Посоветуйте полевик, с малым сопротивлением канала Опции

[777777]

International Rectifier делает транзисторы с сопротивлением до 10...20 миллиОм, но они позиционируют их как мощные (даже в микрокорпусах) и поэтому ставят внутри диод в обратном включении. А есть ли транзисторы без такого диода, чтобы можно было использовать в качестве аналогового ключа?

[haker_fox]

International Rectifier делает транзисторы с сопротивлением до 10...20 миллиОм, но они позиционируют их как мощные (даже в микрокорпусах) и поэтому ставят внутри диод в обратном включении. А есть ли транзисторы без такого диода, чтобы можно было использовать в качестве аналогового ключа?

А такой транзистор будет работать, если ему сменить полярность на истоке/стоке на обратную? Или, что подразумевается под аналоговым сигналом?

[Designer56]

Скорее всего, нет. Можно включить 2 встречно- последовательно истоками, затворы в параллель, и управлять плавающим напряжением- между стоками и затворами.

[777777]

А такой транзистор будет работать, если ему сменить полярность на истоке/стоке на обратную?

Будет, только для запирания нужно на затвор подавать отрицательное напряжение, иначе он может открыться от отрицательного напряжения на стоке.

Или, что подразумевается под аналоговым сигналом?

Именно это. Собственно, нужен аналоговый ключ, но сколько я ни смотрел, у всех сопротивление не меньше 20 Ом, а нужно хотя бы 0.5

[haker_fox]

Может быть Вам полнее огласить параметры сигнала и условия работы? Больше вероятности, что смогут посоветовать что-нибудь подходящее)

[777777]

Может быть Вам полнее огласить параметры сигнала и условия работы? Больше вероятности, что смогут посоветовать что-нибудь подходящее)

Может быть
Нужно сделать делитель напряжения с переменным коэффициентом деления. Для этого ставятся несколько "нижних" резисторов и каджый из них подключается к земле через полевик. Сопротивление самого низкоомного резистора 56 Ом, поэтому для точности 0.1% сопротивление ключа должно быть <0.5 Ом

[haker_fox]

Может быть
Нужно сделать делитель напряжения с переменным коэффициентом деления. Для этого ставятся несколько "нижних" резисторов и каджый из них подключается к земле через полевик. Сопротивление самого низкоомного резистора 56 Ом, поэтому для точности 0.1% сопротивление ключа должно быть <0.5 Ом

А цифровой потенциометр не подойдет? Из первого поста следует, что мощности у Вас небольшие.

[Designer56]

А нельзя вообще избавится от необходимости коммутировать "земляные" концы делителя? Это давно решенный вопрос.

[sera_os]

Сопротивление самого низкоомного резистора 56 Ом, поэтому для точности 0.1% сопротивление ключа должно быть <0.5 Ом

IRF7301 или подобные сборки.

[777777]

IRF7301 или подобные сборки.

Мне больше понравиласть IRF7907, у него сопротивление канала меньше 20 мОм. Но там внутри стоит диод, который не позволит работать с отрицательными напряжениями.

А цифровой потенциометр не подойдет? Из первого поста следует, что мощности у Вас небольшие.

А что ето?

А нельзя вообще избавится от необходимости коммутировать "земляные" концы делителя? Это давно решенный вопрос.

А как?

[Designer56]

Делается лестничный делитель, коммутируются отводы от него- выходы. Предполагается, что они нагружены на высокоомную чепь.

[777777]

Делается лестничный делитель, коммутируются отводы от него- выходы. Предполагается, что они нагружены на высокоомную цепь.

Но все равно через ключи будет идти переменное напряжение. А в ключах - диоды

Сообщение отредактировал 777777 - Nov 6 2008, 11:35

[Designer56]

Так можно применить специальные ИМС коммутаторов, где эти проблемы решены. или маломощные КМОпы, с выводом подложки.

[777777]

Так можно применить специальные ИМС коммутаторов, где эти проблемы решены. или маломощные КМОпы, с выводом подложки.

