Силовой преобразователь на IGBT-модулях Опции

[fsb]

Всем привет!
Есть задача спроектировать силовой преобразователь для пуска двигателя с применением IGBT-модулей (PM100DSA120 "Mitsubushi", или аналогичный). В мануале дан пример разводки и используется 3-х слойная печатная плата.
Объясните пожалуйста, кто знает, оправдано ли применение 3-слойной платы? и может кто знает какие-либо грабли, на которые можно наступить?
Премного благодарен за любые разумные советы.

[karabas]

Присоединяюсь к просьбе автора темы. Может кто подскажет теорию, application notes, faq и т.п. вещи по работе с IGBT. В моем случае необходимо проработать вопрос о возможности реализации преобразователя(инвертора) на IGBT для разогрева металлических болванок в индукционных печах. Там немного больше токи (до 1500А) чем при управлении асинхронными двигателями. Поверхностный просмотра сайта Mitsubishi показал, что самые мощные модули CM1000HA-24H рассчитаны на ток 1000А. Сразу возникает вопрос о том, как обеспечить 1500А, есть ли готовые модули на такой ток?

[Vjacheslav]

Ох не дело Вы затеяли. Лучше бы обратить внимание на тиристоры, если Вас интересует чтобы Ваш нагреватель работал в цеху "как часы".

[Alexandr]

To fsb
Вот парочка статеек из журнала Электронные компоненты по преобразователям и по IGBT фирмы Mitsubushi

To karabas
IGBT-модули на требуемый вами ток выпускает компания SEMIKRON
Прикрепляю сравнительные характеристики модулей

Прикрепленные файлы

 Preobrazovat.rar ( 1.91 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 2209
 mitsubishi.rar ( 1.05 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 607
 semikron.rar ( 1.35 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 2490

 

[sboris]

Обычно вопросы с токами в мощных инверторах решаются параллельным включением нескольких (до 12-24 шт на мост и более) не очень мощных IGBT или Power MOSFET транзисторов.

Упрощенно схемотехника приблизительно такая - стоки-истоки включаются параллельно, затворы через резюки подключаются к драйверу H-моста, драйвер соответственно управляется контроллером....

Естественно придется помучаться с согласованием всего этого хозяйства, и управляющей программой .

Работа конечно долгая и нудная, но в итоге это работает.

[Vitёk]

Упрощенно схемотехника приблизительно такая - стоки-истоки включаются параллельно

Верно для полевых тр-ов, насчёт IGBT - не уверен. Как быть с зависимостью падения напряжения от температуры?

[fsb]

[quote=Alexandr,Feb 28 2005, 18:57]

To Alexandr,
спасибо за статейки, немного понимания уже появилось.
В прицепленном мануале на рис. 6.37, стр.21 нарисована плата управления многослойная, нужна ли такая сложная или можно все упростить?

Прикрепленные файлы

 powermos6_0.pdf ( 925.49 килобайт ) Кол-во скачиваний: 595

 

[sboris]

Упрощенно схемотехника приблизительно такая - стоки-истоки включаются параллельно

Верно для полевых тр-ов, насчёт IGBT - не уверен. Как быть с зависимостью падения напряжения от температуры?

Температуру надо отслеживать в любом случае, контроллером через термодатчики на каждой транзисторной сборке, и корректировать соответственно режимы работы моста.

[Vitёk]

Говоря о температуре, я имел в вид следующее: у ПТ, начиная с какого-то определённого тока (зависит от типа прибора) и до максимального, зависимость сопротивления канала от температуры положительная. За счет этого обеспечивается температурная стабилизация (выравнивание температур) у паралельно включённых полевиков. У биполярных же транзисторов температурная зависимость - отрицательная, что может приводить к разогреву одного прибора, вплоть до выхода его из строя, в то время как остальные остануться относительно холодными. Для уменьшения этого эффекта добавляется резистор в разрыв эмитерной цепи, свой для каждого тр-ра. Этот способ имеет три недостатка:
1. резистор рассеивает мощность, то есть просто нагло греется;
2. больших токах транзистор может войти линейный режим, и это приведёт к выделению ещё бОльших количеств тепла на переходе;
3. этот температурный эффект хоть и ослабляется, но не устраняется до конца. Номинал эмитерного резистора является компромисом между собственной рассеиваемой мощностью и эффективностью температурной стабилизации.
Более того, не устраняется эффект "слияния горячих точек" внутри самого БТ. Для избежания этого желательно лепить транзисторы с большим запасом по току.
Насколько я помню, IGBT представляет собой гибрид полевого и биполярного транзисторов, причём силовым является биполярный.Такие вот пироги...
Всё же думаю, что для разогрева металлических болванок лучшим вариантом являются именно они. Чисто ИМХО...

[sboris]

Одним из основных недостатков обычных IGBT-транзисторов является отрицательный температурный коэффициент (ТК) по напряжению насыщения (VCE(on)), что нарушает баланс токов при параллельном соединении транзисторов. PT IGBT Advanced Power Technology Power MOS 7® нового поколения позволяет достаточно просто осуществлять параллельное включение устройств.

Проблема действительно имела место быть, но в принципе на сегодня уже можно найти достаточно много решений от разных производителей. Так что греть болванки можно и IGBT

[karabas]

Что интересно, на счет ТК разные авторы имеют разное мнение. Вот цитата из статьи, скачанной по ссылке (Preobrazovat.rar) выше:
--------------
При современном уровне производства IGBT максимальный постоянный ток. пропускаемый одним кристаллом, составляет порядка 100 А. Поэтому в силовом модуле приходится использовать параллельное соединение нескольких чипов IGBT. Так как IGBT имеют положительный температурный коэффициент, а современная технология их производства обеспечивает малый разброс параметров, параллельное соединение далее большого количества чипов не является проблемой.

[karabas]

Ох не дело Вы затеяли. Лучше бы обратить внимание на тиристоры, если Вас интересует чтобы Ваш нагреватель работал в цеху "как часы".

А можно вас попросить более подробно рассказать о том, чем лучше тиристоры? У вас был опыт использования как тиристоров, так и IGBT в реальном устройстве, и эксперимент показал что последние более "капризны"?

[Vjacheslav]

Если кратко, то тиристоры более "дубовы", легче пререносят пререгрузки (и весьма значительные), просты в управлении. А опыт был: делали генераторы с Iвых.= 10 КА - использовались в полевых геофизических целях. Много разных вариантов, а самый рабочий на тиристорах оказался и довольно компактный. Все остальные варианты плохо переносили полевую работу и не очень аккуратный/квалифицированный персонал. Согласитесь: условия работы похожи на Ваши - цех, ...

[Al Volovich]

Так как IGBT имеют положительный температурный коэффициент, а современная технология их производства обеспечивает малый разброс параметров, параллельное соединение далее большого количества чипов не является проблемой.

Так потому их и собирают в модули, и модули эти стоят намного дороже чем транзисторы по отдельности в сумме на такой же ток, из-за того, что все транзисторы в модуле подобраны друг к другу по ТК.

[Ostver]

"Трехслойка" необязательна. Главное правило: цепи драйверов делать как можно короче, с наименьшей собственной индуктивностью.
Есть хорошие статьи в "Компоненты и технологии".

[oko7]

А можно вас попросить более подробно рассказать о том, чем лучше тиристоры? У вас был опыт использования как тиристоров, так и IGBT в реальном устройстве, и эксперимент показал что последние более "капризны"?

К преимуществам тиристоров действительно можно отнести большую "дубовость" и неприхотливость. Мы применяли в составе силовых мостов электроприводов буровых установок тиристоры и на 800, и на 1600А; Есть и на 3200А. Причем тиристоры были и 18,24 и 34 классов (3400В). Правда мы их применяли в электроприводах постоянного тока. Выходы из строя тиристоров были очень редки, и это при эксплуатации в очень жестких условиях буровой установки.

[SmartRed]

to karabas

Присоединяюсь к просьбе автора темы. Может кто подскажет теорию, application notes, faq и т.п. вещи по работе с IGBT. В моем случае необходимо проработать вопрос о возможности реализации преобразователя(инвертора) на IGBT для разогрева металлических болванок в индукционных печах. Там немного больше токи (до 1500А) чем при управлении асинхронными двигателями. Поверхностный просмотра сайта Mitsubishi показал, что самые мощные модули CM1000HA-24H рассчитаны на ток 1000А. Сразу возникает вопрос о том, как обеспечить 1500А, есть ли готовые модули на такой ток?

При работе с силовомы приборами на токи сотни ампер (не только IGBT)
внимание надо уделять не только схемотехнике, а еще и грамотному конструированию всех силовых цепей с целью минимизации паразитных индуктивностей.
Для этих целей применяют шиинный монтаж. В случае простого инвертора это будут 4 плоские шины расположенные друг над другом с изоляцией между ними.

Посмотрите картинку. Это инвертор на четырех IGBT fz1200r12kl4c фирмы EUPEC, плюс парочка 400A IGBT тойже конторы включенные диодами.
Это фрагмент источника переменного тока 800А 10кГц 200кВт работающего в повторно кратковременном режиме 10с работа 120с пауза.
Самих IGBT не видать, но видны болты М8 по четыре шт на прибор и драйверы, которые крепятся непосредственно на IGBT

По поповоду производителя IGBT я бы рекомендовал EUPEC.
Ни по номенклатуре ни по ТТХ ни в какое сравнение не идут с темиже Mitsubishi.
Да, при сравнении параметров IGBT не забывайте смотреть при какой температуре оные заявляются. Например, EUPEC максимальный постоянный ток через прибор дает при 80 град. на корпусе и соответственно маркирует прибор. Mitsubishi и болшинство остальных производителей этот параметр дают при 25 град на корпусе

Эскизы прикрепленных изображений

 

[ТЧМ]

Есть интересная тема - разработать АИН на IGBT модулях для привода моторвагона электропоезда. Характеристики:
входное напряжение пост. тока от 2700 до 4000В
тип двигателя - асинхронный с корткозамкнутым ротором, мощность 350 кВт
остальные данные двигателя во вложении, там же примерная схема силовой части АИН.

Сообщение отредактировал ТЧМ - Feb 9 2007, 03:47

Эскизы прикрепленных изображений

 

Прикрепленные файлы

 _________H.htm ( 3.02 килобайт ) Кол-во скачиваний: 173
 __________________________________350.htm ( 1.09 килобайт ) Кол-во скачиваний: 276

 

[Alex-GTU]

Упрощенно схемотехника приблизительно такая - стоки-истоки включаются параллельно

Верно для полевых тр-ов, насчёт IGBT - не уверен. Как быть с зависимостью падения напряжения от температуры?

IGBT параллелятся без проблем. Два 600А полумоста работают и все впорядке, правда на "воде" охлаждение. И вообще, габариты всегда меньше силовой части, если есть "вода", т.е. и паразитные индуктивности шин меньше, НО "вода" есть "вода". С ней надо быть поосторожнее.

