|
Как вкачать наносекундный импульс в большую индуктивность? |
|
|
|
Feb 15 2010, 05:43
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Здравствуйте, уважаемые форумчане! Возникла необходимость создать генератор тока наносекундных импульсов на индуктивно-емкостную нагрузку. Индуктивность создает большой контур протекания тока (примерно метр в диаметре). Длительность импульсов от 50 до 500 нс. Величина тока в импульсе до 500А. Как создать срез импульса более-менее представляю (например, двухтактная схема или схема с последовательно соединенными лавинными транзисторами ZTX 415), а вот как получить фронт на такой индуктивности не уразумею, ибо опыт маловат(( Может кто может подсказать хотя бы принцип.
|
|
|
|
3 страниц
1 2 3 >
|
 |
Ответов
(1 - 32)
|
Feb 15 2010, 06:07
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(Methane @ Feb 15 2010, 09:53)  А вы посчитайте какое напряжение вам нужно будет сделать для такого тока. Действительно, мегавольты получаются. Требования к схеме могут изменяться, тогда вопрос перефразирую: как получить наименьшее время фронта импульса на индуктивной нагрузке?
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 08:31
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 62
Регистрация: 10-02-10
Из: Москва
Пользователь №: 55 402

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 15 2010, 08:43)  Здравствуйте, уважаемые форумчане! Возникла необходимость создать генератор тока наносекундных импульсов на индуктивно-емкостную нагрузку. Индуктивность создает большой контур протекания тока (примерно метр в диаметре). Длительность импульсов от 50 до 500 нс. Величина тока в импульсе до 500А... Здравствуйте, BomBimBom. А с какими величинами индуктивностей-емкостей хотите оперировать? У меня генератор тока работает с с величинами порядка 20-60 мкГн (~3 витка провода под потолком комнаты). При этом прокачиваю импульс тока с фронтом 250нс и амплитудой в пике ~2А. Напряжение к катушке прикладывается порядка 400В в пике при времени нарастания фронта около 120-130нс.
Сообщение отредактировал lunin - Feb 15 2010, 08:33
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 09:15
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(yakub_EZ @ Feb 15 2010, 11:40)  Советую ознакомиться с книгой Генадия Андреевича Месяца, Насибов, Кремнев "Формирователи наносекундных импульсов высокого напряжения" Москва Энергия 1970. Книга есть в сети, в ней есть примеры подобных схем. Для коммутаций на такие напряжения, токи и длительности в основном применяются тиратроны Спасибо. Ее еще не нашел, но нашел нечто другое, кому интересно: http://www.yourbinar.ru/lib/TEVN_mie.pdf (прошу простить, прикрепить не удалось) Цитата(lunin @ Feb 15 2010, 11:31)  Здравствуйте, BomBimBom. А с какими величинами индуктивностей-емкостей хотите оперировать? У меня генератор тока работает с с величинами порядка 20-60 мкГн (~3 витка провода под потолком комнаты). При этом прокачиваю импульс тока с фронтом 250нс и амплитудой в пике ~2А. Напряжение к катушке прикладывается порядка 400В в пике при времени нарастания фронта около 120-130нс. Спасибо, теперь имею представления о порядке величин)) Оценил индуктивность, она порядка 1-3 мкГн
Сообщение отредактировал BomBimBom - Feb 15 2010, 09:13
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 09:34
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 62
Регистрация: 10-02-10
Из: Москва
Пользователь №: 55 402

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 15 2010, 12:15)  Оценил индуктивность, она порядка 1-3 мкГн А насколько критично соблюдение формы тока при различных реактивностях нагрузки? Если критично, то рекомендую почитать тему "Источники тока, управляемые напряжением": http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/op/funop_10_2.htm
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 09:44
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(lunin @ Feb 15 2010, 12:34)  А насколько критично соблюдение формы тока при различных реактивностях нагрузки? Если критично, то рекомендую почитать тему "Источники тока, управляемые напряжением": http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/op/funop_10_2.htmИндуктивность нагрузки постоянна, изменяется только емкость и, в небольших пределах, активная составляющая, а форма импульса требуется прямоугольная
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 09:48
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 775
Регистрация: 11-05-05
Пользователь №: 4 913