Название, pls

[Turnaev Sergey]

А в ключах - диоды

Я конечно извиняюсь, но вы вообще знаете какая структура MOSFET?
Эти диоды являются паразитными, и без них конструктивно невозможно сделать данный тип транзистора.
Откройте хотябы книжку Воронина "Силовые полупроводниковые ключи" увидите как сделан мосфет.

На мосфетах двуполярные ключи делаются встречным включением, либо в диагональ диодного моста.

При встречном включении получаете суммарное сопротивление чуть меньше чем 2*Rканала_прямое.

[Designer56]

Поищите у AD, например. Или, если отечественные- из серии 561,564, 1564. КТ, КП.

[777777]

Я конечно извиняюсь, но вы вообще знаете какая структура MOSFET?
Эти диоды являются паразитными, и без них конструктивно невозможно сделать данный тип транзистора.

Слушай - точняк! Забыл теорию...

Поищите у AD, например.

Искал, у них сопротивление канала в лучшем случае - десятки ом

Или, если отечественные- из серии 561,564, 1564. КТ, КП.

Ой, только не надо предлагать это говно. Если ностальгия мучает, то предложил бы ключи серии 590

[Rst7]

Эти диоды являются паразитными, и без них конструктивно невозможно сделать данный тип транзистора.

Да ну? Если вывод истока с подложкой не соединять, то и не будет паразитного диода. Наглядный пример - ну, скажем, транзистор КП305.

Откройте хотябы книжку Воронина "Силовые полупроводниковые ключи" увидите как сделан мосфет.

Если в этой книге так и написано, что невозможно, то эту книгу - фтопку, аффтара - апстену.


Другое дело, что мощные транзисторы всегда выполняются с этим соединением. Посему, единственное решение - встречно 2 транзистора и напряжение на затворы подавать или выше максимального уровня коммутируемого сигнала на несколько вольт для отпирания (если транзисторы n-канальные), или на несколько вольт ниже минимального уровня для запирания.

[Stanislav]

International Rectifier делает транзисторы с сопротивлением до 10...20 миллиОм, но они позиционируют их как мощные (даже в микрокорпусах) и поэтому ставят внутри диод в обратном включении. А есть ли транзисторы без такого диода, чтобы можно было использовать в качестве аналогового ключа?

Нужно сделать делитель напряжения с переменным коэффициентом деления. Для этого ставятся несколько "нижних" резисторов и каджый из них подключается к земле через полевик. Сопротивление самого низкоомного резистора 56 Ом, поэтому для точности 0.1% сопротивление ключа должно быть <0.5 Ом

Так делители напряжения с переменным к-том деления не делаются. Лучше сделать цепочку последовательно соединённых резисторов с отводами, и коммутировать последние с помощью аналогового мультиплексора.
Мультиплексоры можно найти, например, у AD.
Также можно поискать у ONsemi, LT или Maxim-а.
Если назовёте параметры делителя, подскажу, как сделать конкретно.

Ой, только не надо предлагать это говно. Если ностальгия мучает, то предложил бы ключи серии 590

Это не г..но, а нормальные микросхемы.
Делитель на них сделать, безусловно, можно.
Г...о же, в основном, находится в головах некоторых особо прытких разработчиков, с трудом представляющих себе действие закона Ома.
И считать они не умеют. 0,1% от 56Ом - это 0,05 Ом, а никак не 0,5.
Прошу прощенья за оффтоп.

[Максим Зиновьев]

Название, pls

4051, 4052, 4053

А такой транзистор будет работать, если ему сменить полярность на истоке/стоке на обратную?

Будет. Попробуйте откройте мосфет и потыкайте омметром d- s и s-d. Или дц БП со стабилизацией тока


Иногда полезно делить на высокоомном делителе, а потом буфернуть, благо приличных ОУ сейчас навалом

Так, чтобы сопротивление открытого ключа и евонный дрейф были малы относительно стабильных резисторов делителя

бы ключи серии 590

Не надо гнать на 590-е ключи, особенно с 5 приёмкой, если их в руках никогда не держал.

