IR2153 - паразитные резонансы Опции

[dimm.electron]

Не могу придумать решение проблемы. Кусок схемы ниже. Нагружено это все на резонансный контур для создания дуги между электродами


В момент резонанса на транзисторах происходит следующая ерунда

На нижнем


На верхнем


Средняя точка



Непосредственно на выходе микросхемы нижнего транзистора примерно такая картина (на верхнем почти чисто)


После поджига чистый сигнал. По питаниям чисто - иголки только. Все осцилограммы снимал с пружинкой, так что наводки минимальны.

Понимаю, что транзисторы достаточно тяжелые для ирки. Но не настолько, чтобы такие импульсы возникали, тем более непосредственно на ее выходе

[Den64]

Как подключена задающая частоту RC цепочка?

[dimm.electron]

На данный момент там висит просто 12k и 1n, то есть на частоту около 60кГц. Подключена прямо у микросхемы. В момент поджига видны иголки на фото, после - чистый треугольник

[Den64]

Можно попробовать поставить поменьше резистор и побольше конденсатор.. Должно повлиять..
И по питанию ir2153 помеха есть?
Ещё можно проверить как подключены корпуса.

Сообщение отредактировал Den64 - Nov 5 2015, 13:17

[Ydaloj]

а как вы определили, что они тяжёлые? По мне, так они очень лёгкие, и для туго соображающей ирки тем более

[dimm.electron]

Можно попробовать поставить поменьше резистор и побольше конденсатор.. Должно повлиять..

Изменение резистора меняет ситуацию количественною, а не качественно - паразиты лезут все равно При меньшем сопротивлении просадки выше на выходе микросхемы, при большем - растут динамические потери в транзисторах

И по питанию ir2153 помеха есть?

По питаниям чисто - иголки только

а как вы определили, что они тяжёлые? По мне, так они очень лёгкие, и для туго соображающей ирки тем более

Мое личное мнение. Для "легких" транзисторов не нужны ухищрения с внешними цепочками, достаточно резистора или резистора с диодом в затвор и никакой магии

Сообщение отредактировал dimm.electron - Nov 5 2015, 13:22

[Den64]

А чем эти иголки мешают? Транзисторы греются или контроллеры зависают?

[dimm.electron]

Фото выше посмотрите. Там не иголки, а вполне себе серия импульсов длительностью по 500нс

[Den64]

Фото выше посмотрите. Там не иголки, а вполне себе серия импульсов длительностью по 500нс

А это на что влияет?

[dimm.electron]

Это ни что иное, как сквозные токи. Поэтому влияет это на сильный нагрев транзисторов при продолжительном резонансе и выход их из строя

[Den64]

Что подключено к 5й ножке микросхемы кроме R33?

[dimm.electron]

На данный момент все, что находится вне картинки отключено, кроме задающей частоту RC цепочки

По поводу расследования происходящего. Более подробно проанализировал схему. Если предположить (по данным даташита), что сопротивление нижнего транзистора IR2153 порядка 40ом, то суммарное сопротивление цепи, удерживающей закрытым силовые транзисторы (40ом+47ом) порядка 90ом. Предположим, что у нас пиковый ток равен максимальному для транзисторов BC807, то есть 1А. По диаграмме коэффициентов усиления получаем, что при данном токе коэффициент усиления равен порядка 40, то есть через базу транзистора течет ток минимум 25мА в статике (в динамике и того больше). Значит на сопротивлении 90 ом будет 2.3В. Добавим сюда напряжение перехода эммитер-база (опять же по диаграмме) порядка 0.9В и получаем в итоге 3.2В, что мягко говоря в районе напряжения плато Миллера

Получается, что данная схема "умощнения" не особо жизнеспособна с этой точки зрения

Сообщение отредактировал dimm.electron - Nov 5 2015, 14:32

[wla]

Понимаю, что транзисторы достаточно тяжелые для ирки. Но не настолько, чтобы такие импульсы возникали, тем более непосредственно на ее выходе

C18 имеет малую емкость

[dimm.electron]

По осциллографу там нет сильных пульсаций, т.е. емкость достаточная. Пробовал и больше. Толку ноль


Продолжаю рассуждения на "тему". Транзисторы переключаются у меня со скоростью порядка 50нс сейчас, даже при этих хаотичных возбуждениях . По документации на транзисторы, при 520В энергия перезаряда емкости Миллера, порядка 12нКл. У меня напряжения меньше, то есть и заряд будет меньше. Уменьшим пропорционально. Средний ток при этих параметрах получается 9нКл/50нс = 0.18А. Это незапредельные значения даже для самой ирки. На ее переходе, при использовании обычной схемы с резистором и диодом, будет 7.2В. То есть сама она удержать транзистор закрытым не сможет

При моей схеме получаем следующие величины. Пиковый ток у нас 0.24А, коэффициент усиления будет уже больше 100. Базовый ток тогда жалких 2.4мА. Падения на сопротивлениях 0.2В, на базовом переходе 0.9В, итого 1.1В. Если сложить предыдущие вычисления при 1А, то максимальный ток удержания будет порядка 0.6-0.7А я думаю. То есть запас до 20нс есть. Должно работать... Но не работает

[Plain]

Тьма бесполезных фото, тогда как проблемы банальные и стандартные — монтаж нитками, да ещё и силовой конденсатор аж вовсе отсутствует, как понятие.

[dimm.electron]

Просветите, а то "тьма бесполезных" букв и информация "аж вовсе отсутствует, как понятие"

Люблю форумы, потому что всегда найдется профессор, который придет и скажет: "да вы тут все лохи"

Пример аналогичной платы, где все было разведено с соблюдением норм по разводке импульсных схем. Схема включения подобная и там проблем не было в виду меньших токов. При увеличении токов - поведение схожее. Вот и пытаюсь найти решение или понять причину


Сообщение отредактировал dimm.electron - Nov 5 2015, 15:45

[Plain]

Вы загрузили на форум одну бесполезную схему и шесть бесполезных фотографий. Нам без разницы, какое скоропостижное несчастье внезапно произошло с тем фотоаппаратом после той фотосессии, но если новой информации, а именно, фото не абы какого-то там, а непосредственно данного монтажа, не последует, то тема так и останется бесполезным спамом.

[jeelman]

возможно дело в схеме питания ir2153 через конденсатор с выхода полумоста. попробуйте запитать её по-другому, от внешнего бп например.

[dimm.electron]

Вы загрузили на форум одну бесполезную схему и шесть бесполезных фотографий

Да натевам еще бесполезных фоток, жалко что ли

Модель


Железо (выходы ирки перепаяны на RD цепь)

возможно дело в схеме питания ir2153 через конденсатор с выхода полумоста. попробуйте запитать её по-другому, от внешнего бп например.

