приемник на кристалле Опции

[Vlad77]

День добрый.
Возник вопрос вне рамок моей компетенции, прошу проконсультировать вот по какому вопросу. На кристалле, реализующем микропроцессор , требуется разместить приемник (только приемник) цифрового диапазона 750 - 1950 мегагерц, обвязка относящяяся к приемнику должна находиться внутри кристалла, антенна должна находиться в корпусе микросхемы. Понимаю что это может
попахивать бредом, но тем не менее, есть ли сейчас технологии позволяющие реализовать эту идею, если есть, то какие. Если можно, опубликуйте ссылки по теме.

Сообщение отредактировал Vlad77 - Jun 15 2009, 06:14

[Vlad77]

.

Сообщение отредактировал Vlad77 - Jun 15 2009, 07:19

[VladimirB]

Понимаю что это может попахивать бредом ...

А какже электромагнитная совместимость?
Антенны на такой диапазон имеют достаточно большой размер (разберите любой сотовый телефон для примера),
чтобы быть помещённым на кристалл.
Но имхо основная проблема в том, что аналоговые цепи особенно высокочувствительные
должны быть отделены от цифровых типа микроконтроллера. Иначе вы будете принимать не сигналы с эфира а цифровые шумы.
На одном кристалле с микроконтроллером тяжело даже АЦП нормальный сделать. Посмотрите у всех производителей МК конвеерные АЦП обычно 10бит в лучшем случае 12(например ADUC7026), на 16-24 бита есть только медленные сигма-дельта. А у приёмников перед АЦП ищё усилитель на 40-60дБ обычно ставят.
А ещё у любого приёмника есть гетеродин обычно на основе петли ФАПЧ. Цифровые шумы микроконтроллера легко преобразуются в фазовые шумы вашего синтезатора, что также резко ухудшит характеристики.
Также в таком диапазоне частот тяжело получить развязку на кристалле более 40дБ, поэтому сильный сигнал гетеродина будет наводиться на вход РПУ. Цифровые приёмники обычно делаются на основе квадратурных смесителей и сигнал гетеродина на входе будет самодетектироваться в медленно плавающую постоянку на выходе. Поэтому размещать на одном кристалле (даже на одной плате без экранировки) усилитель, гетеродин и квадратурник не рекомендуется.
Подобные проблемы у нас были с микросхемой AD8347 (http://www.analog.com/en/rfif-components/modulatorsdemodulators/ad8347/products/product.html) когда при больших коэффициентах встроенного усилителя на выходе появлялась очень большая постоянная составляющая сильно ограничивающая динамический диапазон и зависящая от внешних факторов (температуры, влажности и тп.)

Сообщение отредактировал VladimirB - Jun 15 2009, 08:46

[SM]

обвязка относящяяся к приемнику должна находиться внутри кристалла, антенна должна находиться в корпусе микросхемы. Понимаю что это может
попахивать бредом, но тем не менее, есть ли сейчас технологии позволяющие реализовать эту идею, если есть, то какие. Если можно, опубликуйте ссылки по теме.

Если именно - обвязка внутри кристалла, а антенна в корпусе - то на раз. Гибридка называется.