Там разница сопротивлений 4-х ключей в одном корпусе... её нет практически.

[777777]

Не надо гнать на 590-е ключи, особенно с 5 приёмкой, если их в руках никогда не держал.

Неужели я написал что-то двусмысленное?

Если ностальгия мучает, то предложил бы ключи серии 590

Как из этого следует, что я "гоню" на 590-е ключи? Может вас смутило то, что я нехорошо выразился ключах 561-й серии? Но они действительно говно и кроме коммутации цифровых сигналов ни на что не годны.

[Максим Зиновьев]

Как из этого следует, что я "гоню" на 590-е ключи?

Пардон,777777, показалось

176КТ1 я сам за ключи перестал давно принимать, а 561/564КТ3 только есть, которые что-нибудь на gnd замыкают.

[Turnaev Sergey]

Да ну? Если вывод истока с подложкой не соединять, то и не будет паразитного диода. Наглядный пример - ну, скажем, транзистор КП305.

Ну вы конечно нашли с чем сравнить...

Когда найдёте хоть один силовой мосфет без диода, дайте мне знать.

А если вы говорите о P области подключеной к истоку, то я не представляю как вы собираетесь создавать канал в этой Р области если она не будет подключена к истоку. Иначе под затвором просто не будет эл. поля.

Подложкой в мосфете является сток, поэтому эта Р область и образует со стоком диод.

Это всё сказано для N канального мосфета, естественно.

Про книжку: прочтите ещё раз первое слово названия этой книги.

[Rst7]

Ну вы конечно нашли с чем сравнить...

У Вас какие-то возражения? Не такие чернила? Как известно, размер - это еще не главное

Когда найдёте хоть один силовой мосфет без диода, дайте мне знать.

Вы невнимательно читаете то, что я пишу. Я написал

Другое дело, что мощные транзисторы всегда выполняются с этим соединением.

А если вы говорите о P области подключеной к истоку, то я не представляю как вы собираетесь создавать канал в этой Р области если она не будет подключена к истоку. Иначе под затвором просто не будет эл. поля.Подложкой в мосфете является сток, поэтому эта Р область и образует со стоком диод.Это всё сказано для N канального мосфета, естественно.

Посмотрите на эту картинку. Есть возражения?


Если нет, то объясняю, что для правильной работы полевика с отдельным выводом подложки на этот вывод необходимо подать напряжение меньшее или равное минимальному напряжению на стоке или истоке (для n-канального). Что может быть устроено соединением вывода истока с подложкой. Это и делается в мощных полевиках.

[Designer56]

Слушай - точняк! Забыл теорию...
Искал, у них сопротивление канала в лучшем случае - десятки ом

Ой, только не надо предлагать это говно. Если ностальгия мучает, то предложил бы ключи серии 590

Ну вот, почему- то стало правилом вопросы по делу в бодягу превращать. Я же подчеркивал не использовать в программируемом делителе коммутацию резисторов на землю, и вообще не использовать такую коммутацию, при которой ток делителя протекает через ключ. И даже вроде объяснил, как это может быть сделано. В этом случае ключи коммутируют не ток, а напряжение, и их сопротивление на погрешность деоителя влияния не оказывают. Отсюда и совет- самые дешевые. На 590 у вас денег не хватит, если с приемкой, а не с буквой "К". Я их и не предлагал- поскльку можно обойтись. Не бывает принципиально плохих или хороших элементов- каждому свое место. Бывают разработчики не очень копенгаген.

[Turnaev Sergey]

Посмотрите на эту картинку. Есть возражения?

Возражений нет, зато есть уточнения: это структура МДП транзистора, а силовой мосфет это совсем другой мдп.
Структура силового мосфета сильно отличается от приведённой вами, и использование вами структуры маломощного транзистора при обсуждении силового мосфета я считаю неуместным.

А вообще наш спор о диоде уже выходит за рамки этой темы.

