Перелиставши кучу литературы по МШУ-строению решил начать сам рассчитывать шаг за шагом.
Итак, подопытный транзистор NE4210S01. Диапазон входных частот малошумящего усилителя 7,5-8,5 ГГц.
Предварительная симуляция S параметров данного транзистора показала что он является нестабильным вплоть до частоты ~9,5 ГГц, так как параметр К<1.
Чтобы его застабилизировать включил в цепь стока резистор сопротивлением 5.1 Ом.

Симуляция в ADS2009 показала что после добавления резистора он оказался стабильным для входных рабочих частот, коэфициент К>1.
Также в ADS2009 получены значения величин для согласовки по входу и выходу, которые рассчитывались по минимуму шума.

Итак мы имеем, для условия минимального шума, на частоте 8ГГц входной импеданс Zs=42,942+J52,701 , выходной импенданс
Zl=42,692+J26,080
При этом NFmin=0.399 db, gain =14.034 db
Далее для комплексно спряженной величины входного импенданса Zs с помощью диаграммы Смита получаем цепочку из сосредоточенных "lumped" элементов для согласования этого входного импеданса транзистора с 50 омным входным.
Аналогично поступаем для выходного импенданса Zl.
В результате получили однотранзисторный усилитель с входным и выходным сопротивлениями равными 50 Ом с использованием в качестве согласующих "lumped" элементов, то есть конденсаторов и индуктивностей.
Проверку получившихся параметров осуществлял в программе MWO2008 (v8.04). См. прикрепленный файл
LNA8GHz_1stag_lumped.rar
И действительно получились параметры на 8 ГГц такие,
NFmin=0.3989 db, gain =14.034 db, что говорит о том что
согласовка правильная. Поскольку на таких частотах используются
микрополосковые линии, то нужно рассчитать согласование с использованием рассредоточеных или "microstrip" линий и "stub"-ов.
Поступаем так же само, с помощью диаграмы Смита теперь получаем значения длин линий и стубов для согласования.
Промоделировал полученые микрополоски в MWO2008, получил
результат усиления, и шума мало отличающихся от прежних.
См. в аттаче файл LNA8GHz_1stag_microstr.rar
Теперь просьба ко всем знающим, проверьте пожалуйста все мои расчеты. И как лучше стабилизировать транзистор, резистором в стоке, или индуктивностями в истоке?
Спасибо!