Там чисто. И да, пробовал, не помогает

Сообщение отредактировал dimm.electron - Nov 5 2015, 16:36

[Den64]

Думаю проблема не на выходе. А в задающей RC цепочке. Конденсатор задающий подключен непосредственно к корпусу микросхемы?

[dimm.electron]

Непосредственно. На фото видно, что дорожки милиметровых длин. Да и осциллограммы прикреплял же - там сбоев нет, только иголки, которые банально на сам щуп наводятся

[Ydaloj]

отвязать шестой вывод микросхемы от ключа через резистор в половину от верхнего затворного.
резистор в затворе верхнего уменьшить вдвое.
шестой вывод защитить диодом на общий провод микросхемы.

это рекомендация от самих IR по улучшению помехозащищённости полумостовых драйверов.

Люблю форумы, потому что всегда найдется профессор, который придет и скажет: "да вы тут все лохи"

Работа у форумчан такая - в каждом проблемном случае искать лохов.

[dimm.electron]

Суть понял. Апнот не подскажете? Теорию там почитать. Раньше у них поиск попроще был, сейчас не найдешь без бутылки ничего

[_gari]

вот как это сложить во что-то вразумительное?
................

В момент резонанса на транзисторах происходит следующая ерунда.......

На данный момент все, что находится вне картинки отключено, кроме задающей частоту RC цепочки......

Схема включения подобная и там проблем не было в виду меньших токов. При увеличении токов - поведение схожее.......

......................

Где тут увеличение токов? Где момент резонанса, если все за ключами отключено?

Средняя точка цепи где сейчас находится, болтается в воздухе?

[dimm.electron]

Эмм... Ладно, сейчас еще раз опишу, раз запутал...

Есть преобразователь, который поджигает дугу высоким напряжением и удерживает эту дугу. Сейчас стоит ирка, подключены транзисторы, все обратные связи отключены, подключен резонансный LC контур на выходе, к нему сама штука с дугой. В начальный момент нам надо получить повышенное напряжение, а значит в дросселе будет максимальный ток. Процесс поджига длится буквально 10-20 тактов после включения. И вот среди этих 10-20 тактов наблюдается вот эти импульсы. Хочется понять причину их возникновения, потому что на изношенном оборудовании этот поджиг длится куда более длительное время и транзисторы могут перегреться. И пока дуга стабилизируется, наблюдается пульсация тока и раз в сколько то импульсов нет-нет, да проскочит какой-то двойной импульс

Картинку выше я привел (с этой лучевой разводкой), как пример. Это более слабый преобразователь. После попытки умощнить его вылезли такие же импульсы, только в большем количестве. Пример привел, потому что с точки зрения разводки земли он был идеальный, а значит появление этих импульсов не с землей связаны. Поэтому и начали новый блок с нуля делать. Что самое интересное, есть импортный преобразователь на ир2151, который сделан не жалея бабла - везде фильтры, пленочные конденсаторы и тд. И вот в нем ТОТ ЖЕ ЭФФЕКТ! Производитель об этом может и не знает, потому что все работает, это я уж очень дотошно к вопросу подошел. И им проще - у них транзисторы более слабые и на радиаторе, поэтому там перегрева такого нет

Хочется понять откуда берутся эти импульсы, потому что явных предпосылок в принципе нет

это рекомендация от самих IR по улучшению помехозащищённости полумостовых драйверов.

Так и не нашел. Максимум есть an-978.pdf, где говорится про плавающее плечо, про отрицательные выбросы и тд. Но про резистор в разрыв Vs ничего не нашел. Есть предположение, что он нужен для драйверов со встроенным бутстрепным транзистором IR2153D и IRS2153D, где наличие отрицательных напряжений сильно увеличит ток через этот транзистор

Нашел только вот это http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt04-4.pdf, но тут про драйверы двигателей и защиту на случай КЗ от отрицательных напряжений. Но у меня для этой цели стоят диоды параллельно транзисторам

Сообщение отредактировал dimm.electron - Nov 5 2015, 21:27

[Den64]

Работа у форумчан такая - в каждом проблемном случае искать лохов.

Нормальная работа... Лучше бы помогали.
А по сути вопроса, можно попробовать увеличить ток открывания нижнего ключа, уменьшив резистор. Если конечно драйвер потянет
Ещё интересно если резонансный контур подключить между выходом и плюсом питания.. Тогда, по идее, паразитные импульсы будут в верхнем ключе.
Может быть есть вариант поставить нижним ключом транзистор полегче для драйвера, с меньшей входной и проходной ёмкостями?

шестой вывод защитить диодом на общий провод микросхемы.

Между общим микросхемы и шестым выводом так то стоит диод. Смотри схему в первом посте

Сообщение отредактировал Den64 - Nov 5 2015, 23:09

[_gari]

Процесс поджига длится буквально 10-20 тактов после включения. И вот среди этих 10-20 тактов наблюдается вот эти импульсы. Хочется понять причину их возникновения, потому что на изношенном оборудовании этот поджиг длится куда более длительное время и транзисторы могут перегреться. И пока дуга стабилизируется, наблюдается пульсация тока и раз в сколько то импульсов нет-нет, да проскочит какой-то двойной импульс

Так все эти эксперименты происходят в присутствии дуги или без?
Трансформаторы же, как известно, обратимые девайсы.

[Ydaloj]

Между общим микросхемы и шестым выводом так то стоит диод. Смотри схему в первом посте

я-то посмотрю, а вы прочитайТЕ сначала там первую строчку

dimm.electron, статья DT-92-1, русский перевод

[НЕХ]

очень напоминают картинки -
http://electronix.ru/forum/index.php?s=&am...st&p=839794
Нельзя работать с такими ключами на частотах ниже резонансных !
(судя по плато Миллера на осциллограммах напряжения на затворе)
Изолируйте паразитный диод mosfet

оптимизация разводки -
https://www.fairchildsemi.com/application-n.../AN/AN-5232.pdf

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 6 2015, 06:55

[dimm.electron]

можно попробовать увеличить ток открывания нижнего ключа, уменьшив резистор.

Уменьшая резистор увеличиваем скорость переключения транзисторов и паразитов становится больше - ответ отрицательный, опыт не удался. Сейчас конкретно стоят 100ом и параллельно диод. Микросхема вроде справляется, но эффект остался. Сегодня покажу осциллограмму

Ещё интересно если резонансный контур подключить между выходом и плюсом питания.. Тогда, по идее, паразитные импульсы будут в верхнем ключе.

