|
С импульсными транзисторами несколько сложнее, чем пересчет по средней мощности.
Рабочие режимы в основном определяет длительность импульса, а не его скважность.
Т.е. если транзистор рассчитан для работы при длительности импульса (t) = 10мкс и скважности (Q)=100, то скорее всего он будет работать и при Q=10, а при t=1000мкс и Q=1000 сгорит, хотя средняя мощность во втором случае даже значительно меньше.
Все определяется временем разогрева транзисторного кристалла зависящего от его площади, толщины и материала из которого он изготовлен. Для биполярных транзисторов рассчитаных для работы с короткими импульсами возможно возникновение вторичного пробоя при увеличении t до определенного предела. При попытках использовать биполярные импульсные транзисторы в непрерывном режиме, напряжение питания приходится снижать до 12-15В, так, что затея перестает иметь всякий смысл.
Другое дело с LDMOS транзисторами типа описанных в первом посте.
Они могут работать в непрерывном режиме, при этом выходная мощность ниже примерно на 20-25% относительно импульсного режима, что уже связано именно со средней рассеиваемой мощностью.
Такая особенность определяется отсутствием эффекта вторичного пробоя, и тем, что в отличии от биполярных транзисторов максимально возможный ток через полупроводниковую структуру определяется только ее площадью и слабо зависит от длительности импульса тока.
При переходе из импульсного режима в непрерывный усиление снижается, КПД при работе с большими токами смещения может даже и увеличится, но это зависит от параметров импульсов, особенно Q.
|
Импульсный транзистор в непрерывном режиме
Jun 27 2013, 09:08
