| |
 Как правильно соединить последовательные IGBT |
|
|
2 страниц 
1 2 >
|
 |
Ответов
(1 - 22)
|
|
 Feb 9 2013, 14:47
|
Участник
Группа: Участник
Сообщений: 37
Регистрация: 1-10-07
Из: Новосибирск
Пользователь №: 30 979
|
Цитата(Vladimir_T @ Feb 8 2013, 21:41)  Уважаемые коллеги, прочел литературу по параллельному соединению IGBT-транзисторов, а мне нужно соединить их последовательно. На стр. 91 прилагаемого сборника статей описано параллельное соединение, а для последовательного есть подобная литература? Меня мучит вопрос оптимального согласования времен включения транзисторов, которые собраны в H-мост. Если у кого-нибуть есть опыт подскажите, пожалуйста. напомнило анекдот "войну и мир" в двух словах быстро !
|
|
|
|
|
|
|
|
Feb 10 2013, 14:59
|
Знающий
Группа: Свой
Сообщений: 517
Регистрация: 7-02-06
Пользователь №: 14 073
|
Цитата(oleg_d @ Feb 10 2013, 14:26) 
aggeler_APEC08.pdf ( 2.02 мегабайт )
Кол-во скачиваний: 1319Замечательная статья. Спасибо за поддержку, которая вселяет уверенность, что это возможно. Цитата(khach @ Feb 10 2013, 00:47) 3600 керамика в корпусной подложке уже не выдержит, если это IGBT модуля. Так что 4 последовательно- это трудно. А вот два или 3- какие проблемы? Этажетка изолированных драйверов с плавающими источниками питания. Синхронное открытие и закрытие по оптике или ВВ трансформаторами. Контроль скорости нарастания и спадания тока чтобы не допустить перекоса "этажерки" по напряжению. Варисторы параллельно IGBT для защиты в аварийных случаях.
Какой режим работы пердполагается? Импульсный с жеским открытием-закрытием или квазирезонанс? Речь идет о трех, как максимум. Управление через ВВ трансформаторы, как наиболее оптимальный (по моим убеждениям), режим работы - импульсный, аппарат для исследования материалов будет работать очень непродолжительно: по 2-3 сек.
|
|
|
|
|
|
|
|
Feb 10 2013, 15:12
|
Гуру
Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287
|
Цитата(Vladimir_T @ Feb 10 2013, 16:59) Замечательная статья. Спасибо за поддержку, которая вселяет уверенность, что это возможно. Для уверенности рановато, ИМХО. Ведь там, насколько я смог понять, речь идёт о последовательном соединении SiC JFETs полевых транзисторов, а не IGBT. А вещи это немного разные. Цитата Речь идет о трех, как максимум. Управление через ВВ трансформаторы, как наиболее оптимальный (по моим убеждениям), режим работы - импульсный, аппарат для исследования материалов будет работать очень непродолжительно: по 2-3 сек. Эх, непросто это, представляется... По-другому никак?
|
|
|
|
|
|
|
|
Feb 10 2013, 17:16
|
Местный
Группа: Свой
Сообщений: 302
Регистрация: 27-05-05
Из: Новосибирск
Пользователь №: 5 466
|
Цитата(Vladimir_T @ Feb 9 2013, 15:44) Ток импульсный - до 20А, напряжение - до 1600В. Зачем городить огород, если можно взять приборы на 2.5, 3 или 4 киловольта ? IXYS такие делает...
|
|
|
|
|
|
|
|
Feb 11 2013, 01:48
|
Участник
Группа: Участник
Сообщений: 37
Регистрация: 1-10-07
Из: Новосибирск
Пользователь №: 30 979
|
вставлю 2 копейки
по моему мнению на 1200в только igbt, никаких мосфет.
просто последовательно ставить силовые элементы - не стал бы, интуиция говорит ничего путного не выйдет.
тут верно говорили - два инвертора последовательно по напряжению, паралельно по нагрузке, вариант провереный.
трансформатор управления - только если режим переключения квазирезонансный, либо dU/dt на коллекторах искусственно замедлено.
для жеского режима - оптика наше все, лично мне нравится acpl-w343, подобных сейчас как грязи и недорого.
|
|
|
|
|
|
|
|
Feb 11 2013, 14:49
|
Знающий
Группа: Свой
Сообщений: 517
Регистрация: 7-02-06
Пользователь №: 14 073
|
Цитата(SmartRed @ Feb 10 2013, 20:16) Зачем городить огород, если можно взять приборы на 2.5, 3 или 4 киловольта ?