Шило на мыло. Я так делать не буду изначально, потому что все обратные связи далее по схеме привязаны к земле и застрелиться можно сколько переделывать придется и отлаживать

Может быть есть вариант поставить нижним ключом транзистор полегче для драйвера, с меньшей входной и проходной ёмкостями?

В более слабом инверторе они и стоят и там проблема та же, просто не так ярко выражена

Так все эти эксперименты происходят в присутствии дуги или без?
Трансформаторы же, как известно, обратимые девайсы.

С дугой. Трансформатора там нет, только дроссель

dimm.electron, статья DT-92-1, русский перевод

Спасибо!

очень напоминают картинки -
http://electronix.ru/forum/index.php?s=&am...st&p=839794
Нельзя работать с такими ключами на частотах ниже резонансных !

Да, напоминает... Но. Первое. У меня нет такой "грязи" и жестких возбудов. Но тут конечно спорно, чисто мое мнение. Второе. Если дроссель влетает в насыщение, то уменьшив зазор в дуге я уменьшаю напряжение поджига (читай нагрузку), а значит и токи. Картинка при этом качественно не меняется, то есть от токов в дросселе это не зависит. Третье. Резонанс в этом контуре на 53кГц (реальный, а не расчетный), а преобразователь настроен на почти 60.

В развитие этой темы про насыщение. В шунте не наблюдается экстратоков. Если смотреть на осциллограмму выходного напряжения и с выхода полумоста, то там нет разворота фазы, который бы мог резко увеличить ток и в нормальном режиме

Изолируйте паразитный диод mosfet

Выкинуть диоды D15, D18? Смысл? Они собственно и были добавлены в надежде решить проблему. Не решили. Но и в их отсутствие проблема тоже имеет место быть

оптимизация разводки -
https://www.fairchildsemi.com/application-n.../AN/AN-5232.pdf

Спасибо. Можно считать эти рекомендации соблюденными. Кроме верхнего транзистора, там физически ближе его не поставишь, поэтому идут две бифилярные дорожки

[_gari]

С дугой. Трансформатора там нет, только дроссель

т.е. схема поджига фактически как у ЛДС, резонанс напряжения на конденсаторе, потом пробой, дуга и ограничение тока дросселем.
И проблемы начались после замены дросселя, или увеличения входного напряжения. пральна?

[Integrator1983]

Так и не нашел. Максимум есть an-978.pdf, где говорится про плавающее плечо, про отрицательные выбросы и тд.

Есть еще DT04-4, DT-92-1, DT-99-7. Были даже переводные варианты.

[mcheb]

Изолируйте паразитный диод mosfet

Поддерживаю.

[dimm.electron]

И проблемы начались после замены дросселя, или увеличения входного напряжения. пральна?

НЕТ! Повторюсь, "проблемы" есть у всех устройств. В слабом, в вот этом усиленном и дорогом импортном. Просто раньше на этот эффект можно было забить, а сейчас это вызывать может перегрев транзисторов. Хочется понять откуда ноги растут или это особенность ИРок, потому что чуть ли не полинтернета завалено вопросами почему греются транзисторы и дело далеко не всегда с качеством трассировки связанно

Есть еще DT04-4, DT-92-1, DT-99-7. Были даже переводные варианты.

Спасибо. Сейчас поищу оригинал, потому что перевод не всегда корректный

Поддерживаю.

А аргументировать можете? Чем использование более медленного диода лучше? Затягиванием фронта? Так тоже самое я пытался сделать снаббером - мало эффетка

[dimm.electron]

Почитал апноты и прочее

dt92-1.pdf - тут про добавочный резистор
dt92-2.pdf - умощнение выхода. В принципе решений масса и других
dt04-4.pdf - немного теории про отрицательные выбросы и иглы
dt99-7.pdf - к моей схеме никаким боком, потому что у меня нет проблемы с запуском, а есть проблемы с работой

Добавил резистор 10ом и диод. В затворе 100ом и диод. Картинки не поменялись, что с этим резистором, что без.

На полумосте


На нижнем транзисторе


Непосредственно на выходе микросхемы


На верхнем транзисторе


При попытке проверить сигнал верхнего плеча непосредственно на выходе микросхемы, инвертор сдох. Забыл, что емкость осциллографа достаточно велика и на добавленный резистор напряжение навелось

Пока делаю вывод, что ноги растут от того, что транзисторы для микросхемы все таки тяжелы и надо умощнять выход. Ей просто не удается держать их закрытыми при больших выходных токах

[Ydaloj]

Ей просто не удается держать их закрытыми при больших выходных токах

при чём тут большие выходные токи? Транзистор самостоятельно отпирается, если ток через ёмкость миллера достаточен для формирования на затворе отпирающего потенциала. А ток этот определяется не током через транзистор, а величиной dU/dt на запертом переходе.
Если, конечно, у вас именно ёмкость миллера виновата, а не монтаж или наводка с полигона или ещё что.

[dimm.electron]

Разность фаз между напряжением и током такова, что она увеличивает dU/dt. Согласен, некорректно было написать, что зависит от выходного тока

[wla]

Почитал апноты и прочее

Пока делаю вывод, что ноги растут от того, что транзисторы для микросхемы все таки тяжелы и надо умощнять выход. Ей просто не удается держать их закрытыми при больших выходных токах

мертвое время большое для вашего контура.
Транзистор закрылся, ток во время dead-time поменял направления, и стал протекать через оппозитный диод. А тут раз.. и транзистор другой открылся. и вуаля- сквозной ток. Шина питания (+ или -) незакрытый диод первого транзистора, открытый второй транзистор, другая шина питания..

Сообщение отредактировал wla - Nov 6 2015, 13:21

[Ydaloj]

корректность не при чём. большое значение dU/dt отличается от большого тока тем, что из dU/dt вытекает осознание в потребности демпфирующей цепи, задерживающей резкий рост напряжения на запертом переходе, а из большого тока - нет.

кстати, почему транзисторы smd?

[dimm.electron]

мертвое время большое для вашего контура.
Транзистор закрылся, ток во время dead-time поменял направления, и стал протекать через оппозитный диод. А тут раз.. и транзистор другой открылся. и вуаля- сквозной ток. Шина питания (+ или -) незакрытый диод первого транзистора, открытый второй транзистор, другая шина питания..

Причем здесь мертвое время? Как ток может поменять направление, если там индуктивность по выходу полумоста? Транзисторы зашунтированы более быстрыми диодами

кстати, почему транзисторы smd?

