Экономичная внешняя память., Объем и скорость небольшие. 1 мегабайт в сутки. Опции

[Tanya]

Что выбрать для наименьшего потребления?

[blackfin]

SST25WF080B, W25Q80NE?

[HardEgor]

Что выбрать для наименьшего потребления?

Всё так загадочно 1Мб - это объем или скорость записи данных? Внешняя это вставляемая в разъем энергонезависимая или в виде отдельного чипа?
Так-то минимальное потребление у статической RAM.

[Tanya]

Всё так загадочно 1Мб - это объем или скорость записи данных? Внешняя это вставляемая в разъем энергонезависимая или в виде отдельного чипа?
Так-то минимальное потребление у статической RAM.

Мне казалось, что понятно. Объем - мегабайт. Заполняется равномерно и считывается раз в сутки. Считывается... ну пусть несколько минут даже дистанционно. Блютуз.

[_4afc_]

Мне казалось, что понятно. Объем - мегабайт. Заполняется равномерно и считывается раз в сутки. Считывается... ну пусть несколько минут даже дистанционно. Блютуз.

Может посмотреть на FRAM? MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 в спящем режиме 10мкА 1.8В

А то по 12 байт в секунду писать во флеш как-то не спортивно.

[krux]

да уж.
лучше опишите периодичность и количество данных в разбивке
- на запись
- на чтение

и ещё какое поведение ожидаете в режиме когда записывается и читается один и тот же байт данных

[_pv]

обычный sram может быть довольно маложорким <мка, если параллельный интерфейс не проблема.

[bloody-wolf]

а чем не устраивает обычная spi flash память? в режиме сна несколько мкА, а записывать в нее можно не постоянно, а пачками, например накопили буфер на несколько килобайт, записали, спим, копим и тд.?

например at25sf081 в режиме глубокого сна жрет 2-5мкА, входит в сон и выходит из него за 5мкс, т.е. вполне низкон потребление, или , если уж совсем надо чтоб жрало мало во сне, применительно к флешам с токами рабочими до 25мА, можно их питать через логику, например lvc, и просто гасить им питание после записи и опускать все ноги интерфейсов в ноль. логика в статике жрет сотни наноампер.

Сообщение отредактировал Herz - Aug 21 2018, 15:38

[jcxz]

Кто в лес кто по дрова... и SRAM и FLASH и FRAM.... А барышня понимает разницу между этими типами памяти?

[@Ark]

Кто в лес кто по дрова... и SRAM и FLASH и FRAM.... А барышня понимает разницу между этими типами памяти?

Уверен, что понимает.
Как вариант, можно хранить данные в программной FLASH памяти МК. Если, конечно, МК допускает такую запись...
Это один из самых экономичных вариантов, не только по потреблению тока, но и по себестоимости...

[DASM]

Может посмотреть на FRAM? MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 в спящем режиме 10мкА 1.8В

А то по 12 байт в секунду писать во флеш как-то не спортивно.

Я в шоке. Куда они жрут 10 мка? Целый микроконтроллер 100 нА кушает да ещё и с RTC идущим вроде как. Ну может более, неважно. А 10 мкА то ей зачем, проще ее вообще тогда вырубить.

[_4afc_]

Я в шоке. Куда они жрут 10 мка? Целый микроконтроллер 100 нА кушает да ещё и с RTC идущим вроде как. Ну может более, неважно. А 10 мкА то ей зачем, проще ее вообще тогда вырубить.

Вырубить любую внешнюю ПЗУ транзистором - будет самый эффективный вариант.

микроконтроллеры 100 нА не кушают. Это только в режиме работы от батареи, когда озу умерло и есть около 1кб регистров и RTC

есть и маложрущая память в спячке 1нА, но она по 256кбит пока только.

Вообще вопрос ТС не понятен - нам надо добавить память к готовой системе (какой?) или предложить всю систему?

[DASM]

"STM32L476xx devices feature up to 128 Kbyte of embedded SRAM. This SRAM is split into
..... 32 Kbyte located at address 0x1000 0000 with hardware parity check (SRAM2).
This block is accessed through the ICode/DCode buses for maximum performance.
These 32 Kbyte SRAM can also be retained in Standby mode.
200 нА

[blackfin]

...
These 32 Kbyte SRAM can also be retained in Standby mode.
200 нА

Дело за малым - поставить 32 штуки STM32L476xx впараллель и получить суммарный ток потребления: 32*0.2 = 6.4 мкА..

Winbond W25QxxNE 1.2V and W25QxxND extended 1.5V parts are the industry’s lowest NOR Flash voltages in 8-pin packages:
– Single 1.14V to 1.3V supply for 1.2V family
– Single 1.14V to 1.6V supply for extended 1.5V family
– 2mA active current
– < 0.5μA Power-down current
– -40°C to +85°C operating range

Правда, пока только в виде семплов..

[DASM]

да я просто не понимаю, зачем энергонезависимая память вообще что-то потребляет в спячке?

[aaarrr]

These 32 Kbyte SRAM can also be retained in Standby mode.
200 нА

Не 200нА, а плюс ~230нА к остальному при 25°C. А что там при 85°C, например?

да я просто не понимаю, зачем энергонезависимая память вообще что-то потребляет в спячке?

Удивительно, да

[esaulenka]

"STM32L476xx devices feature up to 128 Kbyte of embedded SRAM. This SRAM is split into
..... 32 Kbyte located at address 0x1000 0000 with hardware parity check (SRAM2).
This block is accessed through the ICode/DCode buses for maximum performance.
These 32 Kbyte SRAM can also be retained in Standby mode.
200 нА

Учу читать даташиты. Недорого. Сегодня пробное занятие, бесплатно.