[ТЧМ]

Похоже мало кто работает с силовой электроникой . Скажу, что зарубежные аналоги построены на 32 - х разрядных микроконтроллерах (типа TMS 470)

[Omen_13]

Есть несколько подводных камней связанных с применением ИЖБТ, а именно снижение допустимой токовой нагрузки при работе на частоте. Выражается это так - берём модуль на 200А, включаем его на 10кГц и он весело сгорает при мягкой комутации с амплитудой в 100А...
Потом, в информации на ИЖБТ которая мне попадался такой параметр - зона безопасной работы. У ИЖБТ превышение амплитуды тока 2-х кратного значения смертельно, у тиристоров - нет.
Далее насчёт индукционного нагрева - какая силовая схема будет использоваться и какой нагрузочный контур? Источник напряжения на плохо настроенный паралельный контур может давать броски тока при коммутации, источник тока может выбить транзисторы противоЭДС, последовательный нагрузочный контур потребует закалочного трансформатора или (и) высоковольтных конденсаторов с индуктором...
Буржуины делают источники для индукционного нагрева на ИЖБТ, я с ними сталкивался и даже внутри смотрел. Но заметил одну особенность - внутри на компенсирующей батарее есть ступени подключаемые через ВЧ-контакторы. Мои размышления по этому поводу были неутешительны - при изменении параметров системы металл-индуктор компенсация производилась не только частотой инвертора (как в обычных тиристорных источниках) но и емкостью что не есть гуд в большинстве случаев.
В общем не всё однозначно. Как уже отмечалось ранее тиристоры дубовые но полууправляемые, ИЖБТ капризные

Сообщение отредактировал Omen_13 - Feb 19 2007, 02:34

[Alex-GTU]

Есть несколько подводных камней связанных с применением ИЖБТ, а именно снижение допустимой токовой нагрузки при работе на частоте. Выражается это так - берём модуль на 200А, включаем его на 10кГц и он весело сгорает при мягкой комутации с амплитудой в 100А...
Потом, в информации на ИЖБТ которая мне попадался такой параметр - зона безопасной работы. У ИЖБТ превышение амплитуды тока 2-х кратного значения смертельно, у тиристоров - нет.
Далее насчёт индукционного нагрева - какая силовая схема будет использоваться и какой нагрузочный контур? Источник напряжения на плохо настроенный паралельный контур может давать броски тока при коммутации, источник тока может выбить транзисторы противоЭДС, последовательный нагрузочный контур потребует закалочного трансформатора или (и) высоковольтных конденсаторов с индуктором...
Буржуины делают источники для индукционного нагрева на ИЖБТ, я с ними сталкивался и даже внутри смотрел. Но заметил одну особенность - внутри на компенсирующей батарее есть ступени подключаемые через ВЧ-контакторы. Мои размышления по этому поводу были неутешительны - при изменении параметров системы металл-индуктор компенсация производилась не только частотой инвертора (как в обычных тиристорных источниках) но и емкостью что не есть гуд в большинстве случаев.
В общем не всё однозначно. Как уже отмечалось ранее тиристоры дубовые но полууправляемые, ИЖБТ капризные

НО, в течение 10 микросекунд ИЖБТ выдерживают 10-ти кратную амплитуду тока - это информация из Даташит, 5-ти кратный - 20 микросекунд и т.д., хотя, на практике нужен запас. В Вашем случае "Выражается это так - берём модуль на 200А, включаем его на 10кГц и он весело сгорает при мягкой комутации с амплитудой в 100А..." - смотря какая схема, какая индуктивность шин, конденсаторов, есть ли снабберы и эффективно ли они работают - причин много...

6-сот амперный модуль *N*F*H* в однофазном мосте на 150 аперах и частоте 35 кГц при водяном охлаждении - через 2-3 минуты - 55-60 градусов. Хотя в трехфазном мосте при 10кГц трехсот амперный на 125-140 амперах работает нормально, охлаждение - принуд. воздушное.

[slimjack]

В европейских преобразователях частоты применяются в основном EUPEC. Митсубиши - это самый оптимальный вариант цена/качество. Слышал от диллеров, что самые качественные приборы стоят только на их приводах, а отдельно можно купить только в Японии. То что идет на экспорт - более низкого качества (а унас почему-то все наоборот).

До сих пор не понятно как выбираются транзисторы и сходя из мощности нагрузки? В преобразователе на 7.5 кВт (3 фазы по 16 А) использовался модуль на 50 А. Зачем более чем 3-кратный запас?

По поводу особенностей силовой электроники.
Борьба с паразитными индуктивностями, скин-эффектами - это обязательное правило. Насколько мне известно не менее важным, чем качество транзистора, качество управления. По слухам, мнениям и статьям и немного личного опыта складывается впечатление, что лидерами тут являются CT-Concept. Вобще качественное управление - секрет многих производителей. Например, CT-Concept, использует заказные ИС, которых нет в свободной продаже. Но зачастую стоимость таких драйверов высока. 2 драйвера на 6А - 100 евро. Примерно тоже и у семикрона.
Если проектируется малосерийное дорогое надежное устройство - лучше купить силовые сборки (охлаждение+кондеры+драйвера+защиты). Дорого, но надежно.

И еще. Если кто поддерживает идею создания ветки форума по Приводу и словой электронике заглянитесюда

[Alex-GTU]

В европейских преобразователях частоты применяются в основном EUPEC. Митсубиши - это самый оптимальный вариант цена/качество. Слышал от диллеров, что самые качественные приборы стоят только на их приводах, а отдельно можно купить только в Японии. То что идет на экспорт - более низкого качества (а унас почему-то все наоборот).

До сих пор не понятно как выбираются транзисторы и сходя из мощности нагрузки? В преобразователе на 7.5 кВт (3 фазы по 16 А) использовался модуль на 50 А. Зачем более чем 3-кратный запас?

Мы считали так: среднекв. ток двигателя (3ф), например, 8.6 ампер - значит амплитудное значение - 8.6*1.5 (примерно) с учетом перегрузочной способности при частоте до 10 кГц - еще умножим на 1.5, а свыше (20кГц) - умножим на 2. Вот и получили силовой модуль на 20 ампер или 25. Какие у кого по этому поводу есть мнения?

[Omen_13]

НО, в течение 10 микросекунд ИЖБТ выдерживают 10-ти кратную амплитуду тока - это информация из Даташит, 5-ти кратный - 20 микросекунд и т.д., хотя, на практике нужен запас.

Но у тиристоров эти параметры куда более впечатляющие...

В Вашем случае "Выражается это так - берём модуль на 200А, включаем его на 10кГц и он весело сгорает при мягкой комутации с амплитудой в 100А..." - смотря какая схема, какая индуктивность шин, конденсаторов, есть ли снабберы и эффективно ли они работают - причин много...

Силовая схема - обычный мост на 2-х полумостовых ga200td120u (файл прилагаю), последовательный нагрузочный колебательный контур подключен к инвертору через понижающий трансформатор, драйвера "крутые и навороченные" - было давно "фамилии" не помню. Монтаж выполнен близко расположенными шинами с индукивностью в закороченном состоянии порядка сотни (или сотен) нГн (могу ошибиться), для защиты от выбросов использовались диодные RC цепи (резисторы РК), амплитуда выбросов на транзисторах была не более 1.1Ud
. Напряжение 3-х фазного выпрямителя плавно регулировалось до 300В, фильтровые ёмкости сглаживали всё на ура, частота инвертора соответствовала частоте резонанса (~10кГц, проверялась на малом напряжениии контролем формы тока, далее постоянно поддерживали на резонансе подкручивая частоту в пределах единиц Гц), транзисторы ставились с пастой на водяные охладители, в индукторе стояла латунная трубка с проточным водяным охлаждением, добротность нагрузочного контура 4...5. В общем сремились создать условия близкие к идеальным. Насчёт тока при котором макет сгорел мог наврать, но не сильно. Это основное что помню, более подробно сказать не могу - журнал утерян.

6-сот амперный модуль *N*F*H* в однофазном мосте на 150 аперах и частоте 35 кГц при водяном охлаждении - через 2-3 минуты - 55-60 градусов. Хотя в трехфазном мосте при 10кГц трехсот амперный на 125-140 амперах работает нормально, охлаждение - принуд. воздушное.

Чудеса, хотя... Не знаю, я в приводах полный 0.
Кстати, забыл сказать, немецкие источники на 250кВт (Ud=520В, Id=500А) для индукционного нагрева используют EUPECовские транзисторы, если кому интересно попробую найти записи...

Сообщение отредактировал Omen_13 - Feb 19 2007, 18:04

Прикрепленные файлы

 ga200td120u.pdf ( 299.66 килобайт ) Кол-во скачиваний: 294

 

[Alex-GTU]

НО, в течение 10 микросекунд ИЖБТ выдерживают 10-ти кратную амплитуду тока - это информация из Даташит, 5-ти кратный - 20 микросекунд и т.д., хотя, на практике нужен запас.

Но у тиристоров эти параметры куда более впечатляющие...

Полностью согласен, но тиристоры полууправляемые ключи, что бы его закрыть нужна большая импульсная мощность. Если брать запираемые - то они стоят как "золотые". Хотя с ценой может уже что-то и изменилось.

В Вашем случае "Выражается это так - берём модуль на 200А, включаем его на 10кГц и он весело сгорает при мягкой комутации с амплитудой в 100А..." - смотря какая схема, какая индуктивность шин, конденсаторов, есть ли снабберы и эффективно ли они работают - причин много...

Силовая схема - обычный мост на 2-х полумостовых ga200td120u (файл прилагаю), последовательный нагрузочный колебательный контур подключен к инвертору через понижающий трансформатор, драйвера "крутые и навороченные" - было давно "фамилии" не помню. Монтаж выполнен близко расположенными шинами с индукивностью в закороченном состоянии порядка сотни (или сотен) нГн (могу ошибиться), для защиты от выбросов использовались диодные RC цепи (резисторы РК), амплитуда выбросов на транзисторах была не более 1.1Ud
. Напряжение 3-х фазного выпрямителя плавно регулировалось до 300В, фильтровые ёмкости сглаживали всё на ура, частота инвертора соответствовала частоте резонанса (~10кГц, проверялась на малом напряжениии контролем формы тока, далее постоянно поддерживали на резонансе подкручивая частоту в пределах единиц Гц), транзисторы ставились с пастой на водяные охладители, в индукторе стояла латунная трубка с проточным водяным охлаждением, добротность нагрузочного контура 4...5. В общем сремились создать условия близкие к идеальным. Насчёт тока при котором макет сгорел мог наврать, но не сильно. Это основное что помню, более подробно сказать не могу - журнал утерян.

Нужно подумать. Есть программа и Мицубиси расчета потерь и режимов. Очень хорошая и правильная.

6-сот амперный модуль *N*F*H* в однофазном мосте на 150 аперах и частоте 35 кГц при водяном охлаждении - через 2-3 минуты - 55-60 градусов. Хотя в трехфазном мосте при 10кГц трехсот амперный на 125-140 амперах работает нормально, охлаждение - принуд. воздушное.

Чудеса, хотя... Не знаю, я в приводах полный 0.
Кстати, забыл сказать, немецкие источники на 250кВт (Ud=520В, Id=500А) для индукционного нагрева используют EUPECовские транзисторы, если кому интересно попробую найти записи...

Да очень интересно. Поищите, если это возможно.

[Omen_13]

Для alex2703: не забыл.
Все записи пока не нашёл, привожу то что обнаружено, как найду остальное дополню. В обшем схема такая: 3 фазы через контактор (?) подаются на диодный выпрямитель (схема ларионова). На выходе выпрямителя стоят трансформаторы постоянного тока и напряжения, Г-образный LC фильтр, паралельно C стоит резистор ~4кОм 100Вт. Инвертор собран на 4-х FZ1200R12, драйвера с оптической развязкой (световоды), к выходу инвертора подключена демпфирующая RC цепь и понижающий трансформатор 560В/400В (индуктор стоит в ваккумной печи). Напряжение после транса проходит через защитную индуктивность и подаётся на конденсаторы компенсирующей батареи, часть конденсаторов комутируется ВЧ контакторами.
ПС alex2703, если не секрет где работаем?

[san822]

"Трехслойка" необязательна. Главное правило: цепи драйверов делать как можно короче, с наименьшей собственной индуктивностью.

Практический вопрос - какая длина считается приемлемой ?
Например, судя по картинке
http://electronix.ru/forum/uploads/post-5466-1117452645.jpg
от платки с драйвером(которая торчит)
до транзисторов(если они находятся прямо под радиаторами) сантиметров 10-15 наберется.
Какими проводниками лучше пользоватся на участке "драйвер - транзистор" для снижения индуктивности ?

Я понимаю - идеальный вариант - драйвер на платке прямо около транзистора,
но это не всегда приемлемо.

Можно ли пытатся скомпенсировать влияние индуктивности проводов выбором
драйвера с большим током ?
Нет ли за этим решением каких-либо неприятностей ?

[repairDV]

Имел ли кто-нибудь дело с IGBT-транзисторами фирмы Ixys? Дороговаты, может, качество лучше.
На Терре была аналогичная тема в конференции, там один участник с большим опытом работы с IGBT не советовал использовать модули интеллект Митсубиси. Вроде как что-то в них недоработано, взрываются часто. Лично я думаю: из-за того, что питание на драйвера идёт однополярное.

Сообщение отредактировал repairDV - Apr 22 2007, 20:13

[Omen_13]

Какими проводниками лучше пользоватся на участке "драйвер - транзистор" для снижения индуктивности ?

Витая пара Вам поможет.

Можно ли пытатся скомпенсировать влияние индуктивности проводов выбором
драйвера с большим током ?
Нет ли за этим решением каких-либо неприятностей ?