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 15 2010, 08:43)  Возникла необходимость создать генератор тока наносекундных импульсов на индуктивно-емкостную нагрузку. Индуктивность создает большой контур протекания тока (примерно метр в диаметре). Длительность импульсов от 50 до 500 нс. Величина тока в импульсе до 500А. Как создать срез импульса более-менее представляю (например, двухтактная схема или схема с последовательно соединенными лавинными транзисторами ZTX 415), а вот как получить фронт на такой индуктивности не уразумею, ибо опыт маловат. Вы бы определились с параметрами, а то 1-3мкГн и 50-500нсек дают разброс напряжений 1-30кВ. Да и при 500А ZTX 415 будут у Вас практически одноразовыми уже при длительности импульса 100нс, не говоря уже о 500нс. По поводу водородных тиратронов смотрите например здесь http://www.kontakt-saratov.ru/produkt/mgl/...eh_harakter.htmВсе таки не совсем понятна проблема. То-ли нужно создать фронт напряжения на LC контуре (ударное возбуждение), то-ли фронт тока в индуктивности?
Сообщение отредактировал asdf - Feb 15 2010, 10:05
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 10:00
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(asdf @ Feb 15 2010, 12:48)  Вы бы определились с параметрами, а то 1-3мкГн и 50-500нсек дают разброс напряжений 1-30кВ. Да и при 500А ZTX 415 будут у Вас практически одноразовыми уже при длительности импульса 100нс, не говоря уже о 500нс. Лавинные транзисторы я думал распарралелить, а если обеспечить одинаковый фронт на всех длительностях импульса, то эта длительность на разброс не влияет как мне кажется
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 10:20
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 775
Регистрация: 11-05-05
Пользователь №: 4 913

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 15 2010, 13:00)  Лавинные транзисторы я думал распарралелить, а если обеспечить одинаковый фронт на всех длительностях импульса, то эта длительность на разброс не влияет как мне кажется Ну тогда у Вас Они будут N- разовыми  , где N - количество паралельно включенных транзисторов. Проблема в том, что напряжение пробоя у них немного отличается и первым будет пробиваться транзистор с меньшим напряжением. Он то и будет брать на себя весь ток. Напрашивается включать их через реакторы тока или на все транзисторы подавать отпирающее напряжение. По любому будут сложные многообмоточные катушки-трансформаторы
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 10:39
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(asdf @ Feb 15 2010, 13:20)  Ну тогда у Вас ини будут N- разовыми  , где N - количество паралельно включенных транзисторов. Проблема в том, что напряжение пробоя у них немного отличается и первым будет пробиваться транзистор с меньшим напряжением. Он то и будет брать на себя весь ток. Напрашивается включать их через реакторы тока или на все транзисторы подавать отпирающее напряжение. По любому будут сложные многообмоточные катушки-трансформаторы Я думаю на каждую ветку парралельного соединения свой накопитель энергии. То есть каждая линия обеспечивает величину тока в безопасном диапазоне, а пробой одной линии не вызывает перераспределения тока
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 13:22
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 62
Регистрация: 10-02-10
Из: Москва
Пользователь №: 55 402

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 15 2010, 13:00)  Лавинные транзисторы я думал распарралелить Уж лучше обратите внимание на транзисторы фирмы IXYS, например DE475-102N21A http://www.ixysrf.com/app/high_voltage.htmlили Microsemi из высоковольтной серии http://www.microsemi.com/catalog/com_partbrowse.aspУ этих хоть больше шансов выжить  Если захотите, сообщу, почем покупал
Сообщение отредактировал lunin - Feb 15 2010, 13:27
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 14:01
|
Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 329
Регистрация: 6-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 252