Ограничены по габаритам и тепловыделению

[_gari]

Пока делаю вывод, что ноги растут от того, что транзисторы для микросхемы все таки тяжелы и надо умощнять выход. Ей просто не удается держать их закрытыми при больших выходных токах

мда... похожие картинки видел когда-то у себя

что бы не повторяться см. http://shyza.ru/forum/viewtopic.php?f=15&a...36&start=60
с поста от 11 май 2012, 03:07

что там не описано.
был таки поставлен BISS NJT4030, но тоже не понравился, пока не было введено отрицательное смещение -3в

[Ydaloj]

далее
копаем в сторону самовольного отпирания транзистора от миллера
в затворе у вас 100 Ом, как сами сказали. добавили ещё 10 - и ничего не поменялось.
а с чего оно поменяется, когда ток заряда миллера вместо протекания через запирающий транзистор драйвера течёт через ёмкость затвора и отпирает его?
если, конечно, диод, о котором вы говорите, включен не параллельно этим ста омам.

[Integrator1983]

Транзисторы зашунтированы более быстрыми диодами

Просто параллельно внутренним паразитным? Выкиньте их - ничего они не дадут.

[НЕХ]

Просто параллельно внутренним паразитным? Выкиньте их - ничего они не дадут.

Дадут - мы же выяснили, как плохи транзисторы М5-серии ST !
http://electronix.ru/forum/index.php?s=&am...t&p=1368662
ZVS + параллельный диод на fotkidepo.ru:

до минус 40 Вольт на паразитном диоде !

Только надо обязательно поставить Шоттки последовательно с самими ключами.

И как описано в AN Fairchild p-n-p транзистор должен быть возле ключа. И 47 Ом не должны мешать ему удерживать ключ в закрытом состоянии.
Резистор должен быть только в цепи заряда ключа и более 100 Ом предпочтительнее.
M5 - худший выбор для резонансной схемы.
нужен ключ с быстрым внутренним диодом.

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 6 2015, 14:57

[Integrator1983]

Дадут - мы же выяснили как плохи транзисторы М5-серии !

Дадут - если поставить последовательный диод в цепь С-И. У паразитных диодов (особенно, у CoolMOS'ов) прямое падение на 0,5-1В ниже, чем у хороших Ultrafast'ов. Так что набрать заряд паразитный диод все равно сможет - хоть стоит внешний Ultrafast, хоть нет.

Извините, если повторяюсь - вроде, уже обсуждали этот момент.

[dimm.electron]

мда... похожие картинки видел когда-то у себя
...
был таки поставлен BISS NJT4030, но тоже не понравился, пока не было введено отрицательное смещение -3в

Спасибо за информацию Собственно в конце к подобному выводу прихожу

если, конечно, диод, о котором вы говорите, включен не параллельно этим ста омам.

А как этот диод еще может быть включен? Естественно параллельно. Медленно открывание через 100ом, быстрое закрывание через диод

Просто параллельно внутренним паразитным? Выкиньте их - ничего они не дадут.

Может быть. Выкинуть никогда не поздно, а вот предусмотреть место для установки уже не всегда

Дадут - мы же выяснили как плохи транзисторы М5-серии !

Новость... Повезло же выбрать именно эти


Продолжаю эксперименты. Собственно получается окончательный вывод в конце.

На скорую руку переделал схему управления, для проверки некоторых дум. Именно так переделал, потому что ее проще всего получить при имеющейся плате - вместо одного резисторов поставил перемычку, а 10 ом воткнул тупо подняв ножку транзистора.



Теперь осциллограмма и наблюдения. Голубая линия - выход полумоста, желтая - выход нижнего драйвера. Примерно за секунду осцилограммы проскочило всего 3-5 импульсов подобных тем, что на фото. То есть такой жести, как в начале топика уже нет





При поджиге дуги фаза резонансного контура крутится, как может и это я забыл учесть. Поэтому на выходе моста проскакивает именно это. В данном случае фаза тока почти совпала с фазой напряжения моста и в дросселе около нулевой ток при выключении транзистора. Это вызывает жесткое переключение. Если посмотреть на первую картинку, то один импульс чистый, а начало второго - ужасно Потому что транзистор закрывался при почти нулевом токе, а открывается при максимальном токе в резонансном контуре. Так же по наклону синей линии видно, что при открывании транзистора фронт практически вертикальный - 10 ом в затворе же... На второй осциллограмме похожее, только нуля ток в дросселе достиг до включения транзистора. Собственно об это я и говорил, имея в виду повышение dU/dt при повышенном токе - из-за постоянного вращения фазы ток дросселя может увеличивает скорость нарастания импульса или уменьшать его

В общем выводы следующие. Как _gari написал, нужен более мощный PNP транзистор, удерживающий закрытым силовой транзистор. В затворе думаю пока остановиться на 47-100омах на открытие. Базу транзистора буду подключать непосредственно к ИРке - так почти отсутствует всплеск напряжения. Со снабером пока не знаю, буду ли переделывать. Сейчас стоят два конденсатора по 1н, что при токе в 5 ампер в дросселе должно давать что-то около 100нс. Буду переделывать плату

[НЕХ]

Диодом мы купируем Forward Recovery, а не заряд !

[dimm.electron]

M5 - худший выбор для резонансной схемы.
нужен ключ с быстрым внутренним диодом.

Посоветуете какой?

[НЕХ]

полно специальных - например, CFD серии от Infineona
https://www.infineon.com/cms/en/product/pow...1337e82a5392f8e

p-n-p PBSS5350T

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 6 2015, 15:09

[Integrator1983]

Новость... Повезло же выбрать именно эти

Вообще, для двухтактных схем CoolMOS - очень плохие ключи. Посмотрите в даташите такие параметры, как Reverse recovery charge, а также отношение емкостей Cgd/Cgs (образующих делитель) и Gate threshold voltage. Будете неприятно удивлены. Чтобы избежать лишних танцев, возьмите предназначенные для двухтактной работы ключи - с шустрым диодом и пониженной емкостью Миллера.

Диодом мы купируем Forward Recovery, а не заряд !

Да, вспомнил. Я имел в виду Reverse Recovery.

Посоветуете какой?

Полно у Ixys, до 650В - есть у Fairchild (серия FRFET), парочка приличных есть и у ST (на 650В - точно есть - сам применял).

[dimm.electron]

полно специальных - например, CFD серии от Infineona
https://www.infineon.com/cms/en/product/pow...1337e82a5392f8e

По цене и параметрам IPB65R190CFD похож. Спасибо за подсказку

Вообще, для двухтактных схем CoolMOS - очень плохие ключи. Посмотрите в даташите такие параметры, как Reverse recovery charge, а также отношение емкостей Cgd/Cgs (образующих делитель) и Gate threshold voltage. Будете неприятно удивлены.