Проблема есть - может начаться "звон". Индуктивность проводов + емкость затвора + емкость проводов+ крутые фронты от драйвера и т.д.
Решение простое - ставить рекомендуемый заводской драйвер на минимальном растоянии и пользоваться оптоволокном

[pantelei4]

Omen_13 Все записи пока не нашёл, привожу то что обнаружено, как найду остальное дополню. В обшем схема такая: 3 фазы через контактор (?) подаются на диодный выпрямитель (схема ларионова). На выходе выпрямителя стоят трансформаторы постоянного тока и напряжения, Г-образный LC фильтр, паралельно C стоит резистор ~4кОм 100Вт. Инвертор собран на 4-х FZ1200R12, драйвера с оптической развязкой (световоды), к выходу инвертора подключена демпфирующая RC цепь и понижающий трансформатор 560В/400В (индуктор стоит в ваккумной печи). Напряжение после транса проходит через защитную индуктивность и подаётся на конденсаторы компенсирующей батареи, часть конденсаторов комутируется ВЧ контакторами.

Занимаюсь инверторами на IGBT для индукционного нагрева.
Тема для меня новая и не охота унаследовать опыт коллег по работе регулярно пополняющих убитыми семикроновскими модулями непустое уже ведро.
Вопрос собственно простой. Применение чисто параллельного резонансного контура с инвертором напряжения противоречит здравому смыслу (как его не настраивай) и только благодаря паразитной индуктивности рассеяния транса токи перезаряда емкостей не оказываются неограниченно высокими.
Последовательный контур не позволяет эффективно отобрать мощность на нагрев заготовки, т.к. нагруженый индуктор представляет собой активное сопротивление подключенное параллельно L0 индуктора через индуктивность рассеяния.
Возможно следует сделать последовательно параллельный контур настроеный на одну частоту.

Omen_13, возможен ли обмен опытом по этой теме?

Не могу найти эффективного способа отбора мощности и уменьшения реактивных токов через обратные диоды.

[Omen_13]

Занимаюсь инверторами на IGBT для индукционного нагрева.
Тема для меня новая и не охота унаследовать опыт коллег по работе регулярно пополняющих убитыми семикроновскими модулями непустое уже ведро.
Вопрос собственно простой. Применение чисто параллельного резонансного контура с инвертором напряжения противоречит здравому смыслу (как его не настраивай) и только благодаря паразитной индуктивности рассеяния транса токи перезаряда емкостей не оказываются неограниченно высокими.
Последовательный контур не позволяет эффективно отобрать мощность на нагрев заготовки, т.к. нагруженый индуктор представляет собой активное сопротивление подключенное параллельно L0 индуктора через индуктивность рассеяния.
Возможно следует сделать последовательно параллельный контур настроеный на одну частоту.

Насколько я понял речь идёт о т.н. "автоконденсаторной" схеме? Сделать можно, но конденсаторов потребуется очень много. Ещё недостаток - рабочее напряжение конденсаторов придётся брать больше выходного.

Omen_13, возможен ли обмен опытом по этой теме?

Не могу найти эффективного способа отбора мощности и уменьшения реактивных токов через обратные диоды.

Обмен не только возможен, это приветствуется!!!
На паралельный нагрузочный контур оптимальная работа только паралельного инвертора тока в емкостном косинусе (условия комутации лучше и можно получить выходное напряжение больше выпрямленного).
На схеме L1 L2 входной дроссель, L3 L4 коммутирующая индуктивность ограничивает скачёк тока при включении следующей диагонали, L5 индуктор С1 компенсирующая батарея. Основная мысль в следующем - при включении очередной диагонали напряжение компенсирующей батареи прикладывается к проводящей диагонали и закрывает её. Таким образом ток через транзисторы имеею форму трапеции а не прямоугольника. Естественно система управления должна выключить транзисторы по окнчании переходного процесса. Более подробно о работе этой силовой схемы можно найти в учебниках (только там стоят тиристоры, но в нашем случае это ничего не меняет - тиристоры запираются сами а нам управляющее напряжение снимать)
ПС Ведро - это круто! Злорадно улыбнулся...

Сообщение отредактировал Omen_13 - May 4 2007, 18:11

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Alex-GTU]

Инвертор напряжения с параллельным контуром возможен, если включить еще дроссель. То есть ограничить токи заряда конденсатора через дроссель.

[pantelei4]

Насколько я понял речь идёт о т.н. "автоконденсаторной" схеме? Сделать можно, но конденсаторов потребуется очень много. Ещё недостаток - рабочее напряжение конденсаторов придётся брать больше выходного.

Делал так - обычный последовательный резонансный контур в диагонали моста индуктивностью которого служит рассеяние трансформатора, в качестве нагрузки параллельный контур образованый индуктором и компенсирующим кондёром. Оба настраивал на одну частоту в расчёте что на максимум передачи последовательного придётся максимум импеданса параллельного, но получил осциллограммы по току в диагонали совсем не красивые - плохой коэфф мощности при большущих реактивных токах. По идее ФЧХ обоих цепочек складываясь должны показать приличную полку с нулевой фазой ( создавая чисто активную нагрузку). По сути получается двугорбая ЧХ и дальше вообще запутался в резонансах и направлениях токов.

Что-за "автоконденсаторная" схема -понятия не имею.

На паралельный нагрузочный контур оптимальная работа только паралельного инвертора тока в емкостном косинусе (условия комутации лучше и можно получить выходное напряжение больше выпрямленного).

Дык в том и дело, что т.з. предполагает инвертор напряжения, а не тока. Второй лучше выходит на тиристорах.

Инвертор напряжения с параллельным контуром возможен, если включить еще дроссель. То есть ограничить токи заряда конденсатора через дроссель.

Условием резонанса параллельного контура является источник тока питающий его, АИН только угнетает колебания и форма тока и напряжения при таком варианте очень нехорошая. Получается имеем неприятности и емкостной ( в начале полупериода) и индуктивной (в конце) реакции.
Тогда уж лучше и вовсе нерезонанансный преобразователь делать.

С вполне логичным последовательным резонансом для инвертора напряжения стоит проблема максимальной потребляемой мощности на холостом ходе индуктора и уменьшением её при внесении нагрузки. Получается имеем плохой разогрев и никакой кпд при плохо нагруженом индукторе.

Честно говоря пока нормального рабочего варианта реализации АИН для индукционного нагрева не встречал (хотя теоретической инфы хватает), среди готовых конструкций есть явно противоположные по топологии организации нагрузочных цепей, некоторые из которых работают вопреки, а не благодаря теории. Теперь нахожусь в лихорадочном поиске приемлемого варианта.
Возможно где-то в рассуждениях неправ, но хочется составить для себя устойчивое представление.

В качестве признательности форумчанам ссылка с хорошей электротехнической библиотекой.

http://ihtik.lib.ru/electrotehn.html

ЗЫ. Угораздило меня попасть в отдел новых разработок, нет покоя ни на работе ни дома - мысли одолевают и постоянно приходится учиться.

Прикрепленные файлы

 ________.BMP ( 32.47 килобайт ) Кол-во скачиваний: 152

 

[slimjack]

В качестве признательности форумчанам ссылка с хорошей электротехнической библиотекой.

http://ihtik.lib.ru/electrotehn.html

А как снего качать?
Выдает список файлов но ни одной ссылки

[Stanislav_S]

А как снего качать?
Выдает список файлов но ни одной ссылки

Я делаю так:
по данной ссылке нахожу книгу, потом на главной странице через поиск нахожу ее на сайте.
Там будет список с файлов с порядковым номером, а сверху страницы будут ссылки на скачивание.
Там что то типа,
http://ihtik.dreamhosters.com/electrotehn_...4janv2007_N.rar
где N номер нужной книге в списке, подставляем его вместо N, закидываем в менеджер закачек и вперед

[Omen_13]

pantelei4, поздравляю, Вы попались на инвертор с комутирующим контуром!!!!
Недостатков вагон, плюс только один - низкие динамические потери.
Если необходим АИН решение подсказанное alex2703 единственно верное, в противном случае необходим инвертор тока.

Дык в том и дело, что т.з. предполагает инвертор напряжения, а не тока. Второй лучше выходит на тиристорах

Не всё так просто с тиристрорами - необходимо создать пусковые условия (разогнать ток дросселя, возбудить колебания в нагрузке). Потом на тиристорах паралельный инвертор тока на частоту выше 10кГц сделать довольно проблематично (таллинский собран на английских тиристорах, свои уже не тянут)

Что-за "автоконденсаторная" схема -понятия не имею

Последовательно с паралельным резонансным контуром подключён ещё один конденсатор. Тогда напряжение на индукторе будет больше напряжения источника

[Omen_13]

После некоторых раздумий насчёт уменьшения токов через диоды вспомнил - частота управления должна равняться частоте комутирующего контура. Идея в следующем - как только ток через транзистор уменьшился до 0 его закрывают и включается следующий. Регулирование мощности осуществляется за счёт напряжения питания...
Я вот ещё о чём подумал - подобные вещи надо рассматривать в комплексе, т.е. Выпрямитель - Фильтр - Инвертор - Нагрузка. Предположим Вы решили все вопросы с работой инвертора, дело за малым - обеспечить питание. Мощность порядка сотен кВт и используется управляемый выпрямитель, далее стоит дроссель и фильтрующий конденсатор. В рабочем режиме всё будет ОК, но при аварийной ситуации необходимо снять импульсы с инвертора - ток дросселя продолжит зарядку фильтровых конденсаторов - напряжение на инверторе будет расти. Не забудем о тиристорах выпрямителя - они закроются не сразу, т.е. энергия из сети будет потребляться (перевод выпрямителя в инверторный режим нас не спасёт - ток дросселя всё равно станет напряжением фильтровых конденсаторов). Если емкость конденсаторов очень большая то ничего страшного не произойдёт, но ведь конденсаторы будут разумной а не бесконечной емкости (цена изделия). Можно конечно использовать вариант неуправляемый выпрямитель на диодах и ключевой стабилизатор, но для получения большой мощности необходимо будет комутировать постоянный ток и на большой частоте для уменьшения габаритов фильтра - сколько будет стоить такой ключ и насколько станет оправдано применение комутирующих элементов в инверторе?
Думайте и ломайте голову (в меру) - это очень полезно!

[pantelei4]

pantelei4, поздравляю, Вы попались на инвертор с комутирующим контуром!!!!
Недостатков вагон, плюс только один - низкие динамические потери.

Это о том, что реактивные токи последовательного контура минуя нагрузку проходят через инвертор не совершая полезной работы? В чисто последовательном таки да.
Дык по замыслу в соответствие схеме последовательно-параллельного ток как раз течёт через нагрузку скомпенсированного индуктора ( в присоединённом файле).
Вчера и сегодня экспериментируя получил обнадёживающие результаты, просто необходима точная настройка.


Вопрос возник другого рода, он уже всплывал, но остался без внимания.
- Насколько рационально использование индуктивности рассеяния трансформатора совместно с батареей для получения последовательного контура? Опасаюсь подводных камней в виде нестабильности Lрасс от температуры и вероятности влетания сердечника в насыщение.
- Насколько опасны сквозные токи проходящие в случае емкостной реакции контура, когда во время мёртвой паузы ток проходит через обратный диод только что закрывшегося ключа?

Сообщение отредактировал pantelei4 - May 8 2007, 23:11

[Omen_13]

Это о том, что реактивные токи последовательного контура минуя нагрузку проходят через инвертор не совершая полезной работы? В чисто последовательном таки да.
Дык по замыслу в соответствие схеме последовательно-параллельного ток как раз течёт через нагрузку скомпенсированного индуктора ( в присоединённом файле).
Вчера и сегодня экспериментируя получил обнадёживающие результаты, просто необходима точная настройка.

Мой хороший совет - забудьте о точной настройке нагрузочного и комутирующего контуров. Связано это с тем что в процессе нагрева у металлов меняется электропроводность (от температуры), а если греется железо то при достижении точки Кюри (~700 гр.С) практически скачкообразно изменится магнитная проницаемость, что равноценно изменению индуктивности индуктора. Следующий довод - параметры конденсаторов как правило даются с точностью +-10% даже для изготовленных в одной партии, линейные размеры индуктора в процессе изготовления и эксплуатации могут несколько отличаться от расчётных. Если Вы не обладаете наклонностями мазохиста-настройщика то представляете чем может обернуться правильный подбор параметров.
Кстати, в будущем плЫз - не выкладывайте рисунки в BMP, есть другие форматы с более удобоваримой формой (gif, jpg и т.п.), имейте уважение к тем кто пользуется диалапом...

Вопрос возник другого рода, он уже всплывал, но остался без внимания.
- Насколько рационально использование индуктивности рассеяния трансформатора совместно с батареей для получения последовательного контура? Опасаюсь подводных камней в виде нестабильности Lрасс от температуры и вероятности влетания сердечника в насыщение.

Я бы не рисковал и поставил комутирующую катушку с заранее известными параметрами, в конечном итоге это сэкономит нервные клетки при ремонте/замене/смене типа трансформатора. 100мкГн это индуктивность трансформатора (уж слишком большая) или комутирующей катушки?