Даташит STM32L476xx
- страница 1:
120 nA Standby mode (5 wakeup pins)
- страница 27:
Mode: Standby, Consumption: 0.35 µA w/o RTC, 0.65 µA w/ RTC
сноска 3. Typical current at VDD = 1.8 V, 25°C. Consumptions values provided running from SRAM, Flash memory Off, 80 MHz in Range 1, 26 MHz in Range 2, 2 MHz in LPRun/LPSleep.
- страница 143
Supply current in Standby mode (backup registers retained), RTC disabled
Vdd = 3V, temp=+85C: 2.6uA typ, 5.2uA max.
Если подогреть ещё на 40 градусов и подать 3.6 вольта, получаем 43uA max.


MB85RS1MT
Sleep current IZZ 10uA max
(within recommended operating conditions)
т.е. и при +85 градусах и 3.6 вольтах напряжения в том числе.

[Plain]

Самое дешёвое и простое уже подсказали выше — накапливать пакет в ОЗУ МК и скидывать его во внешнюю FLASH.

[DASM]

Не 200нА, а плюс ~230нА к остальному при 25°C. А что там при 85°C, например?


Удивительно, да

да, удивительно. Если при подаче питания она просто долго думает, то делают два сна, один жрущий и мгновенный, другой наноамперы и долгий. Тут судя по всему не допилили второй вариант

Учу читать даташиты. Недорого. Сегодня пробное занятие, бесплатно.

Даташит STM32L476xx
- страница 1:
120 nA Standby mode (5 wakeup pins)
- страница 27:
Mode: Standby, Consumption: 0.35 µA w/o RTC, 0.65 µA w/ RTC
сноска 3. Typical current at VDD = 1.8 V, 25°C. Consumptions values provided running from SRAM, Flash memory Off, 80 MHz in Range 1, 26 MHz in Range 2, 2 MHz in LPRun/LPSleep.
- страница 143
Supply current in Standby mode (backup registers retained), RTC disabled
Vdd = 3V, temp=+85C: 2.6uA typ, 5.2uA max.
Если подогреть ещё на 40 градусов и подать 3.6 вольта, получаем 43uA max.


MB85RS1MT
Sleep current IZZ 10uA max
(within recommended operating conditions)
т.е. и при +85 градусах и 3.6 вольтах напряжения в том числе.

И чо? Я вообще только про память писал, а если подогреть до 120 градусов и подать 4.2 вольта и пару рентген в час добавить, то и еще больше будет. Дальше то что?

[aaarrr]

да, удивительно. Если при подаче питания она просто долго думает, то делают два сна, один жрущий и мгновенный, другой наноамперы и долгий.

И третий с внешним холодильником.

И чо? Я вообще только про память писал...

Интересно, а кто же про STM32L476xxx писал?

[jcxz]

есть и маложрущая память в спячке 1нА, но она по 256кбит пока только.
Вообще вопрос ТС не понятен - нам надо добавить память к готовой системе (какой?) или предложить всю систему?

Память на перфокартах ещё меньше жрёт. И под требования ТС вполне подходит.

These 32 Kbyte SRAM can also be retained in Standby mode.
200 нА

Это только SRAM? А остальная требуха STM32L476xx? Удалить напильником?

[DASM]

Память на перфокартах ещё меньше жрёт. И под требования ТС вполне подходит.


Это только SRAM? А остальная требуха STM32L476xx? Удалить напильником?

я вообще не понимаю, что мы тут обсуждаем. Может мне кто нибудь сказать, зачем энергонезависимой памяти нужна энергия в спячке? Она нужна ровно в той же степени что и перфокартам. Но тем не менее она ее кушает

[Владивольт]

зачем энергонезависимой памяти нужна энергия в спячке?

М.б. чтобы не проспать обращение к ней. Вдруг кто-то захочет содержимое прочитать.
Как дежурный режим у телевизора - чтобы увидеть посылку от пульта.
Альтернатива - выдерни вилку из сети, потребление уберём, но тогда пультом не включить.

[aaarrr]

Может мне кто нибудь сказать, зачем энергонезависимой памяти нужна энергия в спячке?

Сферической в вакууме - не нужна. Обычная же течет. Точно так же, как и помянутый зачем-то STM32.

[DASM]

Сферической в вакууме - не нужна. Обычная же течет. Точно так же, как и помянутый зачем-то STM32.

Ну е мое.. , и много транзистор, перекрывающий питание натечет? Так и запишем - режим off просто нереализован, ставьте внешний транзистор, производитель сэкономил

[=GM=]

1) AT25DF081A, 1 Mбайт, 5 мкА в глубокой спячке

2) M24M02-DR, 256 Кбайт, 3 мкА в спячке.

[zombi]

А как узнать какой ток "кушает" проц, если питание 3V и на, последовательно включенном, диоде BAT54 падает 60 mV?

[rx3apf]

Как вариант, заменить процессор резистором, подобрав номинал для такого же падения на переходе. Но чтобы температура была в точности такая же, иначе наврет... Но к обсуждаемому вопросу это никакого отношения не имеет.

Сообщение отредактировал rx3apf - Aug 21 2018, 21:03

[k155la3]

если флеш - посмотрите Adesto (ex-Atmel) AT45DB081E.
2 буфера SRAM, есть режим ultra-deepSleep. Страницы - 264 байта. Емкость - 1 М байт. SPI.
Запись собственно в массив флеш идет асинхронно (без участия процессора через SPI)
Организация - блоки, сектора, страницы. Если записывать как советует Plain - вполне подойдет.
"драйверные" модули можно найти. А можно и не искать, док читабельный.

Low-power dissipation
 400nA Ultra-Deep Power-Down current (typical)
 4.5µA Deep Power-Down current (typical)
 25µA Standby current (typical)
 11mA Active Read current (typical at 20MHz)

AT45DB081E DS