NAND и NOR флэшки., в чем принципиальная разница ? Опции

[Demeny]

Поисковики на этот вопрос выдают кучу ссылок с технологическими подробностями. А может, кто "на пальцах" объяснит основные отличия flash memory, сделанных по технологиям NAND и NOR, с точки зрения разработчика, использующего эти флэшки в своих схемах ?
Тогда уж в догонку - отличия FLASH-памяти и EEPROM-памяти. Вроде и та и та пишутся и стираются электрическим путём.

Сообщение отредактировал Demeny - Oct 26 2006, 09:42

[KykyryzzZ]

По поводу разницы между Flash и EEPROM почитайте по ссылкам ->
http://en.wikipedia.org/wiki/EEPROM
http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory

[Demeny]

NOR имеют random доступ и раздельные шины адрес данные, как в RAM, но работают медленно, их ставят в bootrom
NAND имеют последовательный доступ и очень неудобный интерфейс, кучу ограничений, но офигенно быстрые, ну в сравнении с ROM/FLASH, конечно, и используются для хранения данных.

Дык нельзя было сделать и интерфейс удобный (как NOR), и доступ быстрый (как NAND) ?
И не очень понятно, как последовательный доступ может опережать по скорости параллельный (адрес-данные) ?
И откуда такие названия NAND и NOR , что-то напоминает мне логические операции AND и OR ...

[vetal]

Дык нельзя было сделать и интерфейс удобный (как NOR), и доступ быстрый (как NAND) ?

У самсунк такая есть - onenand, по моему называется. Она NAND, с интерфейсом NOR.

И не очень понятно, как последовательный доступ может опережать по скорости параллельный (адрес-данные) ?

Очень просто у NOR - время доступа к ячейке 100+ ns, а у nand "Serial Access : 30ns(Min.)". Т.е. быстродействие NAND в пакетном режиме в 3 разы выше чем NOR.

[Alex11]

Про самое главное отличие почему-то никто не написал. NAND имеет некоторое количество bad-блоков, что не является признаком неисправности. Для NOR наличие хотя бы одной ячейки с постоянной ошибкой записи является признаком неисправной детали. При записи в NAND требуется использовать корректирующие коды или полный контроль записи, для NOR это не обязательно.

[Alex B._]

>> При записи в NAND требуется использовать корректирующие
>> коды или полный контроль записи, для NOR это не обязательно.

Угу, и именно поэтому из них бутятся, а не потому, что NOR имеет произвольный доступ.

[Alich]

Про самое главное отличие почему-то никто не написал. NAND имеет некоторое количество bad-блоков, что не является признаком неисправности. Для NOR наличие хотя бы одной ячейки с постоянной ошибкой записи является признаком неисправной детали. При записи в NAND требуется использовать корректирующие коды или полный контроль записи, для NOR это не обязательно.

ага - только NAND флэш накопители имеют встроенный контроллер, который вроде как автоматом метит эти бэд сектора? Или я неправильно понял описание на ММС от сандиска?

[Alex11]

А причем здесь MMC. MMC имеет контроллер, так же, как SD, CF и прочие. Разговор-то идет не об устройстве, а о микросхеме памяти. Там есть некоторый встроенный контроллер, но им нужно старательно управлять. И CRC он сам не считает и не проверяет.

[rvi]

а разве со временем эти бэды появиться не могут?
как я понимаю из ваших рассуждений, тогда NOR-память можно выкидывать?

[el34]

Alex11>А причем здесь MMC. MMC имеет контроллер, так же, как SD, CF и прочие.

SM - это NAND flash карточки и хост должен заниматься контролем .....правда они уже в прошлом....

[hobgoblin]

а разве со временем эти бэды появиться не могут?
как я понимаю из ваших рассуждений, тогда NOR-память можно выкидывать?

со временем бэды появиться конечно могут, только для появления бэдов необходимо произвести достаточно большое количество циклов записи/стирания (обычно порядка 10000 циклов), а NOR память обычно используется для загрузки или прямого исполнения программы из них процессором, поскольку скорость записи у них не ахти какая. Гарантированное время хранения информации в NOR флэше, если не ошибаюсь, в районе десяти лет, что также немало.
Для частой записи как раз лучше подходит NAND - для борьбы с бэдами в них используются коды с исправлением ошибок. Кроме того, в них обычно имеется дополнительная к указываемому производителем в наименовании микросхемы область памяти, которая может использоваться файловой системой для замещения плохих секторов хорошими. Файловые системы, которые могут работать с NAND флэш стараются обеспечить равномерный износ всего объема памяти для еще большего увеличения ресурса. Да, еще NAND делятся на SLC (с одноуровневыми ячейками) и MLC (с многоуровневыми ячейками). SLC быстрее и на порядок надежнее, но имеют меньший объем и дороже. MLC больше рассчитаны на ширпотреб - USB флэшки, сотовые телефоны и т.п.

To Demeny

И откуда такие названия NAND и NOR , что-то напоминает мне логические операции AND и OR ...

"По организации матрицы ячеек различают архитектуры NOR и NAND. В тради¬ционной организации NOR транзисторы на одном проводе объединяются своими стоками параллельно, как бы образуя логический элемент ИЛИ-НЕ (NOR — Not OR). Эта организация обеспечивает высокое быстродействие произвольного считывания, что позволяет исполнять программы прямо из флэш-памяти (не копируя в ОЗУ) без потери производительности. В организации NAND несколько транзисторов разных ячеек соединяются последовательно, образуя логический элемент И-НЕ (NAND — Not AND), что дает высокую скорость последовательных обращений." - Гук. Аппаратные интерфейсы ПК

С точки зрения работы с этими микросхемами удобнее, конечно, NOR, поскольку ее можно напрямую подключать к процессорам с раздельными шинами адреса/данных. Только для хранения большого объема и частой записи они не подходят. Для работы с NAND неплохо, чтобы процессор имел интегрированный контроллер NAND-памяти (не знаю начет МК и МП, но DSP с такими контроллерами есть, например AD в этом году начинает выпуск семейства BF54x), а то придется писать самому драйвер, выставляя вручную необходимые команды на мультиплексированной шине флэши и дергая GPIO, если, конечно, нет встраиваемой операционки с поддержкой NAND.

[rvi]

hobgoblin, спасибо!
теперь все встало на свои места.
а контроллеров для NAND-памяти есть, и это главное.