[777777]

Я же подчеркивал не использовать в программируемом делителе коммутацию резисторов на землю, и вообще не использовать такую коммутацию, при которой ток делителя протекает через ключ. И даже вроде объяснил, как это может быть сделано.

Спасибо, я все понял, сделаю именно так. Но ключи 564 серии все равно не поставлю.

На 590 у вас денег не хватит, если с приемкой, а не с буквой "К".

Даже если с буквой К, все равно они будут дороже, чем импортные, я вот нашел ADG411. Но это уже проблема не изготовителей, а нашего правительства, задравшего курс рубля не собирающегося лечить "голландскую болезнь".

[Rst7]

А вообще наш спор о диоде уже выходит за рамки этой темы.

Выходит, но давайте все-же уточним до конца.

http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf

Figure 1.

Так объясните, чем чернила для разных классов отличаются? МДП, MOS, MOSFET - это все аббревиатуры названий одного и того-же.

[Максим Зиновьев]

Если нет, то объясняю, что для правильной работы полевика с отдельным выводом подложки на этот вывод необходимо подать напряжение меньшее или равное минимальному напряжению на стоке или истоке (для n-канального).

Именно поэтому в ранних аналоговых ключах было принято подавать заведомый минус на подложку.

[Designer56]

Именно поэтому в ранних аналоговых ключах было принято подавать заведомый минус на подложку.

И даже больше того- в качественных ключах делают следящую схему, которая повторяет переменное напряжение на затворе, тем самым, сохраняя напряжение затвор- подлжка и, таким образом, поддерживая постоянным и независимым сопротивление ключа от вх. сигнала.

[Rst7]

Именно поэтому в ранних аналоговых ключах

А в современных - много хитростей с напряжением подложки, чтобы не сильно менялось сопротивление канала при изменении напряжения коммутируемого сигнала.

[Designer56]

Спасибо, я все понял, сделаю именно так. Но ключи 564 серии все равно не поставлю.

Даже если с буквой К, все равно они будут дороже, чем импортные, я вот нашел ADG411. Но это уже проблема не изготовителей, а нашего правительства, задравшего курс рубля не собирающегося лечить "голландскую болезнь".

Максим, это ,Вам ничего не напоминает? у меня устойчивое состояние дежавю.

[Максим Зиновьев]

А в современных - много хитростей с напряжением подложки, чтобы не сильно менялось сопротивление канала при изменении напряжения коммутируемого сигнала.

Никто не мешает изготовителю встроить кучу всего в кристалл, который позиционируется как 4 ключа. В т.ч. и преобразователи в минуса и кучу следилок.
Мало кто помнит, что в 24ц64 какой-нибудь есть встроенный генератор Vpp.

у меня устойчивое состояние дежавю.

Эх. РесурсоманИя

[777777]

Максим, это ,Вам ничего не напоминает? у меня устойчивое состояние дежавю.

А мне объясните, о чем речь? Мне тоже интересно

[haker_fox]

А что ето?

Вот
и
вот.
Правда у меня нет их опыта применения.

[Turnaev Sergey]

Выходит, но давайте все-же уточним до конца.
Figure 1.
Так объясните, чем чернила для разных классов отличаются? МДП, MOS, MOSFET - это все аббревиатуры названий одного и того-же.

Собственно я под силовым мосфетом подразумеваю то что изображено на рисунке 3.

И на нём как раз видно, что если не подключать область p+ Body Region к истоку, то эл. поля в канале не будет, ну или будет в какой то его части (от n+ области).
Кроме того если даже канал создастся, то при таком поле паразитный JFET в канале будет сильнее ограничивать ток, поскольку в дальней части канала поле будет слабее, этим объясняется горизонтальная область на характеристиках Id(Uds), как видите она сильно зависит от Ugs, а без подключенной к истоку p+ области, это ограничение будет намного сильнее.

[Rst7]

Я хотел бы попросить кого-либо из модераторов отделить от этой темы обсуждение различий между силовым мосфетом и КП305 в отдельный топик, и я с удовольствием обсужу там этот вопрос.

