|
Токи утечки высоковольтных диодов., Как бороться с их влиянием? |
|
|
|
Jan 14 2009, 07:33
|
Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 320
Регистрация: 4-03-05
Из: г.Киев
Пользователь №: 3 058

|
При увеличении температура окружающей среды возрастают токи утечки диодов, что эквивалентно увеличению нагрузки. Как можно бороться с этим эффектом, может какие то способы компенсации, за счет топологии эти влияния не заметны, может замена высоковольтных диодов ключами (хотя меньше чем 250 мкА у полевиков не встречал ), .т.п.??? Уважаемое сообщество, кто что думает, знает, поделитесь мыслями, опытом.
Сообщение отредактировал vlvl@ukr.net - Jan 14 2009, 07:36
|
|
|
|
2 страниц
1 2 >
|
 |
Ответов
(1 - 14)
|
Jan 14 2009, 09:24
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 457
Регистрация: 7-06-07
Из: Минск
Пользователь №: 28 262

|
Цитата(vlvl@ukr.net @ Jan 14 2009, 10:08)  Это все равно не решает целиком и полностью данную проблему. И не всегда удается найти именно то что хочется, часто приходится оперировать наличием на рынке (доставаимостью). Можно делать аналог таких высоковольтных сборок на диодах прямо на плате: токи утечки сами выровняют обратные напряжения на диодах. И лучше конечно предварительно подобрать диоды по похожести токов утечки и предельных обратных напряжений.
--------------------
Человек учится говорить два года, а молчать - всю жизнь
|
|
|
|
|
Feb 10 2009, 14:03
|

Участник

Группа: Новичок
Сообщений: 34
Регистрация: 24-04-08
Из: Новосибирск
Пользователь №: 37 054

|
Нужны специальные диоды. "Горячий" ток утечки можно уменьшить облучением диода. Нужно обращать внимание в спецификации на ток утечки при 125С, они могут отличатся на порядок для одинакового номинала тока.
--------------------
Chip Design Engineer
|
|
|
|
|
Feb 11 2009, 08:28
|

Участник

Группа: Новичок
Сообщений: 34
Регистрация: 24-04-08
Из: Новосибирск
Пользователь №: 37 054

|
Цитата(SNGNL @ Feb 11 2009, 01:28)  Объявите, пожалуйста, дозу. Доза (гамма-кванты) сильно зависит от легирования N-drift и пострадиационного отжига. Можно танцевать в обе стороны от 1Е5 Gy.
Сообщение отредактировал ArizonaWeird - Feb 11 2009, 08:35
--------------------
Chip Design Engineer
|
|
|
|
|
Mar 14 2009, 11:55
|

Участник

Группа: Новичок
Сообщений: 34
Регистрация: 24-04-08
Из: Новосибирск
Пользователь №: 37 054

|
Для уменьшения горячих токов утечки еще используется сильнолегированный N-буфер со стороны анода, глубиной до 25 мкм
--------------------
Chip Design Engineer
|
|
|
|
|
Mar 14 2009, 13:19
|

Участник

Группа: Новичок
Сообщений: 34
Регистрация: 24-04-08
Из: Новосибирск
Пользователь №: 37 054

|
Цитата(vlvl@ukr.net @ Feb 23 2009, 13:28)  Уважаемый коллега, не подскажите ли, свинцовые трусы какой массы нужно использовать в подобных опытах? В производстве обычно используется фартук из освинцованной резины.
--------------------
Chip Design Engineer
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|