Так не с потолка эти транзисторы выбрал Для самопроверки тогда сравню новые IPB65R190CFD и используемые STB16N65M5

Сопротивление стока при 150гр примерно одинаково 0.45 / 0.49
Полный заряд затвора много больше 68 / 31, но это скажется на пару милиампер тока потребления
Заряд емкости Миллера 37 / 8, тут тоже хуже
Заряд затвора 12 / 12
Емкость затвора 1850 / 1250
Эквивалентная емкость Миллера 70 / 30

И вот объясните мне, почему нужно выбирать транзистор, где энергия емкости и сама емкость Миллера много выше?

Да, и напряжение плато у обоих примерно 6 вольт

А Reverse recovery charge не знаю как сравнить, там условия испытаний разные. Но у первого приведено 0.5 микрокулон, а у моего транзистора суммарно 7.5нанокулон, то есть разница на порядки

Сообщение отредактировал dimm.electron - Nov 6 2015, 15:40

[Integrator1983]

используемые STB16N65M5

В схеме у Вас указаны несколько другие ключи. STB16N65M5 - это те из пары подходящих у ST, о которых я говорил. Хотя, Reverse recovery charge 3.5 uC - тоже не очень.

моего транзистора суммарно 7.5нанокулон

Такого даже у SicFET'ов нет. Это ST буквы u и n путают. 3.5 - 4uC.


Для примера, сравним FCH150N65F(FRFET от Fairchild) и STB16N65M5 (MDmesh V).

Для FCH150N65F Сgd/Cgs = 0.77/2810 = 0.000274.
Для STB16N65M5 Сgd/Cgs = 3/1250 = 0.0024.
Gate threshold voltage - одинаковые. Кто откроется раньше при высоких dU/dt?

Reverse recovery time/Reverse recovery charge для FCH150N65F 123ns/597nC.
Reverse recovery time/Reverse recovery charge для STB16N65M5 300ns/3500nC.

Хотя, повторюсь, STB16N65M5 - один из лучших у ST.

[wla]

Хотя, повторюсь, STB16N65M5 - один из лучших у ST.

Да, хоть идеальные ключи ставьте. Форма напряжения не изменится. А вот, если поставить небольшую индуктивность последовательно с нагрузкой, то выброс уйдет.
Схема сейчас работает на частоте около резонанса и переход тока через 0 проходит во время dead-time. добавление индуктивности сместит резонанс вниз. Система перейдет в область индуктивной нагрузки и картинки сильно изменятся.

Сообщение отредактировал wla - Nov 6 2015, 17:37

[dimm.electron]

В схеме у Вас указаны несколько другие ключи.

Мое упущение
У приведенного FCH150N65F емкость затвора почти 3н, а полный заряд затвора в 3 раза выше. Если нынешний транзистор открывается по осциллограмме за 0.5мкс, то этот будет 1.5мкс... Многовато. Собственно и выбирал транзистор с минимальным зарядом затвора, чтобы его ирка тянула. Как оказалось выбрал правильно выбрал один из "лучших". Суть уяснил, закажу для проб и других транзисторов, более "тяжелых", для опыта

Схема сейчас работает на частоте около резонанса и переход тока через 0 проходит во время dead-time

Не совсем верно. Специально обратил внимание, что таких "проходов" через 0 всего несколько штук из десятков тысяч тактов, то есть подавляющее большинство в дед-тайм не попадают. Причину появлению одиночных импульсов связываю с нестабильностью разряда, который постоянно меняет фазу в LC контуре. Например, при чистом резонансе на выходе будет подобие синусоиды. А при поджиге эта синусоида в каждом периоде в произвольном месте может "надломиться" и пойти под другим углом. Напряжение на выходе "пляшет", поэтому дроссель отдает ток за разное время и при очередном переключении транзисторов предугадать какой ток идет через дроссель невозможно - он каждый раз разный. Добавление дросселя на выходе эти "пляски" не особо уменьшит, ИМХО, и проблема останется. Почему так уверен? Пробовал уводить частоту дальше от резонанса и поднимать напряжение питания транзисторов

[thickman]

мы же выяснили, как плохи транзисторы М5-серии ST !
M5 - худший выбор для резонансной схемы.
нужен ключ с быстрым внутренним диодом.

А при адаптивной паузе, разве нужны городушки с быстрым диодом? Даже для серии М5 такой байпас вроде никчему.

[НЕХ]

А при адаптивной паузе, разве нужны городушки с быстрым диодом? Даже для серии М5 такой байпас вроде никчему.

Адаптивная пауза автору не поможет - нагрузка может притворяться ёмкостью.
А дополнительный последовательный дроссель совместно с большим током намагничивания (зазором в магнитопроводе) смогут облегчить жизнь ключей

[Tiro]

Теперь осциллограмма и наблюдения. Голубая линия - выход полумоста, желтая - выход нижнего драйвера. Примерно за секунду осцилограммы проскочило всего 3-5 импульсов подобных тем, что на фото. То есть такой жести, как в начале топика уже нет

Картинки понятные и приятные. Поясню по 2 картинке.
- После закрытия верхнего ключа все ключи разомкнулись и индуктивный ток в цепи нагрузки (резонансно) перебрасывает напряжение на ключах так, что открывает диод нижнего транзистора (первый синий спад на рис 2).
- Затем ток заканчивается и заряженные емкости толкают в нагрузку ток протиположного знака, что приводит к перебросу напряжения на ключах (резонансно) до открытия диода верхнего ключа (первый синий фронт на рис 2).
- Тут заканчивается мертвое время у ИР2153 и она отпирает нижний транзистор (жесткое включение) (второй синий спад на рис 2). Спад резкий. Сопровождается заметной "полкой" на затворе нижнего (желтый фронт рис 2).

Выводы:
- Не хватает индуктивного тока для удержания потенциала полумоста после переключения. а) Великовато мертвое время. б) Не та расстройка в рагрузке.
а) Примените ИР21531, у нее 0,6мкс против 1,2мкс у ИР2153.
б) Сделайте индуктивную расстройку в нагрузке. Если никак, то поставьте дроссель компенсации параллельно нагрузке.

Что настораживает, так это несимметрия синией картинки на рис 1 и рис 2. Будто у Вас есть постоянный ток в нагрузке или несимметрия управления.
И еще при переходе от рис 1 к рис 2 явно меняется характер нагрузки (индуктивность-емкость).

[_gari]

Что настораживает, так это несимметрия синией картинки на рис 1 и рис 2. Будто у Вас есть постоянный ток в нагрузке или несимметрия управления.
И еще при переходе от рис 1 к рис 2 явно меняется характер нагрузки (индуктивность-емкость).

там нестационарный процесс, индуктивность может в произвольный момент времени прыгать с активной нагрузки(дуга), на емкость контура.