- Насколько опасны сквозные токи проходящие в случае емкостной реакции контура, когда во время мёртвой паузы ток проходит через обратный диод только что закрывшегося ключа?

Чесно говоря не понял о чём речь, если можно поподробнее в следующий раз (с диаграммами). Как понял вопрос - Чем черевато протекание тока через диод в паузе между проводимостью транзисторов (мертвое время) при емкостном косинусе нагрузочного контура?
Черевато это тем что через включившийся транзистор ток будет нарастать не с 0 а с некоторой величины равной току диода, что приведёт к дополнительным потерям в транзисторе при его включении. Емкостной (равно как и индуктивный) косинус дополнительно увеличит потери.
Кстати, а какой инвертор проектируется? В смысле какая частота, мощность и т.д.

[pantelei4]

Я бы не рисковал и поставил комутирующую катушку с заранее известными параметрами, в конечном итоге это сэкономит нервные клетки при ремонте/замене/смене типа трансформатора. 100мкГн это индуктивность трансформатора (уж слишком большая) или комутирующей катушки?

Номинал индуктивности на схеме оказался случайно, просто хотел обсудить топологию.
Согласен, что нельзя ориентироваться на малопрогнозируемый паразитный параметр, хотя очень заманчивой выглядит перспектива отказа от стремления сделать качественный трансформатор.

Чесно говоря не понял о чём речь, если можно поподробнее в следующий раз (с диаграммами). Как понял вопрос - Чем черевато протекание тока через диод в паузе между проводимостью транзисторов (мертвое время) при емкостном косинусе нагрузочного контура?
Черевато это тем что через включившийся транзистор ток будет нарастать не с 0 а с некоторой величины равной току диода, что приведёт к дополнительным потерям в транзисторе при его включении. Емкостной (равно как и индуктивный) косинус дополнительно увеличит потери.
Кстати, а какой инвертор проектируется? В смысле какая частота, мощность и т.д.

С диаграмами напряг. На пальцах объясняется так:
- В паузе, при закрывании любого из плеч, ток комутирующего контура может протекать как через обратный диод отработавшего плеча при емкостном косинусе, так и ожидающего включение при индуктивной реакции. Первый вариант дает свозной ток, второй -нет.

Подробно здесь - http://www.interm.spb.su/htm/science/commu...n_inverters.htm
Насколько опасны для работы эти сквозные токи из практики (если конечно такая имеется)?

Речь о проекировании инвертора пока не идёт, а о выборе концепции, благодаря которой можно по максимуму использовать энергетические возможности преобразования АИН.
Рабочие варианты уже эксплуатирующихся установок ( 20 и 60 кГц) пока не позволяют говорить о эффективном использовании мощностных характеристик модулей.
Согласитесь безопасно снимать с инвертора на 400А модулях при питании 540В около 40кВт не кажется великим достижением.
Учитывая коэфф. формы токов и напряжений для мостового инвертора кажется справедливым требовать от него Pвых=Imax*Uпит/1.4^2 на частотах где гарантируются максимальные параметры модулей.
Интересен факт снижения максимальных допустимых токов модулей при высокой частоте ,
это былобы понятным при условии жесткой комутации приводящей к бОльшим динамическим потерям с повышением f. Но для случая мягкой уже не кажется очевидным, с чем тогда связано?

[Omen_13]

Согласен, что нельзя ориентироваться на малопрогнозируемый паразитный параметр, хотя очень заманчивой выглядит перспектива отказа от стремления сделать качественный трансформатор.

Качественный силовой трансформатор лучше купить (если не собираетесь выходить на уровень 100-200 в год). В Питере этим занимается НПФ ВЭТО, рекомендую.

С диаграмами напряг. На пальцах объясняется так:
- В паузе, при закрывании любого из плеч, ток комутирующего контура может протекать как через обратный диод отработавшего плеча при емкостном косинусе, так и ожидающего включение при индуктивной реакции. Первый вариант дает свозной ток, второй -нет.

Подробно здесь - http://www.interm.spb.su/htm/science/commu...n_inverters.htm
Насколько опасны для работы эти сквозные токи из практики (если конечно такая имеется)?

Теперь всё понял, вопрос очень интересный!!!!
Сам с этим не сталкивался - у нас тиристорные инверторы тока.
Если используемые элементы идеальные (что в принципе невозможно) то никаких сквозных токов не будет - произойдёт перекомутация тока с диода на включившийся транзистор. НО!! Диоды имеют время выключения в течении которого ток проходит через диод в обратном направлении. Время это зависит от скорости рассасывания неосновных носителей, протекавшего тока, приложенного напряжения и т.п. В принципе решения этой проблемы давно известны:
1. комутирующая катушка или часть ее выполнена в виде индуктивности со средней точкой (один конец к верхнему плечу, другой к нижнему, средняя точка к нагрузке) или 2-х независимых катушек. Тогда при включении транзистора произойдёт плавное выключение диода.
2. Надо дождаться окончания протекания тока через диод.
Оба способа имеют свои минусы.

Интересен факт снижения максимальных допустимых токов модулей при высокой частоте ,
это былобы понятным при условии жесткой комутации приводящей к бОльшим динамическим потерям с повышением f. Но для случая мягкой уже не кажется очевидным, с чем тогда связано?

Не знаю...

[_Pasha]

На Терре была аналогичная тема в конференции, там один участник с большим опытом работы с IGBT не советовал использовать модули интеллект Митсубиси. Вроде как что-то в них недоработано, взрываются часто. Лично я думаю: из-за того, что питание на драйвера идёт однополярное.

Быть может, уже появилось больше информации по вылетам IPM?
Я тоже думаю, что это из-за однополярного питания, но с маленьким уточнением: имхо, там не умеют пользовать Active Miller Clamping.

[syoma]

Есть интересная тема - разработать АИН на IGBT модулях для привода моторвагона электропоезда. Характеристики:
входное напряжение пост. тока от 2700 до 4000В
тип двигателя - асинхронный с корткозамкнутым ротором, мощность 350 кВт
остальные данные двигателя во вложении, там же примерная схема силовой части АИН.

Ваша схема представляет собой так называемый Neutral Point Clamped инвертор, другими словами 3-х уровневый инвертер.
У нас такой 3-х уровневый инвертер работает при 3000В и токе до 580А RMS .
Причем IGBT модули там стоят на 1200А. Вроде ничего не горит. Модули EUPEC - правильно сказали - самые лучшие для средних напряжений. А для низковольтных Данфосс делает неплохие IGBT. И Семикрон на них неплохие модули делает.

Но управлять таким инвертором гораздо сложнее, так как надо балансировать звено постоянного тока.
И правильное размещение шин звена пост. тока имеет первоочередное значение.
У нас сендвич из 6-ти слоев меди и текстолита над модулями. Охлаждение водяное.
Кстати драйвера там стоят Concept и упраляются по оптике.

Для движка не проблема приспособить.

Так еще надо? Можем вам собрать.

Выражается это так - берём модуль на 200А, включаем его на 10кГц и он весело сгорает при мягкой комутации с амплитудой в 100А...

Конечно сгорает. А вы потери при переключении считали? IGBT транзистор не практически не рассеивает мощность когда он включен и выключен. Основной нагрев происходит при переключении. При этом иногда для того чтобы поднять температуру перехода до 150град. достаточно иногда пары десятков переключений. И никакая вода здесь не поможет.

[Omen_13]

Конечно сгорает. А вы потери при переключении считали? IGBT транзистор не практически не рассеивает мощность когда он включен и выключен. Основной нагрев происходит при переключении. При этом иногда для того чтобы поднять температуру перехода до 150град. достаточно иногда пары десятков переключений. И никакая вода здесь не поможет.

Под мягкой комутацией я подразумевал включение и выключение при токе близком к 0, т.е. диамические потери были минимальны.

[Максим Зиновьев]

Yong Li. Unified zero-current-transition technique for high power three-phase PWM inverters. 2002. Virginia Polytechnic Institute. Диссер, 305 страниц на английском, теория и рабочие макеты электропривода трехфазного на 5кВт и 55кВт.

http://arcweld.mylivepage.ru/file/227_%D0%...%89%D0%B8%D0%B5

[syoma]

Под мягкой комутацией я подразумевал включение и выключение при токе близком к 0, т.е. диамические потери были минимальны.

Так Вы ж написали, что 10кГц и 100А. А 100А - это ж наверное 50Гц или меньше? Иначе зачем тогда IGBT использовать - можно и тиристоры поставить - если при 0 выключаться.

А я вот сейчас буду моделировать температурный режим IGBT со всеми коммутациями. И по самым оптимистическим подсчетам - и это подтверждается в статьях - всего лишь в течение одного периода 50ти герцового тока, скажем 600А, и при частоте коммутации скажем 1.5кГц происходит всего лишь 30 переключений за один период. Но они происходят только половину периода, так как во второй половине другой транзистор работает. Так вот при этом температура кремния внутри транзистора скачет аж до 40 градусов выше корпусной. То есть если температура корпуса транзистора 85 градусов, то когда он коммутирует пиковое значение тока - температура перехода кратковременно может достичь 125 градусов, а затем в течение второго полупериода она снижается до корпусных значений - и так 50 раз в секунду.
Весело им жить да?

[_Pasha]

Но они происходят только половину периода, так как во второй половине другой транзистор работает.

Вы имеете в виду Neutral Point Clamped инвертор или полумост?

[syoma]

Вы имеете в виду Neutral Point Clamped инвертор или полумост?

Sorry - NPC конечно - в полумосту всего ж 2 транзистора - и им всегда работать надо.

[_Pasha]

Sorry - NPC конечно - в полумосту всего ж 2 транзистора - и им всегда работать надо.

Это я к тому уточнил, что для расчетов Вы, наверное, Simulink пользовать станете. То есть собственными наработками. Потому что MELCOSIM/IPOSIM/SEMISEL не умеют NPC. Поделитесь, пожалуйста, источником параметров для столь обширной тепловой модели, включающей остывание целого модуля.

[syoma]

Это я к тому уточнил, что для расчетов Вы, наверное, Simulink пользовать станете. То есть собственными наработками. Потому что MELCOSIM/IPOSIM/SEMISEL не умеют NPC. Поделитесь, пожалуйста, источником параметров для столь обширной тепловой модели, включающей остывание целого модуля.

В принципе я еще даже не смотрел есть ли чего готового - навскидку в инете много чего найти можно - ведь не я первый такой расчет сделать хочу.
Спасибо за наводки на программы - посмотрю что они умеют.
В принципе пока я собираюсь моделировать по эквивалентной электрической схеме с источником тока и последовательными RC - цепочками на землю. То есть источник тока моделирует источник тепла - резисторы и конденсаторы - теплопроводности материалов, а напряжения - температуры - не знаю насколько такая схема приближается к реальности, но в инете достаточно распространена. Для нее в любом даташите на IGBT есть формулы для вычисления теплового сопротивления и тепловой емкости, по постоянным времени.
К сожалению это не я считал, а мой коллега, который инвертер собирал, но точно он это сделал только на информации из даташита. В итоге у меня сейчас есть схема из 6 RC цепочек. Значения R и С подсчитаны из даташита.
Например для моего 1200А модуля на 3кВ:
Самая первая цепочка - Кремний - Аллюминий - состоит из сопротивления 0,632е-3 К/Вт и конденсатора 2,484 Дж/К. Постоянная времени 1,57мс
и так далее для всех переходов: Ал-Чего-то там - Керамика - Медная подложка - Радиатор - Вода.
По крайней мере резисторы в этой схеме проверили просто - при постоянном токе - при температуре воды 50 град и 25кВт мощности температура кристалла составила 85 град - это примерно мы смогли измерить.
Но самое то интересное - это конденсаторы.
И вот построить импульсный генератор тока(мощности) для этой схемы - самое интересное.
Мой коллега специально для этого на рабочем инверторе умудрился посчитать энергию, выделяемую при переключении транзистора - хотя в принципе она почти совпала с даташитом, так что можно оттуда взять. А она ж зависит от тока через транзистор и температуры.
А у меня есть в симулинке работающая модель системы управления инвертером, которая на выходе генерит форму тока через транзистор и диаграммы включения и выключения для каждого транзитсора.
Таким образом я хочу, чтоб матлаб по этим диаграммам и току через IGBT в каждый момент времени вычислял выделяемую мощность с учетом энергии переключения и потерь на активном сопротивлении канала, и запихивал это в тепловую модель. В итоге я должен получить профиль нагрева кристалла на протяжении всего периода 50гц. Также если моделировать подольше можно посмотреть как будет изменяться долговременная температура.
А в принципе вообще я это делаю для того чтобы определить возможность перегрузки инвертера например в течении 1сек током в 2р больше номинального - возможно ли это в принципе - то есть не достигнет ли температура кристалла критической за это время и за сколько кристалл охладится обратно если эту перегрузку убрать. При чем интересно будет увидеть - не подскачет ли температура до критической за 1 период и как она себя поведет в течение пары десятков периодов - ведь кристал уже ж не будет успевать охлаждаться - значит когда-то ароизойдет перегрев и надо понять когда.

