реклама на сайте
подробности

 
 
> Максимальное сопротивление для подтяжки затвора
quarz
сообщение Jan 26 2016, 11:41
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Делаю коммутацию питания GSM модуля с плавным включением.
Для уменьшения потребления в открытом состоянии, затворы ключей собираюсь подтягивать мегаомными резисторами R1, R3. Это нормально, они не будут приоткрываться от наводок в отсутствии сигнала GSM_PWREN? Ведь сопротивление резисторов наверное сравнимо с входым сопротивлением затвора.

Подскажите, от чего отталкиваться в выборе подтяжек.

Go to the top of the page
 
+Quote Post
2 страниц V   1 2 >  
Start new topic
Ответов (1 - 24)
1113
сообщение Jan 26 2016, 11:57
Сообщение #2


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



Цитата(quarz @ Jan 26 2016, 14:41) *
Делаю коммутацию питания GSM модуля с плавным включением.
если под плавным включением подразумевается медленное нарастание напряжения питания, то так делать вредно

мегаом на затворе - норм
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 12:03
Сообщение #3


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Цитата(1113 @ Jan 26 2016, 14:57) *
если под плавным включением подразумевается медленное нарастание напряжения питания, то так делать вредно


Почему?
Время нарастания меньше 1мс, емкости (а их там 100 мкФ LowESR) будут заряжаться через Rdson без дикого сквозняка и просадок напряжения.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Jan 26 2016, 12:06
Сообщение #4


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



1мс - это не медленно.
а медленно плохо, потому что не все модемы нормально в таких условиях включаются

я правильно понял, что вы используете ключ только для этого?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 12:19
Сообщение #5


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Цитата(1113 @ Jan 26 2016, 15:06) *
1мс - это не медленно.
а медленно плохо, потому что не все модемы нормально в таких условиях включаются

я правильно понял, что вы используете ключ только для этого?


Ключ для обесточивания, т.к. в режиме Sleep модуль жрет 150 мкА.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Jan 26 2016, 12:23
Сообщение #6


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



тогда чем вы обеспечиваете скорость нарастания? цепочкой R2-C1?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 12:29
Сообщение #7


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



да, С1 заряжается через R2. Меня правда смущает что при плавном нарастании напряжении на затворе открываться он будет все равно шустро
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Jan 26 2016, 12:47
Сообщение #8


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



более того этот узел не поддаётся адекватному расчёту
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 16:04
Сообщение #9


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Ну почему же не поддается? У транзистора известно Vgsth - напряжение затвора, когда он начинает открываться и крутизна тоже известна
Go to the top of the page
 
+Quote Post
1113
сообщение Jan 26 2016, 16:05
Сообщение #10


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 604
Регистрация: 24-02-06
Из: Москва
Пользователь №: 14 658



и какое же Vgsth конкретно у вашего транзистора, и у 100 других?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 18:02
Сообщение #11


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



для PMPB15XP от -0.47 до -0.9 и судя по графикам из даташита уменьшается с ростом температуры 3мВ\градус.
1113, если вы так лихо критикуете - то и предложите как улучшить, если знаете как
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Ga_ry
сообщение Jan 26 2016, 19:33
Сообщение #12


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 494
Регистрация: 23-06-09
Из: Полтава, UA
Пользователь №: 50 579



Если этот мосфет сделан по тренч-технологии то перевод в линейный режим грозит его деградацией и выгоранием со временем.
Используйте биполярный транзистор.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Aner
сообщение Jan 26 2016, 20:00
Сообщение #13


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



Берем пц-спайc, микрокап и там все эмулируется без проблем. R1, R3 в один мегом делают более чувствительные затворы к помехам.
Кроме проверки схемы еще проверить разводку цепей и земель оч желательно. Q1 как IRLML6402 ( к тому же HEXFET он ) может получше и подешевле будет, и в затвор ему биполярник.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ШСА
сообщение Jan 26 2016, 20:06
Сообщение #14


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 291
Регистрация: 11-04-14
Из: Саратов
Пользователь №: 81 335



Цитата(Ga_ry @ Jan 26 2016, 22:33) *
Если этот мосфет сделан по тренч-технологии то перевод в линейный режим грозит его деградацией и выгоранием со временем.

А нельзя ли поподробней?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Guest_TSerg_*
сообщение Jan 26 2016, 20:34
Сообщение #15





Guests






Цитата(ШСА @ Jan 26 2016, 23:06) *
А нельзя ли поподробней?


Эти страшилки - для больших относительных токов.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Plain
сообщение Jan 26 2016, 20:58
Сообщение #16


Гуру
******

Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710



Какие ещё мегаомы, когда модем потребляет амперы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Herz
сообщение Jan 26 2016, 21:10
Сообщение #17


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата(Ga_ry @ Jan 26 2016, 21:33) *
Если этот мосфет сделан по тренч-технологии то перевод в линейный режим грозит его деградацией и выгоранием со временем.
Используйте биполярный транзистор.

