IRLML2502 максимальное напряжение на затворе Опции

[Arlleex]

Добрый день!

Есть задача управлять небольшим трехфазным PMSM двигателем (от HDD). На обмотки буду подавать 12В, управляющее напряжение - +5В.
Схема примерно такая:


Нижние ключи так и остаются, верхние же нужно подключать драйвером. Драйвер воротить не хочется, буду просто подавать 12 + 5 = 17В на затвор через биполярный транзистор. Ключ выбрал с учетом возможности управления логическим уровнем - IRLML2502.

В общем-то, напряжение нужно выдерживать между затвором-истоком, которое в открытом состоянии будет равно 17 - 12 = 5В, т. е. как и у транзистора нижнего плеча.

Вопрос в том, где в даташите смотреть максимально возможное напряжение относительно земли, подаваемое на затвор, ведь, как никак, 17В для IRLML уже не хорошо (наверное)?

Благодарю за внимание!

[smalcom]

gate-drain breakdown voltage называется.

[Arlleex]

smalcom, нет таких параметров у транзистора (посмотрел у нескольких транзисторов). Есть Drain-to-Source Breakdown Voltage, но это максимальное напряжение сток-исток, т. е., в моем случае - фазное напряжение питания обмоток, но никак не напряжение на затворе

[Herz]

Не пойму Ваших затруднений. На первой же странице даташита есть табличка с названием Absolute Maximum Ratings. В ней предпоследней строчкой указано Gate-to-Source Voltage.

[Arlleex]

Herz, таким образом главное - это выдержать напряжение на затворе относительно истока не выше 12В?

[Herz]

Herz, таким образом главное - это выдержать напряжение на затворе относительно истока не выше 12В?

А можно понять эту строчку как-то иначе?

[Arlleex]

Ну, всякое бывает

Посмотрел я схемы драйверов на транзисторах, в принципе, все понятно, и я набросал схему (рисунок слева, см. ниже).
Т.е. имеем входные 12В, через DC/DC преобразователь повышаем до 17В, чтобы подать на затвор верхнего n-канального полевого транзистора.
Двухтактный каскад на биполярных транзисторах как раз образует потенциал в 17В на затворе.
Но в нескольких попавшихся мне схемах, основанных на применении двухтактного каскада, коллектор нижнего транзистора в соединен с истоком полевого. Просимулировал в мультисиме, оба варианта работают одинаково.
Я так понимаю, во второй схеме при открытии нижнего транзистора PNP на его эмиттере будет не все 17В, как на первой схеме, а всего лишь 5 (относительно коллектора). Но смысл?


Сообщение отредактировал Arlleex - Feb 6 2016, 19:53