[_Pasha]

Но самое то интересное - это конденсаторы.

Не назвал я еще HEXRISE от International Rectifier.
Там можно в динамике, с учетом накопления тепла, посчитать. Но для одного транзистора и, ессно, только продукция IR.
Остальные названные программы - удобный экспресс-анализ для типичных конфигураций и условий работы.
А на счет NPC - имхо, надо без учета тепловой связи между модулями, потому как дело это темное. А минимизировать оную связь можно и конструктивно

[Omen_13]

Так Вы ж написали, что 10кГц и 100А. А 100А - это ж наверное 50Гц или меньше? Иначе зачем тогда IGBT использовать - можно и тиристоры поставить - если при 0 выключаться.

Вообще-то я говорил о индукционном нагреве, а у вас электропривод с рекуперацией
Силовые тиристоры на 60...100 кГц это круто

[SAVC]

Практический вопрос - какая длина считается приемлемой ?
Например, судя по картинке
http://electronix.ru/forum/uploads/post-5466-1117452645.jpg
от платки с драйвером(которая торчит)
до транзисторов(если они находятся прямо под радиаторами) сантиметров 10-15 наберется.
Какими проводниками лучше пользоватся на участке "драйвер - транзистор" для снижения индуктивности ?

Я понимаю - идеальный вариант - драйвер на платке прямо около транзистора,
но это не всегда приемлемо.

Можно ли пытатся скомпенсировать влияние индуктивности проводов выбором
драйвера с большим током ?
Нет ли за этим решением каких-либо неприятностей ?

Из опыта управления IGBT - важно согласовать волновое сопротивление лини передачи от выхода драйвера до входа транзистора.
Сам сначала не понял этой фишки и гонялся за уменьшением индуктивности подводящих проводов.
Требовалось управлять транзистором IRG4PH50S при помощи драйвера IR2121

Выходное сопротивление драйвера при заряде затвора 8 Ом, при разряде 4 Ом.
Подпаяв микросхему даже напрямую ко входу транзистора проблему не решил.

А дело вот в чём: имеем классическую линию передачи, работающую на емкостную нагрузку.
Согласование можно обеспечить либо поставив резистор на выходе линии (отпадает), либо включив последовательно с линией на передающей стороне.
В последнем случае имеем классику - затворный резистор. Сопротивление резистора + выходное сопротивление драйвера должно равняться волновому сопротивлению линии.

Эксперимент:
Линия передачи с волновым сопротивлением 11 Ом.
Включены параллельно 6 отрезков равной длины плоского кабеля с Z=66 Ом
Использовал 80 жильный IDE - шлейф
К выходу драйвера подключен резистор, после него вход линии передачи. Выход линии передачи подпаян ко входу IGBT вблизи корпуса.

Выглядело это примерно так:



Меняя сопротивление резистора, наблюдаю картинку на входе IGBT и добиваюсь согласования.
При сопротивлении резистора 2,7 Ом наилучшая форма импульса.
Что изумительно совпало с расчётами:
2.7 + 8 = 10.7
66 / 6 = 11
Примем во внимание погрешность в измерении выходного сопротивления драйвера и разброс параметров шлейфа.

Вот картинка на затворе:



Потом ещё пробовал вот такую весчь:



Результат: имеется "полочка" сопротивлений согласующего резистора, при которых картинка на затворе практически не изменяется.
Это следствие взаимовлияния линий передач.
Диапазон сопротивлений в этом случае 1.8 Ом ... 2.2 Ом.

Длина шлейфа чуть больше 10см.
На бОльших длинах получается даже лучше - меньше неоднородность лини передачи.
Вот так. Чем больше "провод" - тем лучше
А вы говорите, поближе к IGBT
Правда, задержка сигнала возрастает.
Думаю, это пока не существенно

Следующий опыт, который хотел поставить - сделать драйвер на 3х слойной печатной плате, реализовав линию передачи в виде микрополосковой линии и избавиться от затворного резистора вовсе...
Но, планы резко изменились и проект повис в воздухе.

[_Pasha]

Эксперимент:

Как в ТВ-рекламе: "Не пытайтесь повторить увиденное на экране".
Я страх как боюсь этих экспериментов по одной причине:
когда через Cres_off повалится весь этот понос, кто заткнет затвор? Длинная линия?

[SAVC]

Как в ТВ-рекламе: "Не пытайтесь повторить увиденное на экране".
Я страх как боюсь этих экспериментов по одной причине:
когда через Cres_off повалится весь этот понос, кто заткнет затвор? Длинная линия?

Что есть Cres_off ?
Понос - это не технический термин.
Выражайтесь конкретнее и корректнее.

Длинная линия затыкает затвор ничуть не хуже витой пары.
Которая по сути тоже есть длинная линия.

В данных условиях всё в пределах допустимого, я не призываю коммутить так же ключи на сотни ампер.
Там можно было бы применить микрополосковую или полосковую линию на печатной плате.
Если требуется - на гибкой печатной плате.
Это обеспечит низкое значение индуктивности для НЧ процесса, бегущую волну для ВЧ процесса и отличную помехозащищённость.
Для Z = 8 Ом ширина микрополоски около 1,8мм при толщине слоя изоляции 0,1мм

[syoma]

Из опыта управления IGBT - важно согласовать волновое сопротивление лини передачи от выхода драйвера до входа транзистора.
Сам сначала не понял этой фишки и гонялся за уменьшением индуктивности подводящих проводов.

Не знаю как у Вас, а у нас Драйвер IGBT устанавливается прямо на модуль. При этом затвору он выдает напряжение +-15В. Резисторы, конечно, стоят в цепи затвора.
http://www.igbt-driver.com/english/ тот который наверху.
Но это для 2кВ 1000А
А в домашних условиях 100А 380В - отдельные провода от драйвера где-то длинной 15-20 см сечением 0,75. И без всяких волновых сопротивлений.

[SAVC]

Не знаю как у Вас, а у нас Драйвер IGBT устанавливается прямо на модуль. При этом затвору он выдает напряжение +-15В. Резисторы, конечно, стоят в цепи затвора.
http://www.igbt-driver.com/english/ тот который наверху.
Но это для 2кВ 1000А

Это не у вас. Это у CONCEPT'а.
Замечу, что вся геометрия подобрана и жёстко задана.

А в домашних условиях 100А 380В - отдельные провода от драйвера где-то длинной 15-20 см сечением 0,75. И без всяких волновых сопротивлений.

Да, так работает. Сами так делали или что-то похожее.
Вопрос только в том, наилучшим ли образом оно работает?
Волновое сопротивление там всё же какое-то должно быть
Провода скручены, наверное?
Вопрос в скорости нарастания напряжения на ВХОДЕ линии передачи.
Т.е. для полноты картины нужно сказать, какие у вас драйверы и величина затворных резисторов.
Есть у вас осциллограмма напряжения на затворе?
Очень хочу посмотреть.

[syoma]

Вопрос только в том, наилучшим ли образом оно работает?

В принципе напряжение на затворе не меряли. Нас больше интересовали напряжения эмиттер-коллектор. Там все было нормально - как и должно быть при работе инвертора. Поэтому дальше и не заморачивались.
А что значит наилучшим образом, я не понимаю. Что при этом будет? Меньше потери на переключение? Меньшее перенапряжение или что-то еще?

Провода скручены, наверное?

Провода не скручены, а просто два отдельных провода. Даже не вместе.

Т.е. для полноты картины нужно сказать, какие у вас драйверы и величина затворных резисторов.

Драйверы вот такие: http://www.igbt-driver.com/index.php?id=2sd106ai
Резисторы пока не могу сказать - надо посмотреть на плате.
Может тогда и осциллограму сниму.

А в январе будем новый 50-амперный трехуровневый инвертор испытывать. Так там вообще вместо драйвера какой-то изолированный усилитель и резисторы. Решение простейшее до невозможности. Но вроде работает отлично. Нам его предложила немецкая фирма, которая специализируется на инверторах. Они фигню не разрабатывают.

[Omen_13]

Господа-коллеги, никого не удивило использование 65-го для подобных измерений?
ПС
Кстати если мой источник информации не врёт (а причин сомневаться пока не было), то эти измерения производились без согласованного делителя на самопальный шнур с неизвестной емкостью и волновым сопротивлением...

[SAVC]

Господа-коллеги, никого не удивило использование 65-го для подобных измерений?
ПС
Кстати если мой источник информации не врёт (а причин сомневаться пока не было), то эти измерения производились без согласованного делителя на самопальный шнур с неизвестной емкостью и волновым сопротивлением...

Да. Критика принимается.
Лучше техники тогда не было.
Сейчас в планах повторить эксперимент.

Шнур действительно был самодельный. Z = 50 Ом.
Ёмкость около 100 пФ.
Плюс входная ёмкость осциллографа 25 пФ.
Всё это, конечно же, сказалось на результатах измерений.

Но, тогда не нужно было проводить количественные измерения.
Достаточно было сравнительных.

Для использованного предела измерения
Нормальный диапазон АЧХ канала вертикального отклонения 10 МГц.
Но, при этом время нарастания переходной характеристики не превышает 8 нс
Это соответствует 50 МГц осциллографу.

[Guest_orthodox_*]

65-й не так плох, в нем заложены приличные технологические запасы. Когда я работал в метрологии, ради развлечения на спор отстраивали его и до 100 мГц в линию(5% или точнее). Фронты более 5 нс довольно достоверны, и даже звон на них можно видеть, хотя его амплитуда уже меньше, конечно....

А по поводу длинных линий - она же в обе стороны длинная линия. хоть фронт передаст и крутой, но задержка будет и оттуда сюда и отсюда туда. Так что решение с драйвером прямо на затворе корректнее , хотя бы на закрывание. Ну как минимум если ее использовать, лучше бы позаботиться хоть об ограничении уровня на затворе, чтоб транзистор сам себе затвор не пробил при крутом фронте.

Впрочем, об этом уже писали, извините.

[SAVC]

65-й не так плох, в нем заложены приличные технологические запасы. Когда я работал в метрологии, ради развлечения на спор отстраивали его и до 100 мГц в линию(5% или точнее). Фронты более 5 нс довольно достоверны, и даже звон на них можно видеть, хотя его амплитуда уже меньше, конечно....

А по поводу длинных линий - она же в обе стороны длинная линия. хоть фронт передаст и крутой, но задержка будет и оттуда сюда и отсюда туда. Так что решение с драйвером прямо на затворе корректнее , хотя бы на закрывание. Ну как минимум если ее использовать, лучше бы позаботиться хоть об ограничении уровня на затворе, чтоб транзистор сам себе затвор не пробил при крутом фронте.

Впрочем, об этом уже писали, извините.

Спасибо вам за поддержку.
Если у вас есть возможность, прошу повторить мой эксперимент.
Все данные вышлю.
По поводу отражённых сигналов и длины линии.
Вся соль в том и состоит, чтобы убрать отражения в линии передачи.
Вернее, чтобы было одно отражение и в результате U/2 + U/2 = U На входе.
А задержки можно учесть.
И ещё - задержка она и есть задержка.
Что в сигнальной линии от платы управления до драйвера, что в силовой линии от драйвера до транзистора.
Величины будут примерно те же.
Так что, в результате, в задержке большого выигрыша не будет.

Сообщение отредактировал SAVC - Dec 9 2007, 13:38

[SAVC]

В принципе напряжение на затворе не меряли. Нас больше интересовали напряжения эмиттер-коллектор. Там все было нормально - как и должно быть при работе инвертора. Поэтому дальше и не заморачивались.
А что значит наилучшим образом, я не понимаю. Что при этом будет? Меньше потери на переключение? Меньшее перенапряжение или что-то еще?

Когда проводил эксперимент, нагружал транзистор на резистор от источника 12В.
Ток был около 1А.
Смотрел фронты на коллекторе.
Так вот, он усиливал эту ВЧ пульсню!
При уменьшении звона на затворе звон на коллекторе тоже уменьшался.

Да, меньше потери на переключение.
Плюс меньше RF излучение и снижение Fknee.