Собственно я под силовым мосфетом подразумеваю то что изображено на рисунке 3.

В чем же его глобальное отличие от рисунка 1? Кстати, подпись под рисунком 1 гласит про то, что это Power MOSFET.

Если я сделаю отдельный вывод p-области с рисунка 3 и подключу его к точке, напряжение на которой меньше чем на стоке и/или истоке - что изменится?

[Turnaev Sergey]

Если я сделаю отдельный вывод p-области с рисунка 3 и подключу его к точке, напряжение на которой меньше чем на стоке и/или истоке - что изменится?

Этим вы отсоедините анод диода от истока, однако они будут соединены через эту эдс. В итоге получится что мы избавимся от диода только если сделаем эту эдс больше чем приложенное обратное напряжение, а это для силовых приборов весьма приличная величина.

Чем отличается рисунок 1 от рисунка 3 это вопрос к технологам.
Моё мнение что отличие в том что охлаждать прибор с рисунка 3 проще, и высоковольтные версии не будут расти в ширину, а будут становиться толще, что очень важно для высоковольтных приборов на большие токи.

[Rst7]

Этим вы отсоедините анод диода от истока, однако они будут соединены через эту эдс. В итоге получится что мы избавимся от диода только если сделаем эту эдс больше чем приложенное обратное напряжение, а это для силовых приборов весьма приличная величина.

Ээээ... Вот "соединение через эту эдс" - это как? Да повторю вопрос, в чем же отличие от обычного полевика с выводом подложки?

[Turnaev Sergey]

Ээээ... Вот "соединение через эту эдс" - это как? Да повторю вопрос, в чем же отличие от обычного полевика с выводом подложки?

Если следовать вашим словам, то это вот так:

где эдс - это тот самый потенциал ниже потенциалов стока и истока, описаный вами. Отсюда чётко видно, какие величины обратного напряжения возможны в этом варианте.

Скажу честно, обычные МДП полевики не изучал и не применял, ещё не возникало необходимости.

[Rst7]

Если следовать вашим словам, то это вот так:

Почти. Есть еще один диод, он от истока к подложке. Эти диоды - они между подложкой и стоком/истоком, а подложка в мощном полевике соеденина со стоком. Но суть не в этом. Сначала Вы заявляете, что

Я конечно извиняюсь, но вы вообще знаете какая структура MOSFET?
Эти диоды являются паразитными, и без них конструктивно невозможно сделать данный тип транзистора.

Затем -

Возражений нет, зато есть уточнения: это структура МДП транзистора, а силовой мосфет это совсем другой мдп.

Нет такого "совсем другого мдп - силового мосфета". Принцип всех мдп одинаковый и топологически (в математическом смысле) они одинаковы.

В конце концов Вы заявляете -

обычные МДП полевики не изучал

Что, конечно, ставит под большое сомнение Ваши первые утверждения

[Turnaev Sergey]

Rst7

Если у вас есть какие то замечания к моим словам относительно теории силового мосфета, то пожалуйста высказывайте это.
А так я уже сказал что в данной структуре избавиться от диода весьма проблематично, по крайней мере без ухудшения параметров.

А мои первые утверждения лучше не ставить под сомнение, а опровергать, если есть что опровергнуть относительно трёхвыводной конструкции транзистора с вертикальным строением. Вдруг я действительно в чём то заблуждался относительно этого строения мосфета.

p.s. Вы мне так и не показали силовой мосфет без диода.

[Максим Зиновьев]

Turnaev Sergey, мне кажется, вы путаете структуры х-МОП и мосфет

В мосфете канал индуцируется полем затвор-подложка. В мощных её можно вывести наружу, только это никому не нужно, так как влечет за собой трудности, начиная от защиты d, s -подложка от обратных (весьма низких до пробоя), до использования четырёхногих корпусов

[Turnaev Sergey]

В мосфете канал индуцируется полем затвор-подложка. В мощных её можно вывести наружу, только это никому не нужно, так как влечет за собой трудности, начиная от защиты d, s -подложка от обратных (весьма низких до пробоя), до использования четырёхногих корпусов

В мощных мосфетах подложка является стоком, а канал создаётся в области p под затвором. Или вы это опровергаете?