IXYS такие делает... Приборы IXYS очень хорошие, уже применял IXEL40N400. Мост на них собрать - это самое оптимальное решение, но очень дорогущее. Правда массогабаритные параметры наилучшие! Цитата(khach @ Feb 11 2013, 01:14) Если есть возможность поменять IGBT на MOSFET - поменяйте. С ними действительно достаточно одного многообмоточного трансформатора, намотанного центральной жилой коаксиального кабеля. А вот для IGBT надо два трансформатора- один на включение "этажерки" и один- на выключение. И плавающие источник питания, возможно двуполярные- для каждого "этажа" этажерки. Как известно, у IGBT сушествует "хвост" тока при закрывании, так чтобы "этажерку" не перекосило при закрывании на этом хвосте- надо постараться. Хотя конечно если IGBT разряжают емкостной накопитель или накопитель на искуственной длинной линии- то про хвост можно забыть- линия разрядилась и транзисторы можно закрывать медленно и печально. ПОэтому я и спрашивал про режим коммутации. Вы очень точно меня поняли: и про емкостной накопитель, и про управление трансфоррматорами. По два малогабаритных импульсных трансформатора на каждый IGBT меня не пугает. Частоту коммутации нужно не менее 20 кГц. Присмотрел у ON подходящие и доступные транзисторы. Про "хвосты" у IGBT я помню, уже были из-за них неприятности. уду моделировать, должно получиться. Конечно, контролю за токами придаю особое значение, датчики Lem очень хвалят, буду пробовать. Платы, правда не очень быстро у нас делают. Цитата(injener @ Feb 11 2013, 10:58) А что мешает поставить модули 33го класса, например? Посмотрите у Электрум АВ в России, ну и у буржуев такого добра много...
Но тут же возникнет вопрос о частоте преобразования. Высоковольтные модули небыстрые... Искал я наших производителей, но такая тех. поддерка плохая, и документации не добыть. Смотрел МТО и другие...
|
|
|
|
|
|
|
|
Feb 11 2013, 22:54
|
Частый гость
Группа: Свой
Сообщений: 177
Регистрация: 31-08-09
Из: Saint-Peterburg
Пользователь №: 52 105
|
Цитата(Vladimir_T @ Feb 11 2013, 18:49) Приборы IXYS очень хорошие, уже применял IXEL40N400. Мост на них собрать - это самое оптимальное решение, но очень дорогущее. Правда массогабаритные параметры наилучшие! Всегда можно запросить у поставщика несколько образцов, если это единичное изделие...мне удалось раздобыть 5 образцов 4кВ транзисторов. Максимальное время включения, которое удалось получить с ними было 15-20нс при включении на активную нагрузку 1500В, 20А...в затвор уже встроено сопротивление (или получено как паразитный параметр при производстве?) Цитата(Vladimir_T @ Feb 11 2013, 18:49) Вы очень точно меня поняли: и про емкостной накопитель, и про управление трансфоррматорами. По два малогабаритных импульсных трансформатора на каждый IGBT меня не пугает. Частоту коммутации нужно не менее 20 кГц. Присмотрел у ON подходящие и доступные транзисторы. Про "хвосты" у IGBT я помню, уже были из-за них неприятности.
уду моделировать, должно получиться. Конечно, контролю за токами придаю особое значение, датчики Lem очень хвалят, буду пробовать. Платы, правда не очень быстро у нас делают.
Искал я наших производителей, но такая тех. поддерка плохая, и документации не добыть. Смотрел МТО и другие... Использовал для последовательного соединения IGBT каскодную схему с низвокольтным транзистором в истоке. Так же дополнил ее цепью обратного смещения, что позволяет быстрее закрыть транзистор. Управление трансформаторное. Транзистор управлялся драйвером Low-level вроде MIC4452 или тех же IXYS IXDN409 (если не изменяет память)
--------------------
Качество - главный критерий.
|
|
|
|
|
|
|
|
Feb 12 2013, 17:08
|
Местный
Группа: Свой
Сообщений: 202
Регистрация: 30-10-10
Пользователь №: 60 535
|
Цитата(Herz @ Feb 12 2013, 19:34) Мне всегда было интересно, если первым закрывается низковольтный транзистор в каскоде, то как он выдерживает высокое напряжение? мне тоже... а в итоге напряжение на низковольтовом транзисторе не поднимается выше чем напряжение на затворе верхнего (отрезанного от земли) ключа в случае MOSFET... в случае биполярного Uб - Uкб(открытого транзистора)
|
|
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|