Провода не скручены, а просто два отдельных провода. Даже не вместе.

А почему?
Это же увеличивает индуктивность по сравнению с витой парой.
Или они настолько коротки, что их невозможно скрутить?
В любом случае, волновое сопротивление там какое-то есть.

Драйверы вот такие: http://www.igbt-driver.com/index.php?id=2sd106ai
Резисторы пока не могу сказать - надо посмотреть на плате.
Может тогда и осциллограму сниму.

Очень бы хотелось увидеть осциллограмму.

А в январе будем новый 50-амперный трехуровневый инвертор испытывать. Так там вообще вместо драйвера какой-то изолированный усилитель и резисторы. Решение простейшее до невозможности. Но вроде работает отлично. Нам его предложила немецкая фирма, которая специализируется на инверторах. Они фигню не разрабатывают.

А драйвер в первую очередь и есть изолированный усилитель с резисторами.
Вопрос не в этом.
Вопрос в скорости нарастания напряжения на выходе драйвера и в длине линии.
От этого зависит, будут ли проявляться волновые эффекты.
Точнее, нужно ли их учитывать.

Давайте оценим.
На выходе обычно стоят полевые транзисторы.
Возьмём для примера IRLML2402
20V; 0.25 Ohm; tr = 9.5 ns
Пусть tr будет 10ns. Значение типичное для подобных транзисторов.
Скачок напряжения на выходе драйвера 15В.
Но, из-за эффекта Миллера в IGBT сигнал остановится на 5В, двигаясь к 15В.
При скачке 15В было бы 10 ns.
До 5В он дойдёт за 3.3 ns.
Скорость распространения электромагнитной волны в обычно применяемых средах колеблется от 120 до 180ps/inch.
Это даст "электрическую" длину фронта
lmin = 3.3ns/180(ps/inch) = 18.3 inch для PCB FR-4
lmax = 3.3ns/120(ps/inch) = 27.5 inch для хорошего коаксиала
Общую длину, включая выводы транзистора ВНУТРИ корпуса не сделать меньше дюйма.
Обычно это несколько дюймов.
Критическая длина проводника обычно считается 1/6 от электрической.
Тогда в худшем случае это будет 18.3 / 6 примерно 3 inch
В лучшем 27.5 / 6 примерно 4.6 inch
То есть, 5 дюймов - это гарантированно проблемы с отражёнными волнами даже в коаксиале.
3 дюйма - гарантированно на печатной плате.
Но нет гарантии, что при длине 1 дюйм проблем не будет.
1/6 - это всего лишь оценочная формула.
Даже при 1/32 КСВ может быть достаточно большим.
Так что, даже дюйм не застрахует от стоячих волн.

[_Pasha]

Что есть Cres_off ?
Выражайтесь конкретнее и корректнее.

Длинная линия затыкает затвор ничуть не хуже витой пары.

Когда проводил эксперимент, нагружал транзистор на резистор от источника 12В.

[attachment=16070:attachment]

Что Вы, батенька, алхимией занимаетесь?
Теперь выясняется, что Вы не подошли к тому значению dv/dt, после которого и начинаются проблемы с "пульсней" - в настоящем смысле этого слова - когда через Cres_off (см. рис.) транзистор открывается и горит, если он в полумосте, либо бесстыдно генерит в одиночном включении.
Т.е. для того, чтобы убедиться в плохости длинной линии, в эксперименте надо было включать транзюк за 4 наносекунды. (т.е. добиться dv/dt >= 3В/нс).

Сообщение отредактировал _Pasha - Dec 9 2007, 17:59

[SAVC]

[attachment=16070:attachment]

Что Вы, батенька, алхимией занимаетесь?
Теперь выясняется, что Вы не подошли к тому значению dv/dt, после которого и начинаются проблемы с "пульсней" - в настоящем смысле этого слова - когда через Cres_off (см. рис.) транзистор открывается и горит, если он в полумосте, либо бесстыдно генерит в одиночном включении.
Т.е. для того, чтобы убедиться в плохости длинной линии, в эксперименте надо было включать транзюк за 4 наносекунды. (т.е. добиться dv/dt >= 3В/нс).

Да, на высоком не испытывал. Не дошёл до этого потому что.
Вообще, предпочитаю действовать по шагам - сначала на низком.
Это способствует пониманию и экономии средств.
Зато научился круто открывать IGBT.
Дальше продолжим позже, когда подойду опять к этому проекту.
Скорость нарастания на выходе драйвера к сожалению нигде в записях не осталась
Это нужно повторять эксперимент.
Но, значение 3В/нс очень знакомо.
ПУЛЬСНЯ была. Генерации не было.
Самое подлое заключается в том, что пульсня висит именно на полочке, когда IGBT в линейном режиме.
Я понял вас. Действительно, чем длиннее линия, тем больше вероятность, что возникнут проблемы.
Но, если взять равной длины согласованную линию и несогласованную, то согласованная будет лучше.
С проблемами генерации сталкивался.
http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=33397
Вот здесь выносил на обсуждение.

[_Pasha]

Я понял вас. Действительно, чем длиннее линия, тем больше вероятность, что возникнут проблемы.
Но, если взять равной длины согласованную линию и несогласованную, то согласованная будет лучше.

Лучше-то оно будет - вне сомнения, только вот ОБР всей системы сужается настолько, что встает вопрос: А зачем, собсно, оно?
А насчет скорости нарастания - можно все оставлять, имхо, как есть, но добавлять потихоньку напряжение и ток (уменьшать сопротивление). Извините, пока не сгорит.

[Guest_orthodox_*]

Спасибо всем, кто высказался на эту тему. Моя проблема выбора за это время решилась однозначно в пользу драйвера в затворе.
Действительно, как ни согласовывай длинную линию - из-за -задержки воспрепятствовать тому, что лезет со стока (пардон, коллектора) может и не успеть. А если речь идет о верхнем драйвере, и сделан выбор в пользу трансформатора - то индуктивность рассеяния тоже не особо даст получить крутых фронтов. Делал я для этого случая трансформатор из четырех витых пар впараллель... все вроде хорошо - да плюнул и вынес драйвер на затвор. По сложности проиграл аж диод с конденсатором(для моего случая с парой драйверов полдиода и пол конденсатора ) - переживу, но надо ж чем-то питать тот драйвер.
Зато как приятно осознавать, что транс какой попало, даже свивать не надо, а в цепи затвора индуктивности на единицы нГ, все рядышком. Вот после этого можно и согласованную линию применять, кому надо точности - теперь не помешает.

На всякий случай - парочка IRLML2803 - IRLML5103 в SOT23 прекрасно раскачивает затворы до 30 нФ. Пиковый ток 15 А - легко...

[SAVC]

Спасибо всем, кто высказался на эту тему. Моя проблема выбора за это время решилась однозначно в пользу драйвера в затворе.
Действительно, как ни согласовывай длинную линию - из-за -задержки воспрепятствовать тому, что лезет со стока (пардон, коллектора) может и не успеть. А если речь идет о верхнем драйвере, и сделан выбор в пользу трансформатора - то индуктивность рассеяния тоже не особо даст получить крутых фронтов. Делал я для этого случая трансформатор из четырех витых пар впараллель... все вроде хорошо - да плюнул и вынес драйвер на затвор. По сложности проиграл аж диод с конденсатором(для моего случая с парой драйверов полдиода и пол конденсатора ) - переживу, но надо ж чем-то питать тот драйвер.
Зато как приятно осознавать, что транс какой попало, даже свивать не надо, а в цепи затвора индуктивности на единицы нГ, все рядышком. Вот после этого можно и согласованную линию применять, кому надо точности - теперь не помешает.

На всякий случай - парочка IRLML2803 - IRLML5103 в SOT23 прекрасно раскачивает затворы до 30 нФ. Пиковый ток 15 А - легко...

Да. Свой драйвер - лучше!
Когда умеешь его делать
Можете поделиться опытом использования/изготовления трансформатора?
Сам сейчас думаю над ШТЛ.

[SAVC]

Насчёт длинной линии, задержек и затыкания затвора.

Согласованная длинная линия ведёт себя как резистор!
Поэтому, длина не важна, если линия согласована.
Она будет затыкать затвор также, как если бы к нему был подпаян резистор с сопротивлением Z.
Это пока теория. Не проверял на опыте. Возможно, ошибаюсь.

[_Pasha]

Да. Свой драйвер - лучше!
Когда умеешь его делать
Можете поделиться опытом использования/изготовления трансформатора?
Сам сейчас думаю над ШТЛ.

1. Уважаемые коллеги! Очень интересует опыт использования DC-DC конверторов TRACO POWER для питания драйверов затворов. Я уже задавал этот вопрос в "Компонентах", но ответов не было. Наверное, здесь у нас гораздо более оживленное общение.

Например, можно ли от TMV0515S запитать драйвер IPM PM100CLA120(Mitsubishi) ?
Навскидку - можно, и оно даже лучше, чем M57140. Однако, подобные случаи науке неизвестны

2. Внимательно перечитал то, что сам же написал в позапрошлом посте. Нашел неточность. Прошу прощения.
Насчет dv/dt - совсем не принимал во внимание входную емкость затвора Cies.
Проблемы-то начинаются не столько при определенных значениях dv/dt, сколько при определенно высоком коммутируемом напряжении в сочетании с высоким dv/dt. И в опыте SAVC на 12-ти вольтах можно делать многое до тех пор, пока не начнут сказываться индуктивности выводов транзюка.

[SAVC]

2. Внимательно перечитал то, что сам же написал в позапрошлом посте. Нашел неточность. Прошу прощения.
Насчет dv/dt - совсем не принимал во внимание входную емкость затвора Cies.
Проблемы-то начинаются не столько при определенных значениях dv/dt, сколько при определенно высоком коммутируемом напряжении в сочетании с высоким dv/dt. И в опыте SAVC на 12-ти вольтах можно делать многое до тех пор, пока не начнут сказываться индуктивности выводов транзюка.

Конечно же, величина коммутируемого напряжения важна. Она влияет на dv/dt на коллекторе, а значит, на ток через ёмкость Миллера. Нужно научиться считать эти процессы и выбирать оптимальные режимы работы ключа. Открыть ключ как можно быстрее - это не та задача, которую нужно решать. Нужно решить задачу об оптимальной скорости открытия ключа. И здесь несущественных вещей нет. Система решаемых уравнений сложна, и способ подбора корней чуть ли не единственный. Поэтому так важно моделирование и интерактивные среды разработок. Впрочем, Америку не открываю

Действительно, следующий барьер - индуктивность выводов, которая задана и от которой никуда не деться. Я подпаивался к выводам непосредственно у корпуса.
И сразу встаёт вопрос, а какое волновое сопротивление системы выводы - кристалл?
И как им можно управлять?
Кстати, я думаю, что в IGBT модулях волновые сопротивления корпуса посчитаны, и вместе с платой драйвера образуется система с равномерной ПХ вплоть до кристалла.
Ещё момент, длина выводов при подпайке непосредственно к корпусу мала, поэтому можно попробовать посчитать волновое сопротивление сосредоточенной системы, используя индуктивность выводов и входную ёмкость IGBT. Ну, и поставить эксперимент
Тогда откроется возможность управлять входным волновым сопротивлением, изменяя индуктивность. Вешать бусинки, масенькие дроссели и т. п. И заново откроется смысл индуктивности в цепи затвора.
Тут есть проблема - входная ёмкость меняется в зависимости от режима работы IGBТ...

[Guest_orthodox_*]

Да. Свой драйвер - лучше!
Когда умеешь его делать
Можете поделиться опытом использования/изготовления трансформатора?

Да, собственно, если не надо очень уж крутой фронт и емкость затвора мала (1n или около) - то проблем нет, импульсный трансформатор любой работает. Ну, надо покруче фронт - мотают витой парой (тройкой и т д ? смотря по числу обмоток). А вот если на приличную емкость работаем, а желания драйвер на затвор выносить нету, тогда упираемся в крутизну фронта по причине конечно малой индуктивности рассеяния. То есть провода уже свили, но не хватает. Стандартный прием - брать побольше сердечник с малым окном (длинное кольцо, напр), и просчитывать обмотки впритык - минимальной индуктивности, лишь бы драйвер по току не перегружали. Ну а далее - надо просто менять форм-фактор обмоточного провода. И поскольку мало у кого будет желание мотать лентой микрон 50, то просто мотаем параллельно несколькими витыми парами, а потом разбираем по обмоткам. Можно и скрутить эти пары, главное - не скручивать все провода разом. а сначала по группам. потом группы вместе.
Или. проще говоря - намотать транс не один раз. а несколько раз на том же сердечнике и спараллелить обмотки. При этом параллелятся и все паразитности - в т ч индуктивность рассеяния, а основные индуктивности - нет (они связанные, потому что....). Так можно получить весьма высокий коэффициент связи, следовательно и широкополосность, что и нужно на крутые фронта.