А дополнительный последовательный дроссель совместно с большим током намагничивания (зазором в магнитопроводе) смогут облегчить жизнь ключей

Поясните свою мысль подробнее, НЕХ. Где конкретно этот дроссель, по вашему мнению, должен стоять?

Мне вот кажется, что если пытаться решить эту задачу серьезно, то без контроля состояния контура и соотв. защит все это будут только танцы с бубном, более или менее успешные.


Сообщение отредактировал _gari - Nov 7 2015, 12:14

[НЕХ]

дроссель как в LLC преобразователях.
или заложен в конструкцию выходного трансформатора или между полумостом и трансформатором.

[wla]

Поясните свою мысль подробнее, НЕХ. Где конкретно этот дроссель, по вашему мнению, должен стоять?

Мне вот кажется, что если пытаться решить эту задачу серьезно, то без контроля состояния контура и соотв. защит все это будут только танцы с бубном, более или менее успешные.

Дроссель ставится последовательно с нагрузкой, и, в сочетании с выходной емкостью ключей, приведет от жесткого переключения к квазирезонасному

[_gari]

дроссель как в LLC преобразователях.
или заложен в конструкцию выходного трансформатора или между полумостом и трансформатором.

так НЕТ трансформатора, посмотрите мои посты выше. где я разбирался с нагрузкой

Дроссель ставится последовательно с нагрузкой, и, в сочетании с выходной емкостью ключей, приведет от жесткого переключения к квазирезонасному

он вообще, черт знает к чему приведет, там кроме последовадовательного контура окажется еще и параллельный. И будет при этом зажигаться дуга так и вовсе вопрос.

[dimm.electron]

Выводы:
- Не хватает индуктивного тока для удержания потенциала полумоста после переключения. а) Великовато мертвое время. б) Не та расстройка в рагрузке.
а) Примените ИР21531, у нее 0,6мкс против 1,2мкс у ИР2153.
б) Сделайте индуктивную расстройку в нагрузке. Если никак, то поставьте дроссель компенсации параллельно нагрузке.

Эти импульсы могут быть и БУДУТ и при 0.6мкс и 0.1мкс дедтайма. Осциллограмму привел лишь для поддержки моих рассуждений, о том, что сдвиг фазы между током и напряжением непостоянен. И какие корректирующие цепочки тут не ставь, а результат будет один - хаотичное изменение фазы

Добавлю, что эти осциллограммы взяты выборочно. В других местах сдвиг между импульсом и открытием транзистора есть. К тому же в схеме стоит резистор 10 ом на заряд, чего не будет в реальном устройстве, соответственно сдвиг там будет больше и дедтайм нужен будет больше

Что настораживает, так это несимметрия синией картинки на рис 1 и рис 2. Будто у Вас есть постоянный ток в нагрузке или несимметрия управления.
И еще при переходе от рис 1 к рис 2 явно меняется характер нагрузки (индуктивность-емкость).

А я про что? Дуга настолько расстраивает LC контур, что характер его поведения то индуктивный, то активный, то емкостной

Дроссель ставится последовательно с нагрузкой, и, в сочетании с выходной емкостью ключей, приведет от жесткого переключения к квазирезонасному

На словах красиво, а на деле не понял. Как дроссель на входе "доберется" до транзисторов со своим квазирезонансом, если на его пути еще конденсатор и дроссель резонансного контура?

А дополнительный последовательный дроссель совместно с большим током намагничивания (зазором в магнитопроводе) смогут облегчить жизнь ключей

Поразмыслил еще. А мне он зачем в принципе? У меня дроссель в насыщение не входит. А ненасыщающийся дроссель ставиться, как предохранительный клапан, чтобы транзисторы не полетели до срабатывания защиты, если насытится основной. И для обеспечения ЭМС порой

И, господа, мы уходим в область, которая в принципе неинтересна и не нужна. Объясню почему. Да, имеем дело с дугой, которая с выходным LC контуром творит чудеса. Да, имеем, что сдвиг фаз может быть таков, что нагрузка аки активная, индуктивная или емкостная и все это за доли секунды. Но транзисторам то от этого что? Они подключены в первую очередь к ДРОССЕЛЮ и единственное требование к нему - не насыщаться. То есть на транзисторы ПРИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯХ приходится нагрузка чисто индуктивная, где царит один закон по большому счету - ток мгновенно измениться не может. И все. А дуга влияет только на направление тока в дросселе. Крутится у нас фаза и транзистор может включиться/выключиться когда ток возвращается в источник, или наоборот потребляется от него, а то и вовсе при нулевом токе переключаются. Если крутнуть до старта топика, то у меня был вопрос что за ... и что с ней делать. Разобрались - банально у драйвера не хватает сил управлять всей этой системой. И без разницы куда течет ток в дросселе - транзисторы должны переключаться при любом раскладе и влияние дуги тут в общем то ни при чем, пока дроссель нормально дышит

Сообщение отредактировал Herz - Nov 8 2015, 08:21

[wla]

Вы бы привели схему полностью. Ведь фоток вам не жалко..
Я уже лет 8 работаю с Ir2153 не для балластов, и знаю как они работают. В основном все проблемы с подключением нагрузки.

Сообщение отредактировал wla - Nov 8 2015, 06:55

[dimm.electron]

Не могу по понятным причинам - я этим на хлеб зарабатываю. На выходе кроме дросселя и емкости ничего нет сейчас. Электроды подключены проводами длиной около 1м. Провода к электродам идут вместе, но не перевиты, потому что в реальном устройстве будет точно так же. Да и суть топика не в "помогите, чтобы заработало", а в "помогите понять". Эта могла быть бага самой ирки. Что кстати до конца не исключено еще - мне надо три луча подключить, чтобы видеть сигнал с выхода, на затворе и на стоке, и тогда можно будет понять что да как. Но это уже следующий шаг, когда выход ирки умощню

Сообщение отредактировал dimm.electron - Nov 8 2015, 07:59

[НЕХ]

IRS27951 мощнее выход

[нищеброд]

Поскольку схемы нет, то и обсуждать нечего.

[Integrator1983]

На словах красиво, а на деле не понял. Как дроссель на входе "доберется" до транзисторов со своим квазирезонансом, если на его пути еще конденсатор и дроссель резонансного контура?

Доберется легко. Ток-то переменный. Но проще, наверное, по первичной стороне с дросселем играться.

[wla]

Поскольку схемы нет, то и обсуждать нечего.

Приведите, плиз, еще схемку, где вместо транзисторов идеальный ключ с идеальным антипараллельным диодом. Чиобы старттопик понял, что не в IR2153 дело, а в большом deat-time и в нагрузке.
Кстати, у IR27951 пауза адаптивная.