[Rst7]

В мощных мосфетах подложка является стоком

Эээ, когда мы тут говорим "подложка" в применении к mosfet, мы имеем в виду p-область между n-областями стока и истока. Эта область действительно под затвором. И именно эта область выводится 4м выводом в маломощных полевых транзисторах. И ее принято называть "подложка" вне зависимости от физической топологии транзистора.

[Максим Зиновьев]

В мощных мосфетах подложка является стоком, а канал создаётся в области p под затвором. Или вы это опровергаете?

Можно и опровергнуть, но зачем? на вам понравившейся 3. fig подложка это p-body . Вывод от него вам нужен?

Канал, кстати, индуцируется в n- Epi Layer

За ЭТО, кажется, Алфёрову дали Нобельпрайс. Или за V, я уж и не помню. Давно был курсовик по ФХОМЭ

[Rst7]

Канал, кстати, индуцируется в n- Epi Layer

Это же полевик с индуцируемым каналом. Т.е. канал при напряжении затвора меньше порога представляет из себя p-область (мы рассматриваем n-канальные полевики, чтобы избежать путаницы). Вот когда напряжение на затворе растет, тогда, грубо говоря, канал превращается в n-область.

А вот в полевиках со встроенным каналом - канал уже и есть n-область, и при повышении напряжения на затворе он становится как-бы еще более n и проводимость увеличивается. А чтобы запереть полевик со встроенным каналом надо подать отрицательное напряжение на затвор.

Конечно, это объяснение на пальцах, но оно достаточно близко отражает суть происходящих процессов.

[Turnaev Sergey]

Канал, кстати, индуцируется в n- Epi Layer

Не верю
Канал там даже подписан, он образуется в р области под затвором, в результате притягивания эл. полем затвора электронов. И это становится как правильно сказал Rst7 фактически n область.

Ещё кстати одна проблема с отделением р области: если мы сместим потенциал этой области ниже потенциала истока, то это будет эквивалентно подаче на затвор положительного потенциала, т.е. открытию транзистора.
Чтобы этого не происходило придётся менять потенциал затвора отностительно этой р области, что для высоковольтных транзисторов становится проблемой, поскольку может пробиться переход исток - р-область, или окисел затвор-исток.
Получается замкнутый круг. Поэтому в такой конструкции мосфета невозможно избавиться от диода.
Конечно можно придумывать и применять другие конструкции, но в этой избавиться от диода очень непросто.

А вот в полевиках со встроенным каналом - канал уже и есть n-область, и при повышении напряжения на затворе он становится как-бы еще более n и проводимость увеличивается. А чтобы запереть полевик со встроенным каналом надо подать отрицательное напряжение на затвор.

Обсуждение уже до JFETов дошло.

[Максим Зиновьев]

Конечно, это объяснение на пальцах, но оно достаточно близко отражает суть происходящих процессов.

Я пока не очень готов для подробностей

Но у меня есть замечательная книга и эта тема меня натолкнула на мысль её вдумчиво перечитать. Начиная с Чохральского..



Спасибо Вам, Rst7, за пробуждённый интерес Вы- Моск!

П.С. За курсовик про топологию из 4-х 213 диодов c эпитаксиями, ионными имплантациями, топологиями и ФШ, кстати, было 4, "минусбалл" за то, что я отказал преподавателю подарить эту книгу.
Потом он уехал куда-то поблизость от silicon valley.
Буду рад, перечитав, продолжить беседу

Канал там даже подписан,

Вы, э-эээ, не верьте всему подписанному Могут оказаться дрова


Дело в том, я давно замечаю, что и в унитродовских семинарах встречаются объяснения, э--ээ, далёкие от реальности-через-меазуремент&пощупинг

Эти семинары - публикации мнений отдельных неленивых индивидуумов, типа нас тут с вами

Такшта. Мнение личное надо выпестовывать, базируясь на разных источниках

т.е. открытию транзистора.

