутировать один и тот же ток/напряжение с частотой 50 кГц со скоростью Х и с частотой 100 кГц со скоростью 2*Х? Как по мне, динамика будет та же.

[Vokchap]

Под УВЫ подразумевается полное исключение протекания тока через диод.

А если не полное, стало быть фтопку?

Но накопление заряда в диоде будет, и обходится с ключем придется аккуратно (к чему и призывает уважаемый НЕХ).

Будет или не будет, как много будет и при каких условиях я думаю уже понятно. С ключами нужно всегда аккуратно, возражений нет.

Вот тут не согласен. Если коммутировать один и тот же ток/напряжение с частотой 50 кГц со скоростью Х и с частотой 100 кГц со скоростью 2*Х? Как по мне, динамика будет та же.

Ну "динамика" будет в два раза выше, КПД условно такой-же (если всё линейно). Вы сами опровергли своё возражение .

[Integrator1983]

А если не полное, стало быть фтопку?

Если не полное - возникают вопросы, рассматриваемые в этой теме - то есть, вроде как режим ключа нормальный (на первый взгляд), до предельных значений токов/напряжений далеко, а ключ горит.

Ну "динамика" будет в два раза выше, КПД условно такой-же (если всё линейно).

Не понял, как это??? Потери на переключение в 1 случае в 2 раза выше, но происходят переключения в 2 раза реже. То есть, динамические потери в ключе что в 1, что во 2 случае одинаковые.

[НЕХ]

Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения !

на низкой частоте вредные дырки, возникшие при токе через паразитный диод, успеют рекомбинировать за время открытого ключа.
а на высокой - после закрытия могут спровоцировать лавинный пробой с открытием паразитного внутреннего биполярного транзистора при напряжения сток-исток меньше паспортных.
это может произойти только когда зарядов неосновных мало - при большом их количестве они сами ограничат динамику при рассасывании.

[Integrator1983]

Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения !

А режим КЗ? Длительность интервалов передачи энергии крайне мала, все остальное - свободная циркуляция, ток в диодах приличный. Плюс нагрев кристалла этим током. Если долбить ключ высокими скоростями - на любой частоте улетит (ну, разве что до единиц кГц опускаться).

при большом их количестве они сами ограничат динамику при рассасывании.

Как по мне, лучше не надеяться на заряд диода, а поставить внешнюю емкость, ограничив dU/dt.

[Vokchap]

То есть, динамические потери в ключе что в 1, что во 2 случае одинаковые.

Вот и я говорю, что КПД преобразователя не изменится. Т.е. обострение фронтов в 2 раза (которое возможно при решении вопроса лавинного пробоя), позволит условно в два раза задрать частоту при сохранении прежнего КПД преобразователя.

Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения !

Об этом и речь - решив проблему накопления заряда в диоде (или хотя-бы его величины) - задираем частоту (обостряем фронты) без ущерба для здоровья (ключа).

[Integrator1983]

Об этом и речь - решив проблему накопления заряда (или хотя-бы его величины) - задираем частоту без ущерба для здоровья (ключа).

То есть все говорят об одном и том же - только по-разному. По сути, либо не допускаем насыщения диода, либо "мягко" его рассасываем, не вгоняя в область вторичного пробоя, если все же насытился.

[Vokchap]

Стало быть договорились. Можно пойти выпить чаю .

[НЕХ]

неосновные носители - дырки - начнут появляться как только напряжение на стоке упадет до -0,5 Вольта(условно) и ниже.
поэтому 5 Ампер Х 0,1 Ома - предел безмятежности для условного транзистора.
есть надежда, что при бОльшем токе при условии сохранения полного открывающего напряжения на затворе, вред дырками нанесён не будет после закрытия транзистора.
Применение снабберов приводит к необходимости увеличивать реактивный ток, иначе самокоммутация под вопросом.
В PFC до киловатта CoolMos прекрасно трудится без их помощи. Жаль, что они жадно впитывают заряд при обратном течении тока через исток-сток.
Схемка драйвера обошлась тремя дискретными транзисторами, полумосту теперь фиксированный dead-time не нужен.

Недалек тот час, когда все эти потуги канут в лету http://catalog.compel.ru/blog/2011/03/18/c...remniya/?q=cree


попался транзистор симпатичный, MeanWell ставит в БП, Toshiba делает, вроде по лицензии Infineon.

Сообщение отредактировал НЕХ - Jun 3 2011, 08:07

[Herz]

попался транзистор симпатичный, MeanWell ставит в БП, Toshiba делает, вроде по лицензии Infineon.