Сообщение отредактировал wla - Nov 8 2015, 10:59

[dimm.electron]

IRS27951 мощнее выход

У нее заточка под другое. Был бы смысл заморочиться, если бы выход на 2А был, а так шило на мыло менять

Поскольку схемы нет, то и обсуждать нечего.

Эээ, что еще то надо? Не показан только источник напряжения 400В да LC контур на выходе

Доберется легко. Ток-то переменный. Но проще, наверное, по первичной стороне с дросселем играться.

Как с ним играться?

Чиобы старттопик понял, что не в IR2153 дело, а в большом deat-time и в нагрузке.
Кстати, у IR27951 пауза адаптивная.

Ставил IR21531, которая в загашнике была - принципиально ничего не изменилось. Только транзисторы сильнее разогреваются в критических режимах


Как обещал, переделал схему. BISS транзисторы в пути, поэтому играюсь пока с тем, что есть.


Переделал один раз схему - в целом нормально работает. Но по осцилограмме было видно отрицательные напряжения на затворе. Раньше с ними боролся BAV99 диод (см первое сообщение), а сейчас никто не борется. Стал беспокоиться за жизнь PNP транзистора, потому что легко превысить максимальное напряжение эммитер-база. Переделал еще раз схему, добавив стабилитрон, пытаясь убить двух зайцев - убрать отрицательный выброс и ограничить всплески напряжения на затворе, если такие есть. Развел вроде более менее корректно - все токи идут в одну точку. Но все равно стабилитрон надо переносить прямо к транзистору, потому что в этом месте он делает вот такую "пользу" (фото "без стабилитрона" и "со стабилитроном")


Собственно напряжения на дуге снял. Сначала поджиг (пик-пик более 2кВ), дальше пробой, при этом там чуть ли не КЗ получается (пик-пик ~200В), в в кадр не попал выход на стабильный режим (пик-пик ~800В)



Сообщение отредактировал dimm.electron - Nov 11 2015, 12:52

[#Wanderer]

Конденсатор C18, на схеме из первого поста. При использовании одного транзистора в плече ёмкость желательна не меньше 0,22 мкФ и при использовании двух транзисторов не менее 0,47 мкФ. Мелочь, но влияет на работу IR.

[dimm.electron]

Возможно. Но в большей степени это зависит от заряда затвора, а не от усиливающего каскада

Обещал отписаться

Приехали платы и BISS транзисторы

Картинка в рабочем режиме. Причем без разницы, стоят BC807 или PBSS5350T, картинка ни качественно ни количественно не меняется
На затворе


На стоке




Самый худший импульс с PBSS5350T на затворе


Самый худший импульс с BC807-40 на затворе

На стоке


Возбуд при открытии транзистора могу объяснить только кривоватой разводкой (хотя как тут ровнее развести...) и, что наиболее вероятно, просто наводками на щуп. Аккумуляторного осциллографа нет, чтобы это проверить. На стоке все достаточно чисто. Если посмотреть осциллограмму худших импульсов на затворе, то видно, что при открытии верхнего транзистора, есть всплеск, но даже в пике он не доходит до напряжения плато Миллера. Можно считать проблему сквозных токов решенной. Эксперимент показал, что в BISS транзисторах нет необходимости. Как в рекламе, если не видно разницы...

[Herz]

Можно считать проблему сквозных токов решенной. Эксперимент показал, что в BISS транзисторах нет необходимости. Как в рекламе, если не видно разницы...

Так каков же итоговый вывод? В чём Вы видите решение проблемы? В разводке?

[raptor]

проблема с выбором транзисторов для преобразователей работающих в режиме ZVS давно известна и статей на эту тему не один десяток. M5 точно не лучший выбор для данного преобразователя и если их использовать, то лучше исключить внутренний диод с помощью диода Шоттки и внешнего диода (можно и SiC применить). Вот выбросы на затворе однозначно из-за паразитных ёмкостей в транзисторе при высоком значении dv/dt, т. к. видно, что дуговом разряде очень много нестационарных процессов. Остаётся добавить снабберы и проблема, скорее всего, пропадёт.

[_gari]

Причем без разницы, стоят BC807 или PBSS5350T, картинка ни качественно ни количественно не меняется

какие уровни и какое выходное сопротивление кскада работающего на драйвер?
При 47 Ом в эмиттере, какой-то разницы ожидать и не стоило.

[dimm.electron]

Так каков же итоговый вывод? В чём Вы видите решение проблемы? В разводке?

Если вернуться к стартовому сообщению, то и разводка и схема. Но все это естественно относится ТОЛЬКО к моему случаю - был бы на выходе трансформатор (статичная нагрузка), то и проблемы бы не было

M5 точно не лучший выбор для данного преобразователя и если их использовать, то лучше исключить внутренний диод с помощью диода Шоттки и внешнего диода (можно и SiC применить).

Выше мне так и не смогли внятно объяснить в цифрах, чем такие транзисторы лучше выбранного мной. Зато ценник, при нынешнем курсе, на новомодные транзисторы просто конский

Остаётся добавить снабберы и проблема, скорее всего, пропадёт.

C, RC, RCD снабберы не помогают. Точнее помогают при поджиге, но при переходе в стационарный режим превращаются в нехилую грелку или сами или греют транзисторы

какие уровни и какое выходное сопротивление кскада работающего на драйвер?
При 47 Ом в эмиттере, какой-то разницы ожидать и не стоило.

Не понял вопрос. А по поводу 47 Ом - резистор стоит на открытие полевого транзистора, а при закрытии этот резистор шунтируется диодом

Сообщение отредактировал dimm.electron - Jan 21 2016, 09:13

[Herz]

Не понял вопрос. А по поводу 47 Ом - резистор стоит на открытие полевого транзистора, а при закрытии этот резистор шунтируется диодом

Это не совсем правильно. Для биполярных ключей такая техника годилась, а ёмкость затвора полевых нужно, по возможности, и заряжать быстро, и разряжать.

[dimm.electron]

Не совсем. В моем случае уменьшение этого сопротивления влечет за собой:
1. Уменьшение времени переключения -> Увеличение dV/dt -> увеличение влияния эффекта Миллера, а весь топик именно с ним и боремся.
2. Уменьшение сопротивления уменьшает стойкость IRки к защелкиванию.
3. При более быстрых фронтах растет число высших гармоник, что очень пагубно сказывается на ЭМС и стойкости самой системы управления к этим гармоникам
Последние два пункта ключевые. Но в случае IRки, где драйвер сам имеет сопротивление десятки-сотни Ом, резистор исключительно от защелкивания стоит

В импульсных блоках питания не стремятся переключать транзисторы мгновенно (исключение резонансные ИБП, но там другая кухня). Я еще ни одного блока питания не встречал, чтобы там не стоял резистор или что-то другое для затягивания фронта. Начиная от адаптеров на пару десятков Ватт и заканчивая трехфазными инверторами на десятки киловатт. Даже на материнских платах и видеокартах многофазные контроллеры с драйверами и те с подобными резисторами стоят, а там частоты порой не чета сетевым блокам питания

Сообщение отредактировал dimm.electron - Jan 21 2016, 13:10

[Oxygen Power]

Если в стоке транзистора нагрузка индуктивная, тогда имеет смысл затягивать фронт включения.