Но меня все равно все эти хлопоты утомили, и драйвер - только на затвор. Китайцы не будут витыми парами кольца мотать, лучше рассчитать на стандартный импульсный транс...


И еще просьба: просветите меня, где могут потребоваться реально крутые фронта на закрывание? Я пока сталкивался лишь с необходимостью быстро закрыть транзистор, чтобы не греть его, а дать сработать снабберу. Так что чем быстрее закрыл - тем не хуже, напряжение на стоке все равно небыстро нарастает - снаббер не даст.

[SAVC]

Но меня все равно все эти хлопоты утомили, и драйвер - только на затвор. Китайцы не будут витыми парами кольца мотать, лучше рассчитать на стандартный импульсный транс...

Да. Стоимость намотки транса может быть очень большой.

И еще просьба: просветите меня, где могут потребоваться реально крутые фронта на закрывание? Я пока сталкивался лишь с необходимостью быстро закрыть транзистор, чтобы не греть его, а дать сработать снабберу. Так что чем быстрее закрыл - тем не хуже, напряжение на стоке все равно небыстро нарастает - снаббер не даст.

Да в нашей как раз области - в индукционном нагреве
Это если не считать модель, а просто следит за переходом тока через ноль.
Тут быстро не бывает
Посмотрите, хотя бы на ESBT транзисторы...
http://www.st.com/stonline/products/famili...s/esbt/esbt.htm

[Omen_13]

И еще просьба: просветите меня, где могут потребоваться реально крутые фронта на закрывание? Я пока сталкивался лишь с необходимостью быстро закрыть транзистор, чтобы не греть его, а дать сработать снабберу. Так что чем быстрее закрыл - тем не хуже, напряжение на стоке все равно небыстро нарастает - снаббер не даст.

1. Например для аварийного выключателя - если инвертор "сорван" (опрокинулся) ток будет нарастать весьма резво
2. Слишком быстро закрывать тоже плохо - большое dU/dt может вызвать срабатывание паразитного тиристора в структуре транзистора (название эфекта не помню). Если не запямятовал то три года назад в Москве симметроновцы устраивали встречу по применению мощных IGBT Митсубиши, среди прочего был драйвер "затягивающий" выключение (т.е работа в линейном режиме) для уменьшения dU/dt. Естественно транзистор греется но не "схлопывается"

Шнур действительно был самодельный. Z = 50 Ом.
Ёмкость около 100 пФ.
Плюс входная ёмкость осциллографа 25 пФ.
Всё это, конечно же, сказалось на результатах измерений.

Небольшое уточнение - при подключении линий с разными волновыми сопротивлениями без использования согласующих устройств будут образовываться обратные волны
ПС С1-65 Свх =30пФ

[SAVC]

1. Например для аварийного выключателя - если инвертор "сорван" (опрокинулся) ток будет нарастать весьма резво

Мда. Проект, который, видимо, никогда не будет реализован.
Надо бы попросить Антона высказаться по этому поводу...

2. Слишком быстро закрывать тоже плохо - большое dU/dt может вызвать срабатывание паразитного тиристора в структуре транзистора (название эфекта не помню). Если не запямятовал то три года назад в Москве симметроновцы устраивали встречу по применению мощных IGBT Митсубиши, среди прочего был драйвер "затягивающий" выключение (т.е работа в линейном режиме) для уменьшения dU/dt. Естественно транзистор греется но не "схлопывается"

У человека стоит снаббер.
Поэтому быстрое закрыване транзистора вовсе не приведёт к большим du/dt.
Вообще, решения могут быть разными.

Небольшое уточнение - при подключении линий с разными волновыми сопротивлениями без использования согласующих устройств будут образовываться обратные волны

Кто б спорил то?
Сейчас я бы поставил эксперимент по-другому.
Но, тогда было сделано так, как я описал.
И, вообще, по поводу точности я уже всё написал выше.

ПС С1-65 Свх =30пФ

Смотрю в "Техническое описание", приложенное к осциллу.
Там написано
"входная ёмкость, параллельная входному сопротивлению, не превышает 25пФ".
Но, это всё не так уж и важно на фоне 100пФ ёмкости шнура.

[Omen_13]

У человека стоит снаббер.
Поэтому быстрое закрыване транзистора вовсе не приведёт к большим du/dt.
Вообще, решения могут быть разными.

Учим матчасть - даже в случае использования плоских шин с минимальной индуктивностью и использования RC цепей при мгновенном выключении транзистора (теоретически) выбросы будут присутствовать
Часть графиков с коментами есть здесь
http://www.infineon.com/dgdl/ed_pcim06_120...112b40ecf06128b
А здесь залежи
http://www.infineon.com/cms/en/product/cha...112ab69e66f0362

[_Pasha]

Учим матчасть - даже в случае использования плоских шин с минимальной индуктивностью и использования RC цепей при мгновенном выключении транзистора (теоретически) выбросы будут присутствовать

Сыпать цитатами не могу - геморройно искать. Но читал неоднократно то же самое. В смысле, что снаббер для IGBT - это совсем не то, что снаббер для биполярника. И выключать его надо мягко. Хотя, если вспомнить, что время выключения IGBT практически не зависит от резистора в затворе, возникает вопрос: за счет чего, собсно, эта мягкость? Имхо, за счет того, что мы проходим линейный режим несколько медленнее. Поправьте, если что не так.

Система решаемых уравнений сложна, и способ подбора корней чуть ли не единственный. Поэтому так важно моделирование и интерактивные среды разработок. Впрочем, Америку не открываю

это читали? Особенно с.23-25.
Или
вот это
Нормальный совершенно расчет. Но для IR, где Cres,Cies и т.д. указаны с точностью до пикофарад.
А там, где Cres пишут, например, равна 0.1 нф, становится понятно, что использовать этот параметр нет смысла, потому как для закрытия транзюка надо использовать отрицательное напряжение. Тем более, что Semikron и Infineon, например, так и пишут в своих conditions +/- 15V.
Вот и получается, что для Вашей хрустальной мечты (согласованной линии) лучше всего подходят International Rectifier. Система параметров позволяет на "молекулярном уровне" работать.

[Guest_orthodox_*]

Учим матчасть - даже в случае использования плоских шин с минимальной индуктивностью и использования RC цепей при мгновенном выключении транзистора (теоретически) выбросы будут присутствовать

Эт точно. Увлекаться не нужно. Похоже, это я сбил с толку - влез со своей темой.
Важнее. чтобы то, что открывает/закрывает затвор - жестко его держало. А скорости, конечно, есть предел. А то и индуктивности своих выводов хватит для приличного выброса.
Вот тут и появляется сомнение насчет длинной линии и как-то привлекательнее кажутся пара транзисторов в затворе прямо на выводах, да и к тому же более быстрых транзисторов (потому что мелкие)

[_Pasha]

В догонку.

ПУЛЬСНЯ была. Генерации не было.
Самое подлое заключается в том, что пульсня висит именно на полочке, когда IGBT в линейном режиме.

Прочитал я про IRG4PH50S внимательно.
Там есть зависимости всех емкостей, про которые уже лень писать, от напряжения коллектор-эмиттер.
Так вот, Вы были на Vce=12В, и там (посмотрите сами) Cres~500pF. Это дохренищща.
ИМХО, феномен пульсни:
1. Драйвер включился. Пусть все задержки драйвер-затвор уже прошли. Добрались до полочки. По ходу, пороговое напряжение на затворе уже достигли.
2. Сам канал транзюка еще не открылся, потому что есть задержка включения. Если к началу образования канала полочка на затворе уже есть, то...
3. Через огромное значение Cres на затвор наводится нечто, что дает Вам пульсню.

Проверяйте.
И если эксперимент повторять, сразу берите 20В

[SAVC]

В догонку.
Прочитал я про IRG4PH50S внимательно.
Там есть зависимости всех емкостей, про которые уже лень писать, от напряжения коллектор-эмиттер.
Так вот, Вы были на Vce=12В, и там (посмотрите сами) Cres~500pF. Это дохренищща.
ИМХО, феномен пульсни:
1. Драйвер включился. Пусть все задержки драйвер-затвор уже прошли. Добрались до полочки. По ходу, пороговое напряжение на затворе уже достигли.
2. Сам канал транзюка еще не открылся, потому что есть задержка включения. Если к началу образования канала полочка на затворе уже есть, то...
3. Через огромное значение Cres на затвор наводится нечто, что дает Вам пульсню.

Проверяйте.
И если эксперимент повторять, сразу берите 20В

хе-хе
Какая у нас оживлённая дискуссия получается.
Мне нравится.

Пробовал сначала БЕЗ нагрузки - пульсня была.
Всё сильнее хочется повторить опыт и самому кое-что ещё дополнительно попробовать.
Действительно, IR мне больше подходит, я и ориентируюсь только на них.
Вообще, питаю очень сильное уважение к IR и истории их компании.

Питать затвор планирую +15V/-5V
Это даст +10V/-10V с учётом +5V порогового напряжения.
И использовать равные затворные резисторы для открытия/закрытия.
Или один резистор
А за ним согласовнная линия

Учим матчасть - даже в случае использования плоских шин с минимальной индуктивностью и использования RC цепей при мгновенном выключении транзистора (теоретически) выбросы будут присутствовать
Часть графиков с коментами есть здесь
http://www.infineon.com/dgdl/ed_pcim06_120...112b40ecf06128b
А здесь залежи
http://www.infineon.com/cms/en/product/cha...112ab69e66f0362

Прелоняюсь перед вашим знанием математики.
Нам, самоучкам, за вами не угнаться.

[_Pasha]

Питать затвор планирую +15V/-5V

Только ж Вы ж не забывайте, что у буржуев есть +15/-8.2
На сей случай даже DC/DC конверторы заточены...... VLA106-15242

[SAVC]

Только ж Вы ж не забывайте, что у буржуев есть +15/-8.2
На сей случай даже DC/DC конверторы заточены...... VLA106-15242

хым. Вот, даже как...
Вряд ли меня устроит -8.2V
Скорее всего, будет свой БП.

Вы, кстати, спрашивали про питание драйверов.

1. Уважаемые коллеги! Очень интересует опыт использования DC-DC конверторов TRACO POWER для питания драйверов затворов. Я уже задавал этот вопрос в "Компонентах", но ответов не было. Наверное, здесь у нас гораздо более оживленное общение.

Например, можно ли от TMV0515S запитать драйвер IPM PM100CLA120(Mitsubishi) ?
Навскидку - можно, и оно даже лучше, чем M57140. Однако, подобные случаи науке неизвестны

Обычно я не юзаю готовых источников...
Для питания драйверов полевых транзисторов использовал такую вот схемку:  schema.zip ( 63.95 килобайт ) Кол-во скачиваний: 197

Единственно, у меня напряжение между обмотками было не больше 50В.
Если нужно больше - транс мотать по-другому. Не ленточным кабелем

Мне, честно говоря, не понятно, как встала такая проблема - из +5В получать +15В для питания драйверов?
То есть, я бы сделал одну общую шину +15В. Можно заюзать для этого AC/DC. Что-нибудь из линейки TML, например, если брать TRACO-POWER. Скажем, TML30115C
Из неё бы получил столько развязанных +15В, сколько мне нужно - использовал бы примерно такую схемку, как привёл сейчас.
Ну, и +5В ещё заодно, уже стабилизированное и со всем делами... Можно DC/DC поставить.

[_Pasha]

хым. Вот, даже как...
Вряд ли меня устроит -8.2V
Скорее всего, будет свой БП.

Вы, кстати, спрашивали про питание драйверов.

Обычно я не юзаю готовых источников...

Мне, честно говоря, не понятно, как встала такая проблема - из +5В получать +15В для питания драйверов?
То есть, я бы сделал одну общую шину +15В. Можно заюзать для этого AC/DC. Что-нибудь из линейки TML, например, если брать TRACO-POWER. Скажем, TML30115C

1. Раз 8.2 вольта у них стандарт, повод задуматься. Рано или поздно кривая выведет все равно туда же.

2. Про TML не скажу- нет под рукой. Серия TMV, о которой говорю я: Емкость вход-выход 60пФ. Это лучше, чем M57140 или VLA106 (там 100пФ). Смущает то, что Traco Power не декларирует в application, что, мол, IPM, IGBT driver etc...
А там неясно, как ведет себя это хозяйство при комбинации факторов {Low voltage+high dv/dt+ 70градусов температуры}. Поэтому и жду какого-л мнения.