|
Тиристор MCTV65P100F1 65A, -1000V • VTM £ -1.4V at I = 65A and +150oC • 2000A Surge Current Capability • 2000A/us di/dt Capability Скорость уже близка к первоночально заявленной - 1000 ампер/500 нс Одним из приборов можно скоммутирровать катушку на емкость с напряжением киловольта, другим разрядить катушку. Управлять импульсами через трансформатор http://www.chipfind.ru/datasheet/pdf/inter...cta65p100f1.pdf
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 04:36
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(lunin @ Feb 15 2010, 16:22)  Уж лучше обратите внимание на транзисторы фирмы IXYS, например DE475-102N21A http://www.ixysrf.com/app/high_voltage.htmlили Microsemi из высоковольтной серии http://www.microsemi.com/catalog/com_partbrowse.aspУ этих хоть больше шансов выжить  Если захотите, сообщу, почем покупал  Да очень интересно, в платанах и электрониках ценники не нашел Цитата(yakub_EZ @ Feb 15 2010, 18:01)  Тиристор MCTV65P100F1 65A, -1000V • VTM £ -1.4V at I = 65A and +150oC • 2000A Surge Current Capability • 2000A/us di/dt Capability Скорость уже близка к первоночально заявленной - 1000 ампер/500 нс Одним из приборов можно скоммутирровать катушку на емкость с напряжением киловольта, другим разрядить катушку. Управлять импульсами через трансформатор http://www.chipfind.ru/datasheet/pdf/inter...cta65p100f1.pdfМаловата скорость) Да всякие делэй таймы велики Цитата(jam @ Feb 15 2010, 21:40)  Если Вам нужно получить фронт импульса - так это тиратрон. А если магнитное поле - то разбить контур на много маленьких - скорость света (3нс\м) - у Вас периметр 3метра. Вообще требуется прямоугольные наносекунды получить на электрохимической ячейке (анод-электролит-катод, являющейся активно-емкостной нагрузкой), но неизбежной данностью является этот самый конттур большой. Фронты важны, но и длительности импульсов тоже. Цитата(lunin @ Feb 15 2010, 17:22)  Уж лучше обратите внимание на транзисторы фирмы IXYS, например DE475-102N21A http://www.ixysrf.com/app/high_voltage.htmlили Microsemi из высоковольтной серии http://www.microsemi.com/catalog/com_partbrowse.aspУ этих хоть больше шансов выжить  Если захотите, сообщу, почем покупал  Вот еще нашел http://www.microsemi.com/catalog/parmlist....p;P1_TYPE=RFMOSв конце списка уже с драйверами в одном корпусе
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 08:06
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 62
Регистрация: 10-02-10
Из: Москва
Пользователь №: 55 402

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 07:36)  ...в платанах и электрониках ценники не нашел Платан разжирел и зазнался по отношению к розничным покупателям, как и чип и дип... Сейчас мне например, удобнее в chipfind.ru определяться с ценой-там хоть масштабы становятся ясными. Я платил за ARF1505 около 7500 руб/шт, а за DE475-102N21A ~2500руб/шт.(по старой цене) Цена ~пропорциональна линейности ВАХ  Еще можно поискать в ЮЕ-интернейшнл, Контест, Farnell, Элитан, Компэл, Терраэлектроника и т.п. Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 07:36)  Вообще требуется прямоугольные наносекунды получить на электрохимической ячейке (анод-электролит-катод, являющейся активно-емкостной нагрузкой), но неизбежной данностью является этот самый контур большой. Фронты важны, но и длительности импульсов тоже. ...Вот еще нашел ... в конце списка уже с драйверами в одном корпусе Я пока не понял, нужен прямоугольник тока в нагрузке или напряжения, приложенного к ней? С прямоугольником напряжения еще относительно просто и серия DRF120* как специально для этого делалась. У IXYS тоже похожие есть вроде. А если имп. тока, то серия DRF120* будет эээ.. не очень подходящая, поскольку работает в ключевом режиме D (Полностью открыт или закрыт). Как вариант, по-моему, это использовать что-то более линейное, например на базе ARF1505, DE475-102N21A. Только обязательно с цепью управления, охваченной ООС по току в нагрузке. И вот тогда напряжение, приложенное к нагрузке, буде иметь вид продифференцированного прямоугольного импульса тока с поправкой на времена фронтов и спадов.
Сообщение отредактировал lunin - Feb 16 2010, 08:18
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 10:23
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(lunin @ Feb 16 2010, 11:06)  Платан разжирел и зазнался по отношению к розничным покупателям, как и чип и дип... Я пока не понял, нужен прямоугольник тока в нагрузке или напряжения, приложенного к ней? С прямоугольником напряжения еще относительно просто и серия DRF120* как специально для этого делалась. У IXYS тоже похожие есть вроде. А если имп. тока, то серия DRF120* будет эээ.. не очень подходящая, поскольку работает в ключевом режиме D (Полностью открыт или закрыт). Как вариант, по-моему, это использовать что-то более линейное, например на базе ARF1505, DE475-102N21A. Только обязательно с цепью управления, охваченной ООС по току в нагрузке. И вот тогда напряжение, приложенное к нагрузке, буде иметь вид продифференцированного прямоугольного импульса тока с поправкой на времена фронтов и спадов. очень интересно. спасибо. а что нужно, источник тока или источник напряжения - еще нет определенного мнения. для моего случая и тот и другой варианты имеют свои преимущества. больше конечно склоняюсь к источнику тока
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 12:41
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 13:23)  очень интересно. спасибо. а что нужно, источник тока или источник напряжения - еще нет определенного мнения. для моего случая и тот и другой варианты имеют свои преимущества. больше конечно склоняюсь к источнику тока очень интересно. спасибо. а что нужно, источник тока или источник напряжения - еще нет определенного мнения. для моего случая и тот и другой варианты имеют свои преимущества. больше конечно склоняюсь к источнику тока интересно правильно ли я понимаю физику процесса: большое напряжение необходимо для формироавние фронта, дальше же это высокое напряжение не нужно, т.е. надо использовать накопители высоковольтные, но с малой емкостью, а для поддержания длительности - относительно низковольтное, но с большой емкостью? или будет достаточно регулирования по затвору?
Сообщение отредактировал Tanya - Feb 16 2010, 13:09
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 17:10
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 775
Регистрация: 11-05-05
Пользователь №: 4 913

