Полевик как ключ переменного тока Опции

[fpga_student]

Добрый день.

Возник вопрос: есть вот такая схема: http://www.kondratev-v.ru/kommutatory/tran...nnogo-toka.html,
в описании ее работы сказано: "...Тогда ток нагрузки потечет от клеммы 3 к клемме 5, через нагрузку к клемме 6, далее через внутренний защитный диод транзистора VT2, через открытый транзистор VT1 к клемме 4..."

А вот здесь сказано: https://www.macmachine.ru/blog/tranzistor_polevoj.html
"...МОП транзистор, в открытом состоянии, будет пропускать ток как от истока к стоку, так и от стока к истоку. ... "

Так вот у меня вопрос, по схеме из первой статьи: все-таки, если оба полевых транзистора открыты, ток в обоих транзисторах будет течь через основной канал, или в одном (встречном) через паразитный диод ?
Если ток идет через основной канал в обе стороны, чему равно RdsOn для обратного включения ?

Если все-таки через паразитный диод, как рассчитать допустимый ток и падение на ключе ?

Сообщение отредактировал fpga_student - Dec 11 2017, 16:21

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Alex11]

Если транзистор открыт в обоих случаях, то ток течет через канал и Rdson одинаковый для обоих направлений тока. Нужно только убедиться, что транзистор открыт в обоих случаях.

[fpga_student]

Если транзистор открыт в обоих случаях, то ток течет через канал и Rdson одинаковый для обоих направлений тока. Нужно только убедиться, что транзистор открыт в обоих случаях.

ТЕ описание схемы неправильное, и в действительности ток идет НЕ через паразитный диод ?

Насколько я понимаю, речь о поведении полевика в области малых Vdc.

https://malmon.ru/radioehlektronika/teoriya...m-rezistor.html

"Мы уже обратили внимание на интересное свойство полевого транзистора при малых значениях VDC, которого нет у биполярного транзистора. В этой области напряжение затвора способно изменять сопротивление канала сток- исток. Понятно, что в области А на рис. 6.9 у каждой характеристики в начале координат разный наклон. Обращаясь к рис. 6.5 и 6.7, видим, что этого эффекта нет у биполярного транзистора.

Таким образом, полевой транзистор можно использовать как управляемый напряжением переменный резистор для изменения величины сигналов переменного или постоянного тока; эта возможность используется в системах автоматической регулировки усиления."



Сообщение отредактировал fpga_student - Dec 11 2017, 17:19

[alexvu]

Оба откроются, вроде бы.
Но обратите внимание, что открывание будет происходить медленно (могут сгореть транзисторы),
а особенно медленно - при подаче 220В во время заряда 10мкф.
Вот на это и надо делать расчет. (а может, проще в схему добавить драйвер с защитами).

[fpga_student]

Оба откроются, вроде бы.
Но обратите внимание, что открывание будет происходить медленно (могут сгореть транзисторы),

Почему ?

а особенно медленно - при подаче 220В во время заряда 10мкф.
Вот на это и надо делать расчет

Предположим, что транзисторы нормально отключенные...и конденсатор заряжается вхолостую.
Это решает проблему ?

(а может, проще в схему добавить драйвер с защитами).

какой например ?

Ltspice показывает что чего-то работает

Сообщение отредактировал fpga_student - Dec 11 2017, 18:33

Эскизы прикрепленных изображений

 

[варп]

Цитата:
...Подключение A используется для коммутации нагрузки переменного или постоянного тока. В этом случае ток течет через канал «сток-исток» одного транзистора и объемный диод стока второго. При изменении направления тока в нагрузке, соответственно меняется и направление тока в паре транзисторов.
https://www.compel.ru/lib/ne/2009/12/6-opto...ional-rectifier

[fpga_student]

Цитата:
...Подключение A используется для коммутации нагрузки переменного или постоянного тока. В этом случае ток течет через канал «сток-исток» одного транзистора и объемный диод стока второго. При изменении направления тока в нагрузке, соответственно меняется и направление тока в паре транзисторов.
https://www.compel.ru/lib/ne/2009/12/6-opto...ional-rectifier

Те правильно я понимаю, если зашунтировать внутренние диоды полевиков диодами с маленьким падением (1 В например), все должно быть ОК ?

Сообщение отредактировал fpga_student - Dec 11 2017, 18:45

[Plain]

Ток течёт через два канала до превышения падения напряжения на одном из них порога открытия внутреннего диода — тогда соответствующая часть тока начинает течь через него и линейный рост напряжения на данном транзисторе меняется на логарифмический, а рассеиваемой мощности, соответственно, с квадратичного на практически линейный.

Параметры внутренних диодов есть в любом паспорте любого полевого транзистора.

Взрывоопасную схему естественно требуется переделать в нормально закрытую.

[fpga_student]

Ток течёт через два канала до превышения падения напряжения на одном из них порога открытия внутреннего диода — тогда соответствующая часть тока начинает течь через него и линейный рост напряжения на данном транзисторе меняется на логарифмический, а рассеиваемой мощности, соответственно, с квадратичного на практически линейный.

Параметры внутренних диодов есть в любом паспорте любого полевого транзистора.

Взрывоопасную схему естественно требуется переделать в нормально закрытую.

спасибо