Какой Infineon? TOSHIBA Field Effect Transistor - это звучит гордо!

[Integrator1983]

В PFC нет обратного протекания тока. Вообще, СооlMOS прекрасно чувствуют себя в однотактниках - низкое сопротивление канала, низкий заряд затвора - замечательно. А в двухтактниках, особенно квази - и просто резонансных, все хуже - огромный заряд медленного диода, большое значение отношения емкости Миллера ко входной емкости + низкий порог открытия - заставить их нормально работать - бо-ольшая проблема.

[НЕХ]

у некоторых получается.

Прикрепленные файлы

 CoolMOS_LLC_1MHz.pdf ( 1.49 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 782

 

[Integrator1983]

Так и у меня получалось - вопрос в потраченном времени и ключах.

А по ссылке CoolMOS_LLC_1MHz.pdf на странице 4 читаем:

"The phase shift full bridge converter is widely used in high voltage DC/DC
converter applications. ..... However, field failures of this converter
have been reported, and the cause of those failures was attributed to the reverse
recovery of the primary side device’s intrinsic body diodes [3], [4]. Since
superjunction MOSFETs, such as Infineon’s CoolMOS devices, have body
diodes with poor reverse recovery conditions, these devices have not been
widely adopted for this application."

[НЕХ]

тем временем Infineon представляет поколение CFD2...
резонансные преобразователи проникают всюду...
кто-то не поленился срисовать схему с Playstation3. 12 Вольт, почти 30 Ампер, в закрытом кожухе без принудительной вентиляции.

Прикрепленные файлы

 power_PS3.pdf ( 84.79 килобайт ) Кол-во скачиваний: 544

 

[vanya.8484]

кто-то не поленился срисовать схему

Может быть полезнее помогалку
по LLC почитать?

[Herz]

Может быть полезнее помогалку
по LLC почитать?

Что-то не работает ссылочка...

[vanya.8484]

Что-то не работает ссылочка...

Неправда ваша, специально проверил:


Сообщение отредактировал vanya.8484 - Jun 5 2011, 12:51

[Herz]

Неправда ваша, специально проверил:

Странно, значит, у меня что-то:

[НЕХ]

в Вашей "помогалке" на последней диаграмме как раз блок-схема БП PS3.
что нового можно почерпнуть из Вашего документа ?

[vanya.8484]

в Вашей "помогалке" на последней диаграмме как раз блок-схема БП PS3.
что нового можно почерпнуть из Вашего документа ?

Примерно то же, что и из вашей схемы.
Поскольку

Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...

Сообщение отредактировал vanya.8484 - Jun 5 2011, 13:35

[НЕХ]

Конструктивный диалог...
презентация объёмом 2М или картинка 85к

Power MOS FET Destruction Mechanisms and Countermeasures
стр 21

Сообщение отредактировал НЕХ - Jun 5 2011, 14:05

[vanya.8484]

или картинка

Да уж, картинка весьма забавная:

[НЕХ]

Да уж, картинка весьма забавная:

рад, что Вам удалось досмотреть файл почти до конца !
(в школе, когда учитель ошибался, многие хихихали, а мне это было досадно.)
(недавно применил почти такую же схемотехнику - диодик, конечно, стоял - называется LSK "load shift keying" модуляция - для безпроводной передачи телеметрии и питания одновременно - источник шунтируется ключом, транслируя информацию)



В литературе упоминается ещё одна причина неудач - отложенный отказ ключа, вызванный снижением порогового напряжения.
Эффект накапливаемый во времени, происходит из-за деградации подзатворного диэлектрика "горячими" носителями, образованными лавинным рассасыванием.

[НЕХ]

Попался патент. Думаю интересный, короткий и по теме. Сам тоже использовал p-канальный MOSFET для решения задачи.

Подробнее о работе схемы от автора

эскиз решения

Сообщение отредактировал НЕХ - Oct 7 2011, 11:42

Эскизы прикрепленных изображений

 

Прикрепленные файлы

 GATE_DRIVER_US6580255.pdf ( 69.88 килобайт ) Кол-во скачиваний: 770

 

[_Pasha]

Попался патент. Думаю интересный, короткий и по теме.

Спасибо. Интересно даже не только для ZVS

[НЕХ]

Автор предлагал его для active clamp и не задумывался, что такой подход к управлению MOSFET поможет спасти транзистор от вреда паразитных структур в его составе.