[dimm.electron]

При чем здесь тип нагрузки? С другой нагрузкой не надо что ли?

[Oxygen Power]

Нет, не надо. Сомневающимся хорошо бы повторить основы теории цепей.

[dimm.electron]

Заявление прозвучало очень обще, почему и переспросил. С активной нагрузкой или вообще без нагрузки будут те же проблемы с эффектом Миллера, сквозными токами и, как следствие, повышенным уровнем помех от устройства. Поэтому фронт затягивают не для "нагрузки", а для обеспечения правильной работы транзисторов и снижения уровня гармоник при переключениях

[Oxygen Power]

dimm.electron, исходя из ваших слов затягивание фронта справедливо в любом случае, так как это уменьшает влияние эффекта Миллера и уровень помех. Неплохо для начала. Что вы вкладываете в термин "правильная работа транзистора"? Когда ощутимо проявляется эффект Миллера?
И хотелось бы выяснить какой сделать правильный режим работы транзистора, когда в стоке транзистора резистор или трансформатор или индуктивность или смесь из этих величин + паразитная ёмкость.

[dimm.electron]

Это слишком общие вопросы и если бы было все так просто, то не было бы столько проблем с проектированием импульсных преобразователей и столько их разновидностей

Правильная работа транзистора? Да все подряд, но в первую очередь это то, что закладывает проектировщик. Ведь только проектировщик знает какие требования предъявляются к преобразователю. У одного насыщающийся трансформатор - это ни-ни, а у кого то принцип работы преобразователя на этом основан (электронные трансформаторы). У одного огромный снаббер с диодами, многоваттными резисторами и тд, а у другого маленькая емкость на 1н и все. Поэтому Вы задаете настолько общие вопросы, по которым лекции и лекции читаются. Это тоже самое, что Ваше "повторить основы теории цепей"

Поэтому "правильная работа транзистора" вещь сугубо индивидуальная. Например, мой случай и если взять стартовую схему. Все работает, проблемы только при запуске. У меня, у импортных источников проблемы одни и те же. Только импортные производители забили на это (или не знали) и сказали, что транзисторы работают "правильно", а у меня проблема встала остро из-за миниатюризации и требования к "правильно работе транзисторов" поменялись. Ладно, изменил схему, сделал, чтобы транзисторы заработали "правильно" в моем случае без сквозных токов. И вот как я Вам должен объяснить "правильность работы транзистора" в зависимости от "в стоке транзистора резистор или трансформатор или индуктивность", если, в одной и той же схеме с одинаковой нагрузкой на выходе, требования разные? В одном случае сквозные токи - это переходной процесс и это нормально, а во втором сквозные токи недопустимы

Поэтому физически не могу дать ответ на поставленный вопрос. Поэтому могу только отписаться: правильная работа транзистора - это когда обеспечиваются заданные проектировщиком требования. А требования это и надежность, и величина ЭМП, и вес устройства, и размер и тд

[Oxygen Power]

Вы сами пишете о правильном режиме работы транзистора, вот на всякий случай и спросил об этом.
При индуктивной нагрузке ток в индуктивности нарастает линейно с нуля до некоторого значения (в граничном режиме и режиме разрывных токов), поэтому в этом случае сам бог велел завалить фронт импульса открывания транзистора. В схемах с трансформатором такой режим не всегда оправдан и может привести к дополнительным потерям на переключение. Сквозной ток через транзисторы устраняется введением мёртвого времени (это когда оба транзистора закрыты). Если время управления будет превышать мёртвое время, то появится сквозной ток, который может привести к ненадёжной конструкции.

Сообщение отредактировал Oxygen Power - Jan 23 2016, 18:15

[dimm.electron]

Сквозной ток через транзисторы устраняется введением мёртвого времени (это когда оба транзистора закрыты). Если время управления будет превышать мёртвое время, то появится сквозной ток, который может привести к ненадёжной конструкции.

Спасибо за ликбез, но описанных мной случаях сквозной ток был вовсе не из-за малого мертвого времени...

[Herz]

Спасибо за ликбез, но описанных мной случаях сквозной ток был вовсе не из-за малого мертвого времени...

Я что-то пропустил? А из-за чего?

[dimm.electron]

Я имел в виду в моем случае, описанном в данном теме. Недопоправил свое предыдущее сообщение У меня разогрев транзисторов был из-за сквозных токов не во время мертвого времени. Выше предлагали поставить IR21531 с вдвое меньшим мертвым временем, но от этого варианта отказался после экспериментов

Сообщение отредактировал dimm.electron - Jan 24 2016, 00:54

[shf_05]

C, RC, RCD снабберы не помогают. Точнее помогают при поджиге, но при переходе в стационарный режим превращаются в нехилую грелку или сами или греют транзисторы

попробуйте снабберы на насыщающихся сердечниках - мне однажды хорошо пригодилось, правда на диоды выпрямителя ставил, но пробовал и в каждый транзистор полумоста ставить и последовательно с нагрузкой полумоста (в последнем случае снаббер несколько греется, но меньше RCD), но красоту наводит страшную. Нагрева нет, выбросы много меньше чем у RCD.

[dimm.electron]

Можно пример, как такой снаббер к моему полумосту подключить?

[shf_05]

Можно пример, как такой снаббер к моему полумосту подключить?

http://mstator.ru/sites/default/files/pict...20part%20II.zip
тут полумоста нет, но я включал:
1. последовательно с трансформатором моста, что дало неплохой результат - нагрев кольца градусов на 30 выше окр. температуры, плюсом я посчитал некоторое удобство в разводке платы.
2. послед. с каждым транзистором полумоста- кольца холодные, но их надо 2, и проблемы со схемой и ее разводкой появились, оставил вариант 1.

[_Sergey_]

Для ТС: это особенности будут проявляться сильней, чем быстрее полевик.
И с карбидными полевиками с их пороговым напряжением Vgs=1.8В всё еще хуже.


Одно время думал статейку написать про процессы переключения, как-то не сподобился.
Интересно, поздно уже писать?

[Herz]

Отчего же поздно? Никогда не поздно. Напишите, лишней не будет.