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 07:36)  Вообще требуется прямоугольные наносекунды получить на электрохимической ячейке (анод-электролит-катод, являющейся активно-емкостной нагрузкой), но неизбежной данностью является этот самый конттур большой. Фронты важны, но и длительности импульсов тоже. Если я Вас правильно понял, контур с большой индуктивностью - это токоподвод к ячейке? Тогда может быть имеет смысл по нему передавать DC-питание, а сам генератор импульсов переместить поближе к ячейке - задача значительно упростится.
|
|
|
|
|
Feb 17 2010, 07:37
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 62
Регистрация: 10-02-10
Из: Москва
Пользователь №: 55 402

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 15:41)  интересно правильно ли я понимаю физику процесса: большое напряжение необходимо для формироавние фронта, дальше же это высокое напряжение не нужно, т.е. надо использовать накопители высоковольтные, но с малой емкостью, а для поддержания длительности - относительно низковольтное, но с большой емкостью? или будет достаточно регулирования по затвору? Я для своей схемы использовал только "регулирование по затвору", т.е. ООС по току. Ну а располагать источник импульсов конечно надо как можно ближе к нагрузке, это классика.
|
|
|
|
|
Feb 17 2010, 11:22
|

Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 792
Регистрация: 9-08-05
Из: Транай
Пользователь №: 7 474

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 15:41)  интересно правильно ли я понимаю физику процесса: большое напряжение необходимо для формироавние фронта, дальше же это высокое напряжение не нужно, т.е. надо использовать накопители высоковольтные, но с малой емкостью, а для поддержания длительности - относительно низковольтное, но с большой емкостью? или будет достаточно регулирования по затвору? Посмотрите , как делаются эксимерные лазеры - импульс тока несколько нс, ток мегаамперы, напряжение киловольты. контур разбит на части порядка сантиметров и имеет несколько метров в длину (длина активной зоны). Применяются керамические конденсаторы, трансформаторы на линиях для пробоя промежутка и тиратрон. P.S Для улучшения гомогенности (равномерности мощности в апертуре) лазера иногда применяют предионизацию при помощи рентгеновской трубки. Это хороший способ для формирования контура тока.
|
|
|
|
|
Feb 17 2010, 18:51
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(asdf @ Feb 16 2010, 20:10)  Если я Вас правильно понял, контур с большой индуктивностью - это токоподвод к ячейке? Тогда может быть имеет смысл по нему передавать DC-питание, а сам генератор импульсов переместить поближе к ячейке - задача значительно упростится. Контур образует не столько токоподвод, сколько конструкция ячейки, ее уменьшить, к сожалению, не получится
|
|
|
|
|
Feb 17 2010, 21:10
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 775
Регистрация: 11-05-05
Пользователь №: 4 913

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 17 2010, 21:51)  Контур образует не столько токоподвод, сколько конструкция ячейки, ее уменьшить, к сожалению, не получится А компенсировать, создав бифиляр возвратным проводом? Нарисовали бы хотя бы схематически конструкцию ячейки, а то без чертежа как то сложно понять, что можно сделать.
|
|
|
|
|
Feb 18 2010, 17:19
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(Vldmr @ Feb 17 2010, 01:15)  Народ, учим матчасть! Контур в 1 метр будет порядка длины волны, это значит острый фронт с использованием тадиционных расчётов не получить. Автору можно посоветовать использовать подвод напряжения к ячейке с использованием длинной линии илм расположить генератор у ячейки. В ячейке, как я понимаю, важен не ток, а заряд через не прошедший. Можноно коммутировать относительно высоковольтную ёмкость на ячейку(если генератор рядом), посчитав при этом чтобы колебательный процесс был апериодическим. Позволит ли длинная линия регулировать амплитудно-временные параметры импульсов в требуемом диапазоне?
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|