реклама на сайте
подробности

 
 
> Расчет структуры с плавающими кольцами в tcad
Анатолий_И3К
сообщение Mar 5 2009, 12:42
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 6
Регистрация: 15-05-08
Из: Москва
Пользователь №: 37 540



Здравствуйте!

Мне необходимо рассчитать структуру LDMOS-транзистора с плавающими Al- и Mo- кольцами (см. приложенный рисунок). Итого 7 молибденовых и 6 алюминиевых колец. Структура достаточно объёмная: 350 мкм на 460 мкм (2D), расчетная сетка, получаемая в MESH, содержит порядка сотни тысяч точек. Расчёт электрофизических характеристик провожу в DESSIS.
Проблема заключается в том, что решение DESSIS не сходится практически сразу после запуска, то есть напряжение доходит до сотых-тысячных долей вольта (а желательно рассчитать до 1500 В).

Был рассмотрен пример расчета плавающих областей из ExampleLibrary ("3.5.2 Breakdown simulation of diode with floating rings and
parameterized field plates"
), попытался применить те же приёмы к своей структуре: обозначение каждого плавающего кольца в качестве контакта (Voltage=0, current=0 - в разделе Electrode DESSIS), наложение поверх всей структуры толстого слоя изолятора Insulator с относительной диэлектрической проницаемостью=1 (эмуляция воздуха), прикладывание напряжения не напрямую к стоку транзистора, а через резистор большого номинала (в руководстве exampleslibrary.pdf к этому данному примеру сказано, что такой подход увеличивает сходимость расчета). В общем, ничего не помогло.
Подскажите, пожалуйста, какую лучше назначить сетку в MESH для расчета в DESSIS (в каких местах её целесообразно сделать более точной), сталкивался ли кто-нибудь с расчетами плавающих областей (диффузионных/недиффузионных)? Возможно ли рассчитать в TCAD данной версии такую большую структуру (сужу относительно "родных" примеров)?

Заранее большое спасибо!


p.s. Работаю в ISE TCAD 10.0, FLOOPS-MESH-DESSIS, испытывал на Red Hat 3, Mandriva 08-09, OpenSUSE 11.1.
На картинке присутствуют два контакта (слева) - контакт к n+-истоку и p-подслою и 4 плавающих кольца (2 молибденовых и 2 алюминиевых). Через соответствующее число колец справа расположен контакт к стоку, к которому относительно истока (Vs=0) прикладывается напряжение (Vd=0-1500 В)
Прикрепленное изображение


Сообщение отредактировал Анатолий_И3К - Mar 5 2009, 12:45
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов (1 - 6)
ArizonaWeird
сообщение Mar 7 2009, 14:27
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 34
Регистрация: 24-04-08
Из: Новосибирск
Пользователь №: 37 054



Да, считал плавающие диффузионные области, потенциал фиксировался сверху через Field Oxide, никаких проблем.


--------------------
Chip Design Engineer
Go to the top of the page
 
+Quote Post
xabbal
сообщение Mar 7 2009, 22:40
Сообщение #3


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 53
Регистрация: 27-08-08
Из: Москва
Пользователь №: 39 856



Анатолий,может вы просто не правильно конфигурируете исполняемый файл?..
Я тоже когда-то пытался считать подобные структуры...но там было всё намного легче..

ArizonaWeird,не могли бы вы,может,текст запускного скинуть?..
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Анатолий_И3К
сообщение Mar 7 2009, 22:50
Сообщение #4





Группа: Новичок
Сообщений: 6
Регистрация: 15-05-08
Из: Москва
Пользователь №: 37 540



xabbal, я перепробовал кучу вариантов, видимо, я что-то принципиальное делаю не правильно. Например, простая структура сгенерирована и считается, стоит добавить в неё диффузионные области, возникают проблемы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
xabbal
сообщение Mar 7 2009, 22:59
Сообщение #5


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 53
Регистрация: 27-08-08
Из: Москва
Пользователь №: 39 856



Анатолий, попробуйте ради интереса зафиксировать потенциалы плавающих охранных колец, хотя бы половины, как при этом будет вести себя DESSIS?..
Go to the top of the page
 
+Quote Post
xabbal
сообщение Mar 12 2009, 09:17
Сообщение #6


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 53
Регистрация: 27-08-08
Из: Москва
Пользователь №: 39 856



Анатолий, как успехи?.. Хотел бы Вам предложить использовать вариант расчёта не FLOOPS - MESH - DESSIS, а DIOS - MDRAW - DESSIS.
У меня структуры получались именно в таких модулях.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ArizonaWeird
сообщение Mar 14 2009, 11:44
Сообщение #7


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 34
Регистрация: 24-04-08
Из: Новосибирск
Пользователь №: 37 054



Пример расчета с плавающим P-well
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  P_float_exampl.zip ( 2.93 килобайт ) Кол-во скачиваний: 49
 


--------------------
Chip Design Engineer
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 26th July 2025 - 07:21
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01878 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016