Пацтул свалился от этой формулировки, Коллега

[Turnaev Sergey]

Вы, э-эээ, не верьте всему подписанному Могут оказаться дрова

В данном случае я не только сказал где там канал, но и объяснил как он получается, а вы выдвинули своё замечание без всяких доказательств.

Пацтул свалился от этой формулировки, Коллега

А что смешного? То что транзистор откроется?

[Rst7]

Обсуждение уже до JFETов дошло.

Окститесь. Где Вы увидели упоминание JFET? Всего есть 4 типа мосфетов -
1. индуцированный n-канал
2. встроенный n-канал
3. индуцированный p-канал
4. встроенный p-канал

Никогда не видел 4го типа, где-то читал, что вроде там с технологией не получается. А может путаю, врать не буду.

Типы 1-3 существуют и здравствуют. Все они - с изолированным затвором. Если Вы не знаете о том, что есть мосфеты, которые при напряжении Ugs=0 открыты, то это не значит, что их нет

Конечно можно придумывать и применять другие конструкции, но в этой избавиться от диода очень непросто.

Да можно вывести вывод подложки. Не нужно это в тех областях, в которых используются мощные мосфеты. Посему просто соединяют внутри.

А вот в маломощных этот вывод часто выведен наружу и используется во всяких хитрых схемах типа ключей.

Но в любом случае это все один и тот же тип - MOSFET.

[Turnaev Sergey]

Если Вы не знаете о том, что есть мосфеты, которые при напряжении Ugs=0 открыты, то это не значит, что их нет

Согласен, не знаю.

Вообщем считаю спор оконченым, за отсутствием предмета спора.
То что по строению можно много чего напридумывать это всем понятно, а по одной конкретной топологии я своё мнение уже высказал.

[Максим Зиновьев]

JFET

Это жунктион фет . т.е. с индуцированным каналом, x-МОП в русскоязычии. Есть обедненные и обогащенные. У последних проводимость канала отлична от 0 при Vgs=0

П.С. МОП это структура - Металл-Окисел-Полупроводник.
МДП - та же херь для юзера по сути, только технология другая. Металл-Диэлектрик-Полупроводник.

Дык вот. Аббревиатура FET - филд эффект транзистор (полевой транзистор)
MOS - металл-оксид-субстрате. Ор демисезонный кондуктор

Видите, даже не заглядывая в книги и гуголи, вспомнил

Но в любом случае это все один и тот же тип - MOSFET.

+1, я бы назвал это "класс"

А что смешного? То что транзистор откроется?

Хотел было откомментить... но я сегодня добрый
Сергей, позвольте дружеский совет.
Возьмите, наконец, какой-нибудь настоящий Букварь (а не пятистраничную публикацию по типу комиксов) и... покурите его, што ль,

[Валентиныч]

Возвращаясь к стартовому топику...
Если амплитуда аналогового сигнала не большая, можно попробовать "подложить" под нее постоянную составляющую, величиной чуть больше амплитуды. А после ключа просто отсечь ее емкостью. Высокую линейность не гарантирую, хотя - в этом мире все довольно относительно.
Для конкретных советов маловато исходной инфы. Но таким способом пользуюсь уже лет 20, если не больше, и обычно проблем не возникает.

[Turnaev Sergey]

Хотел было откомментить... но я сегодня добрый
Сергей, позвольте дружеский совет.
Возьмите, наконец, какой-нибудь настоящий Букварь (а не пятистраничную публикацию по типу комиксов) и... покурите его, што ль,

Ну вот...
Лучше горькая правда, чем красивая ложь и гордое молчание.
Я не против ваших комментариев.

И с чего вы взяли что я изучал мосфет по какой то там публикации? Это как минимум неправда. Букварей я почитал достаточно для того чтобы применять эти приборы.

Ну а про расшифровку названия, так это практически всем известно, и тайн в этом нет.