Как я отстал... Думал, это технология изготовления IGBT.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 22:01
Сообщение #18


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Цитата(Plain @ Jan 26 2016, 23:58) *
Какие ещё мегаомы, когда модем потребляет амперы.


Модем-то потребляет миллиамперы, но в устройстве он большую часть времени спит и средний ток мал.
Ну и биполярник тут не годится, нужно сопротивление открытого ключа в десятки мОм
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Guest_TSerg_*
сообщение Jan 26 2016, 22:05
Сообщение #19





Guests






Цитата(Herz @ Jan 27 2016, 00:10) *
Как я отстал... Думал, это технология изготовления IGBT.


Лучше всего, для коммутации тока в носимых девайсах, использовать давно и хорошо себя зарекомендовавшие неубиваемые полупроводниковые элементы:

Прикрепленное изображение
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Plain
сообщение Jan 26 2016, 22:19
Сообщение #20


Гуру
******

Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710



Цитата(quarz @ Jan 27 2016, 01:01) *
Модем-то потребляет миллиамперы, но в устройстве он большую часть времени спит и средний ток мал.

Во время сна, на всех резисторах Вашей схемы напряжение ноль, так что, какие эти резисторы номиналом — абсолютно без разницы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Aner
сообщение Jan 27 2016, 10:08
Сообщение #21


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



QUOTE (Plain @ Jan 27 2016, 02:19) *
Во время сна, на всех резисторах Вашей схемы напряжение ноль, так что, какие эти резисторы номиналом — абсолютно без разницы.

Правильно сказать, что на концах резисторов почти равные потенциалы и почти не течёт ток. Но чем выше номинал резистора в затворе, тем он более чувствителен к наведенным различным помехам. Если без разницы, то и не ставили туда резисторы. Зачем то их ставят; может поясните зачем?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 27 2016, 10:56
Сообщение #22


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Потенциал на затворе может навестись электромагнитным полем от протекающего тока через другие проводники на плате, правильно? Или от электростатического потенциала.
А резистор шунтирует затвор, позволяя току стечь на исток и выровнять потенциал затвора с истоком.

Вот как оценивать эти поля и наводки.
Например, если можно было бы оценить для конкретной платы мощность этих помех, к примеру: не более 16 мкВт, то можно уже и резистор рассчитать.

Ключ начинает открываться при Vgs=0.4В, значит на резисторе должно падать меньше Vgs, т.е. R<V^2/P; R < 10 КОм
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Ga_ry
сообщение Jan 27 2016, 12:38
Сообщение #23


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 494
Регистрация: 23-06-09
Из: Полтава, UA
Пользователь №: 50 579



Цитата(ШСА @ Jan 26 2016, 22:06) *
А нельзя ли поподробней?

Суть в том что тренч это сотни/тысячи маломощных транзисторов включеных параллельно для уменьшения итогового RDS мосфета но крутизна каждого из них неодинакова, поэтому при заходе в линейный режим некоторая часть транзисторов будет открываться раньше и весь ток нагрузки потечет через них. Результат - локальный перегрев и отказ единичных транзисторов.
Т.е. эти мосфеты можно применять только в режиме переключения, но никак не в линейном режиме.

Есть апноут от IRF an-1155 Linear Mode Operation of Radiation Hardened MOSFETS
там все подробно изложено.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ШСА
сообщение Jan 27 2016, 13:34
Сообщение #24


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 291
Регистрация: 11-04-14
Из: Саратов
Пользователь №: 81 335



Спасибо за ссылку.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
shat
сообщение Jan 29 2016, 04:53
Сообщение #25





Группа: Участник
Сообщений: 8
Регистрация: 26-01-16
Пользователь №: 90 203



Цитата(quarz @ Jan 26 2016, 12:41) *
Делаю коммутацию питания GSM модуля с плавным включением.
Для уменьшения потребления в открытом состоянии, затворы ключей собираюсь подтягивать мегаомными резисторами R1, R3. Это нормально, они не будут приоткрываться от наводок в отсутствии сигнала GSM_PWREN? Ведь сопротивление резисторов наверное сравнимо с входым сопротивлением затвора.

Подскажите, от чего отталкиваться в выборе подтяжек.


По основному роду деетельности занимаюсь ремонтом ноутбуков.
Подобные "включатели" в них применяются в адских количествах и, на практике, не горят без видимых причин.
Единственные проблемы которые видел это "включающий" резистор(R2 в вашем случае) явно нездорового номинала(10 MOm) + остатки плохо "прожаренного" безотмывочного флюса создающие утечку в R1.
В сырую погоду транзистор открывался плохо и всё переставало работать. laughing.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V   1 2 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 13:46
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01566 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016