3. Еще есть Gate Drive Transformers, например PA-0184. У нас - чуть больше 1 евро. См док.
[attachment=16267:attachment]

4. Спасибо за схему, хоть и все ясно, а уверенности прибавляет .

Сообщение отредактировал _Pasha - Dec 13 2007, 17:27

[SAVC]

1. Раз 8.2 вольта у них стандарт, повод задуматься. Рано или поздно кривая выведет все равно туда же.

Да. Может быть.
Ведь, порог не ровно на +5В. Он чуть ниже...
Зато, в своём источнике я всегда могу покрутить напряжение, там видно будет.

2. Про TML не скажу- нет под рукой. Серия TMV, о которой говорю я: Емкость вход-выход 60пФ. Это лучше, чем M57140 или VLA106 (там 100пФ). Смущает то, что Traco Power не декларирует в application, что, мол, IPM, IGBT driver etc...
А там неясно, как ведет себя это хозяйство при комбинации факторов {Low voltage+high dv/dt+ 70градусов температуры}. Поэтому и жду какого-л мнения.

Тоже ничего не могу сказать.
Может быть, у них просто спросить?
Например, через ArgusSoft?
Они, вроде бы, TRACO POWER поставляют...

3. Еще есть Gate Drive Transformers, например PA-0184. У нас - чуть больше 1 евро. См док.
[attachment=16267:attachment]

Такое малое рассеяние при достаточно большом, по всей видимости, кол-ве витков.
Интересно.

Вообще, если говорить о малой проходной ёмкости, сразу в голове рисуется колечко.
С одной сторны первичка, с другой - вторичка...
Колечко покрыто полимеркой.
Кол-во витков малое.
Чтоб вручную мотать
Сверху каплю лака с одной стороны и каплю лака с другой стороны.
Или даже не лак, а что-нить силиконовое быстросохнущее...
Делаем обратноходовый источник с контролем тока в первичке.
Это, чтоб по максимуму использовать индукцию кольца.
Или же, наоборот, берём колечко чуть больше, а индукцию по-меньше.
Приращение задаём меньше минимального по DS.
Потери будут ниже в итоге, а запасаемая энергия не будет зависеть от температуры...

[Omen_13]

2. Про TML не скажу- нет под рукой. Серия TMV, о которой говорю я: Емкость вход-выход 60пФ. Это лучше, чем M57140 или VLA106 (там 100пФ). Смущает то, что Traco Power не декларирует в application, что, мол, IPM, IGBT driver etc...
А там неясно, как ведет себя это хозяйство при комбинации факторов {Low voltage+high dv/dt+ 70градусов температуры}. Поэтому и жду какого-л мнения.

Используем TEN8 для питания проходного тиристора, условия работы жуткие - зимой холод и снег (через вентиляцию надувает), летом жара, по силовой части обстановка жуткая - своих помех хватает + помехи от сварочников (сеть г..но - дизгенератор). Выпускается в серии около года, отказов с Сахалина не наблюдаю.
Насколько помню модули покупаем у петроинтрейда

Прелоняюсь перед вашим знанием математики.
Нам, самоучкам, за вами не угнаться.

Матчасть - Материальная часть, про математику ни слова

Мда. Проект, который, видимо, никогда не будет реализован.

Историю ППЧ-20-10 напомнить?

[SAVC]

Сейчас вот намотал, не поленился.
Взял колечко К10х6х3
С одной стороны первичка 20 витков провода ПЭВ-0,25
С другой - такая же вторичка.
Края скруглены, кольцо покрыто лаком.
Измерил межобмоточную ёмкость.
Получилось 10пФ.

Индуктивность обмоток по 240uHn.
Индуктивность рассеяния 16uHn.

Что вполне годится для обратноходового источника.
Если бы кольцо было N87, а не К2000НМ1-36, то приращение индукции было бы 0,3Тл.
Это при 15V даст 0,12us
Что выливается в 1Мгц тактовой частоты для схемки, что я привёл чуть раньше.
Нужна ещё одна обмотка - для рекупераци...
Намотать поверх первички. На ёмкости не скажется.

Историю ППЧ-20-10 напомнить?

Точнее будет - рассказать.
Я, ведь, не застал начало.
А мне никто и не рассказывал, собственно...

Хочешь сказать, был всё-таки проходной IGBT?
Видимо, что-то не срослось, раз поставили тиристорный выключатель?

Сообщение отредактировал SAVC - Dec 13 2007, 19:54

[Omen_13]

Точнее будет - рассказать.
Я, ведь, не застал начало.
А мне никто и не рассказывал, собственно...

Хочешь сказать, был всё-таки проходной IGBT?
Видимо, что-то не срослось, раз поставили тиристорный выключатель?

Что расказать?
Проходной IGBT там и не планировался (только на словах в далёкой перспективе), изначально стоял конденсаторный выключатель для обеспечения наиболее безболезненного перехода от 000 БУЗа к новому (историю с "новой системой управления" надеюсь расказывать не придётся?). IGBT А.В. отработал по полной программе на макете, Роберт и КО заканчивают заделы по "старой" схеме. У меня всё "на мази", по команде Е.В. запускаю в призводство редакцию под IGBT

Да чуть не забыл, у TENов была выявлена одна мелкая неприятность - напряжение на выходе при включении растёт достаточно медленно, что-то около 0,3...1 сек. Сразу оговорюсь - на выходе я поставил 100мкФ, в остальном замечаний нет

[SAVC]

Что расказать?
Проходной IGBT там и не планировался (только на словах в далёкой перспективе), изначально стоял конденсаторный выключатель для обеспечения наиболее безболезненного перехода от 000 БУЗа к новому (историю с "новой системой управления" надеюсь расказывать не придётся?).

Да, это я знаю.
Не, историю системы управления рассказывать не надо...

IGBT А.В. отработал по полной программе на макете, Роберт и КО заканчивают заделы по "старой" схеме. У меня всё "на мази", по команде Е.В. запускаю в призводство редакцию под IGBT

Я не в курсе происходящего.
Рад, вообще говоря, что дело сдвинулось с мёртвой точки. Ты молодец.
А вот при словосочетании IGBT А.В. что-то неприятное зашевелилось в груди.
Не понимаю, как ты умудряешься с ним работать.

[SAVC]

Omen_13

А, всё-таки, был где-нибудь реализован аварийный выключатель на IGBT или нет?

[_Pasha]

Да чуть не забыл, у TENов была выявлена одна мелкая неприятность - напряжение на выходе при включении растёт достаточно медленно, что-то около 0,3...1 сек. Сразу оговорюсь - на выходе я поставил 100мкФ, в остальном замечаний нет

Вот такие "сальности" я и имел в виду. Потому что, когда горит модуль за 1000 баксов, поздно кушать женьшень
Попутно вопрос: UVLO должно это все убирать. У Вас драйвера правильные или свои?

До кучи к PA-0184 нагуглил аппликуху к P0926 (из того же семейства)Здесь

P.S. Это ж я забыл уточнить, что интересует опыт использования traco power dc/dc для питания ВЕРХНЕГО драйвера IGBT в полумосте. На всякий случай, если кто не понял

Сообщение отредактировал _Pasha - Dec 14 2007, 08:49

[SAVC]

Вот такие "сальности" я и имел в виду. Потому что, когда горит модуль за 1000 баксов, поздно кушать женьшень
Попутно вопрос: UVLO должно это все убирать. У Вас драйвера правильные или свои?

Правильный драйвер - это всегда покупной драйвер???

P.S. Это ж я забыл уточнить, что интересует опыт использования traco power dc/dc для питания ВЕРХНЕГО драйвера IGBT в полумосте. На всякий случай, если кто не понял

Понял, да.
Я уже начал понимать философию ваших разработок.
И, всё-таки, можно вопросик?
Почему бы не поставить колечко? :-X
Масенькое такое. Чтоб проходная ёмкость 10пФ.
Точнее, зазор, всё-таки, нужен будет, скорее всего.
Это что-то П-образное получается...

[_Pasha]

Правильный драйвер - это всегда покупной драйвер???
Я уже начал понимать философию ваших разработок.
И, всё-таки, можно вопросик?
Почему бы не поставить колечко?

1. Там, где фирма предлагает законченные решения, лучше опираться на них.
2. Габаритные размеры. Эти трансы PA-0184 мне симпатичны и по этой причине.
3. О правильном драйвере. Если Вы хотите обойтись без Concept, это одно дело.
А для "скромных" 50-200 амперных лучше ставить HCPL-316J, например.
Делать собственный драйвер, это побороться с такими неприятностями:
- UVLO
- Минимальные размеры
- Корректная работа на стороне управления
- Хороший подбор времен задержки и их стабильность.
А это разрушает мозг не хуже алкоголя и наркотиков

[SAVC]

1. Там, где фирма предлагает законченные решения, лучше опираться на них.
2. Габаритные размеры. Эти трансы PA-0184 мне симпатичны и по этой причине.
3. О правильном драйвере. Если Вы хотите обойтись без Concept, это одно дело.
А для "скромных" 50-200 амперных лучше ставить HCPL-316J, например.
Делать собственный драйвер, это побороться с такими неприятностями:
- UVLO
- Минимальные размеры
- Корректная работа на стороне управления
- Хороший подбор времен задержки и их стабильность.
А это разрушает мозг не хуже алкоголя и наркотиков

Хех. Пожалуй.
Для каждого случая есть своё оптимальное решение.
Но вот с габаритами транса - 10 мм. не так уж и много.
Всё равно меньше делать опасно - а как же пробой по поверхности?
Эти трансы не намного меньше.
10 пФ - это ж круто.
А у этих трансов про межобмоточную ёмкость вообще ничего не сказано...

Недавно сваял драйвер с задержкой 20нс.
Это от выхода передатчика на плате управления до затворов транзисторов раскачки в драйвере.
10нс даёт электроника, 10нс - кольцо.
Уменьшать дальше смысла не вижу.
Температурная стабильность задержки под вопросом.
Но, даже, если это будет 2 раза для кольца. Меня бы это устроило...

[_Pasha]

Сейчас вот намотал, не поленился.
Измерил межобмоточную ёмкость.
Получилось 10пФ.

Чем меряли? Лучше отследить зависимость от частоты.

Хех. Пожалуй.
Недавно сваял драйвер с задержкой 20нс.
Это от выхода передатчика на плате управления до затворов транзисторов раскачки в драйвере.
10нс даёт электроника, 10нс - кольцо.
Уменьшать дальше смысла не вижу.
Температурная стабильность задержки под вопросом.
Но, даже, если это будет 2 раза для кольца. Меня бы это устроило...

Круто!
P.S. видели ли Вы Infineon 1ED020I12-S ?

Сообщение отредактировал _Pasha - Dec 14 2007, 10:53

[SAVC]

Чем меряли? Лучше отследить зависимость от частоты.

Мерил я китайским мостом
Если заниматься дальше, тогда надо бы...
И сердечник другой взять надо бы.
Это просто пример.

Круто!

ага.
Я доволен до безумия.

[_Pasha]

Блин. Разговор у нас,как в чате - подписка на мыло не успевает.
Видели ли Вы драйвер Infineon 1ED020I12-S?

[SAVC]

Блин. Разговор у нас,как в чате - подписка на мыло не успевает.
Видели ли Вы драйвер Infineon 1ED020I12-S?

Нет. Не видел.
Скачал, глянул пока только Propagation Delay
У них 200ns. Я танцую
Чуть позже изучу подробно.

Я видел трансформаторы-кольца от IXYS мелкие такие в SMD корпусе.
Было это год назад, кажется.
Где-то у меня был на них PDF...

Во, по трансам:
 TX02_4400.pdf ( 60.91 килобайт ) Кол-во скачиваний: 333

 t092702.pdf ( 137.58 килобайт ) Кол-во скачиваний: 339


И ещё вот классная микросхемка:
 IXDN430.pdf ( 794.38 килобайт ) Кол-во скачиваний: 402


Как-то думал использовать в паре.

[_Pasha]

И ещё вот классная микросхемка:
Как-то думал использовать в паре.

А что в ней классного, если нету Active Miller Clamp? Фейерверка хочется?
За трансы спасибо.

[SAVC]

А что в ней классного, если нету Active Miller Clamp? Фейерверка хочется?

Неа. Фейрверк я не хочу...
Вообще, против фейерверков.
В одном корпусе схема раскачки полевиков + сами полевики.
Это было для меня привлекательней россыпи...
Вот и всё, собственно.