[НЕХ]

Публикую схемотехническое решение адаптивного драйвера MOSFET, сберегающего ключи от вреда паразитного диода
ZVS MOSFET DRIVER for RESONANT and PHASE-SHIFT TOPOLOGY
MOSFET DRIVER :


включение транзистора на fotkidepo.ru:



Для любителей низковольтных BUCK топологий - глубокое исследование тонких моментов (которые всплывали в этой теме)
http://www.tesisenred.net/bitstream/handle....pdf?sequence=1

Сообщение отредактировал НЕХ - Mar 24 2012, 18:13

[_Pasha]

Спасибо!
Экспериментов с выходом ключа из насыщения не проводили?

Сообщение отредактировал _Pasha - Mar 26 2012, 04:17

[НЕХ]

Многократно проводил...
но резистор, параллельный IRLML5103 или отсутствовал или был с мозгами...(CD4093 было достаточно)
Результат работы схемы с простым решением -


отработка короткого замыкания на fotkidepo.ru:

Ток нарастает плавно до 150 Ампер.
Характерен всплеск напряжения на затворе, вызванный ёмкостью сток-затвор и индуктивностью истока - применение диода с затвора на плюс питания драйвера снижает индуцированное напряжение затвор-исток и всплеск тока транзистора.
Вариант драйвера без "лишних деталей" состоит из :
2 сборки диодов ВАТ54S, 3 транзисторов в SOT23, стабилитрона, 2 резисторов, 1 конденсатора и диод на сток, BYV26C, например.

Сообщение отредактировал НЕХ - Mar 26 2012, 07:31

[НЕХ]

Вот уж год прошел...
И намедни нашлось первое упоминание адаптивного драйвера ! 1981 год.
http://hal.archives-ouvertes.fr/docs/00/24..._16_6_333_0.pdf

Эра биполярных транзисторов ещё впереди - ждём первенца от Fairchild.

Для mosfet применял такое решение -
ADAPTIVE ZVS DESAT OVER-CURRENT PROTECTED MOSFET DRIVER


Позднее его модернизировал - заставил срабатывать раньше, чтоб нелинейность ёмкости сток-исток не вмешивалась в работу, и добавил небольшое отрицательное смещение для управления затвором - меньше сказывается паразитная индуктивность цепи истока при прерывании тока.


Сообщение отредактировал НЕХ - Mar 27 2013, 15:45

[НЕХ]

Внутренние диоды MOSFET не перестают удивлять - Coping with Poor Dynamic Performance of Super-Junction MOSFET Body Diodes
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejji.../2_183/_article
теперь и forward recovery не устраивает...
может дело в паразитных индуктивностях корпуса ?

и ещё одна пища для размышлений на картинке

Сообщение отредактировал НЕХ - Aug 12 2013, 08:46

Эскизы прикрепленных изображений

 

[НЕХ]

и почему же никто не захотел глумиться над картинкой ? все силы забрал PowerInt ?

вот в RC-IGBT та же песня - электроны мешают дыркам работать в диоде
http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+IG...13a6ec9c25f6017

[Integrator1983]

и почему же никто не захотел глумиться над картинкой ?

И в чем должно состоять глумление?

вот в RC-IGBT та же песня - электроны мешают дыркам работать в диоде

Где-то в соседней теме Вы призывали избавиться от полевиков и и применить IGBT - По мне, в IGBT причин возникновения всяких глубоких проблем как минимум не меньше, чем в MOSFET (скорее, даже больше).



Так получилось, что первым моим источником был полный мост на 1,5kW с PFC, который, неожиданно для меня, получился похожим на Phase-Shift Full Bridge (во всяком случае, ZVS держал практически во всем диапазоне нагрузки) . Собрано было это чудо на новейших в то время IRFP460 (пожечь которые пришлось, конечно). И даже работало надежно - несмотря на все недостатки ключей. Если бы тогда довелось прочитать эту тему - забил бы на силовую немедленно и навсегда.

[НЕХ]

Картинки из последних постов всё таки оптимистические -
подача положительного напряжения на затвор способствует рекомбинации медлительных дырок и накоплению злобного заряда.
но вот с выходной ёмкость SJ MOSFET пока неполное понимание у меня -
когда транзистор выключаю = она хорошо работает как снаббер, затягивается фронт напряжения на стоке, но
когда на стоке закрытого транзистора напряжение резко уменьшается на осциллограмме не замечаю выходной ёмкости ключа... плавности нет.
может смотрю не туда...