Провожу моделирование температуры канала полевого транзистора (СВЧ) при включении питания, т.е. рассеиваемая мощность скачком изменяется от 0 до 4 Вт. Кристалл транзистора GaAs, размером около 800*350*100 мкм, посажен на медную пластинку-теплоотвод толщиной около 0.35 мм, с выступом для посадки кристалла высотой 0.15 мм, чуть шире самого кристалла (где-то 1*0.5 мм). Температура перехода в установившемся режиме близка к той, что указывает производитель, но вот получился какой-то выброс температуры. Это вообще реально или симулятор заврался (возможно, я неправильно использую). Расчет в SolidWorks 2009 SP1.
Начальная температура 25 С, стабилизация наступает на уровне 63, беспокоит выброс в 12 град (до 75)
Ответ получен. В качестве начального условия установил температуру теплоотвода 25 град., а потом поставил на 0 (чтобы проще оценивать тепловое сопротивление), вот и выброс получился из-за теплоемкости меди.
Нестационарный тепловой процесс, недопонял результаты симулятора SolidWorks
Dec 17 2008, 18:30
