|
Драйвер для p-chanel hexfet, Покритикуйте схему, пожалуйста |
|
|
2 страниц
1 2 >
|
 |
Ответов
(1 - 22)
|
Jul 16 2014, 11:52
|

Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 001
Регистрация: 27-06-06
Пользователь №: 18 409

|
Цитата(Plain @ Jul 16 2014, 13:56)  Во-первых, обычно светодиодам абсолютно всё равно, какой из их выводов коммутируют, а во-вторых, поскольку эти компоненты питаются током, который в этой схеме практически ничем не ограничен, жить им в общем случае пару секунд. Наверное надо было уточнить - нагрузка будет представлять из себя светодиодные сборки с напряжением питания от 12 до 24х вольт и током потребления 2-3 ампера на одну сборку. Там не будет какой-либо одиночный светодиод без токоограничевающего резистора. Это я условно нарисовал. Вопрос в том - корректно ли построен каскад на n-p-n транзисторе, управляющим напряжением на затворе транзистора? Я применял подобную схему для H-моста, но то было для себя и массово не используется. Мне нужно быть уверенным что подобная схема может быть применена в серийном устройстве.
|
|
|
|
|
Jul 16 2014, 12:26
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 370
Регистрация: 4-02-13
Из: Фрязино
Пользователь №: 75 482

|
Цитата(Herz @ Jul 16 2014, 16:12)  ...Наводящий вопрос: каково максимальное напряжение затвора у выбранного MOSFETа? А что,существуют хоть какие-то MOSFET с допустимым напряжением затвора более 20 V ? Без шуток - периодически возникает необходимость приведения схем к виду,исключающему появление более 20 V на затворе MOSFET. Более того,стараюсь чтобы больше 15 V не было... Да и зачем - максимум 12 V (а то и 10 V) уже "хорошо включает" MOSFET
|
|
|
|
|
Jul 16 2014, 12:26
|
Гуру
     
Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710

|
Цитата(mempfis_ @ Jul 16 2014, 14:52)  корректно ли построен каскад на n-p-n транзисторе, управляющим напряжением на затворе транзистора? Сам каскад корректно, а управление им затвором — нет. И Вы по неизвестной причине проигнорировали замечание относительно коммутации. Цитата схема может быть применена в серийном устройстве Если планируется ускоренное банкротство.
|
|
|
|
|
Jul 16 2014, 13:32
|

Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 001
Регистрация: 27-06-06
Пользователь №: 18 409

|
Цитата(Herz @ Jul 16 2014, 16:15)  Не пойму, почему это Вас смущает. Вполне легко найти транзисторы с "логическим" управлением на нужный Вам коммутируемый ток. Тогда 3.3В хватит. Вся цепь связанная с VT3 физически расположена на другой плате и имеет напряжение питания 3,3 вольта. Исключить из схемы эту цепь я также не могу. Поэтому напрямую IRFZ44 подключить не могу. Поэтому у меня 2 варианта - 1й это p-канальный транзистор, 2й - n-канальный но с логическим уровнем управления. Я взялся за первый вариант из-за наличия у меня p-канальных обычных мосфетов. Но уже подумываю о переходе на n-канальный с логическим уровнем управления. Думаю если резистор в цепи коллектора заменить на 390 ом и подключить его к затвору, а сам затвор подтянуть к земле с пом. резистора 720 Ом, то я смогу получить на затворе ~2 вольт управляющего напряжения. Вобщем пошёл искать n-канальные полевики с логическим уровнем управления. Вопрос в том есть ли в природе мосфеты, схожие по параметрам IRFZ44 но с логическим уровнем управления.
|
|
|
|
|
Jul 16 2014, 16:17
|

Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 001
Регистрация: 27-06-06
Пользователь №: 18 409

|
Цитата(Herz @ Jul 16 2014, 17:24)  Полно, но есть и третий вариант. Каскад на VT2, управляющий обычным n-канальным полевиком вроде IRFZ44. Со стабилитроном, как я Вам объяснил. Если я всё правильно понял, то Вы предлагаете оставить VT2, R1, R2. Но при этом заменить полевик на n-канальный и добавить стабилитрон между затвором и землёй? Получается для закрытия полевика нужно отпереть транзистор VT2. Выходит при отсутствии управляющего сигнала транзистор VT2 закрыт и ток течёт через R1, R2, стабилитрон. При этом мы получаем открытый полевик и потребление тока нагрузкой. Как по мне это не совсем удачный вариант схемотехнического решения. При отсутствии управляющего сигнала нагрузка не должна потреблять ток ни при каких условиях. Поэтому я изначально рисовал схему с p-канальным транзистором. А вот если R3 заменить на 2 резистора и применить n-канальный полевик с логическим уровнем на затворе, то при отсутствии управляющего сигнала полевик будет закрыт за счёт подтяжки к нулю с помощью нижнего резистора делителя. Или я в чёмто не прав? Цитата(Plain @ Jul 16 2014, 17:35)  Управление любым PMOS
Управление любым NMOS Спасибо. Я посмотрю также и на такие варианты управления полевиками.
|
|
|
|
|
Jul 17 2014, 08:31
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 234
Регистрация: 7-11-13
Пользователь №: 79 085

|
Цитата(mempfis_ @ Jul 17 2014, 11:12)  Что скажете о схеме управления? Лично я не вижу каких-либо недостатков. В цепь затвора нужно поставить резистор 20-30 Ом для ограничения тока заряда-разряда ёмкости затвора и для устранения теоретической возможности появления "звона" фронтов. Погугли "резистор в цепи затвора". Сам когда-то столкнулся с непонятной причиной вылета транзисторов в схеме ШИМ-управления двигателем, хотя допустимые пределы по току и напряжению не превышал, но у меня не было ограничительных резисторов затвора. После их установки ни один транзистор не вылетел. Случай в моей практике единичный, поэтому на правило не претендует. Возможно, просто совпадение. В любом случае на разведённой плате вместо резистора всегда можно легко поставить перемычку.
Сообщение отредактировал ДЕЙЛ - Jul 17 2014, 08:37
|
|
|
|
|
Jul 17 2014, 11:14
|

Гуру
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287

|
Цитата(mempfis_ @ Jul 17 2014, 10:12)  RDS(on) = 0.065
Что скажете о схеме управления? Лично я не вижу каких-либо недостатков. Только обратите внимание, что в таблице RDS(on) нормировано для напряжений на затворе 5В и 4В и составляет (максимально) уже 0.1 и 0.14 Ом соответственно. При Ваших 3 Вольтах получите ещё побольше, а с ростом температуры - ещё. Так что проверьте на макетке нагрев с максимальной нагрузкой, а то, например, экономия места под радиатор может быть неоправданной. Наверное, стоило поискать более низковольтный вариант с меньшим сопротивлением. Такой, например. Их там два в корпусе, можно соединить параллельно и получить очень низкое сопротивление. 30 Вольт ведь Вам хватит? Да, и резистор подтяжки затвора к "земле" можно увеличить, если быстрого ШИМа не планируете.
|
|
|
|
|
Jul 17 2014, 12:16
|

Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 001
Регистрация: 27-06-06
Пользователь №: 18 409

|
Цитата(Herz @ Jul 17 2014, 14:14)  Я рассматривал и сборки, но меня смущает корпус soic + 2-3 ампера потенциально потребляемого тока. Поэтому я остановился на дискретных транзисторах. Я увеличу сопротивление резистора чтобы напряжение на затворе приближалось к 3,3 вольта. Я проверю опытным путём как сильно они будут греться (по моим расчётам будет выделяться ~2 ватт при сопротивлении канала 0.2 ома и токе 3 ампера). При необходимости на корпус наклею небольшой радиатор. Всем спасибо за участие. Займусь разводкой печатной платы.
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|