Подключаем 3,3V SDRAM к LPC3250 Опции

[V_TC]

Здравствуйте, уважаемые форумчане!
Помогите разобраться с подключением SDRAM к LPC3250. В доступных примерах подключения для питания SDRAM (или DDR SDRAM) используется напряжение 1,8 или 2,5В. Однако напряжение 3,3В для питания SDRAM заявлено в даташите как допустимое. Используем память MT48LC16M16A2BG-75IT при питании 3,3В. Схема подключения SDRAM к LPC3520 -

[scorp1969]

главное запитайте те IO которые относятся к SDRAM тоже 3.3В(VDD_EMC), но при этом не забудьте что и другие IO относящиеся к той ветке питаниа(VDD_EMC) тоже будут иметь 3.3В вход/выход.
а в чём проблема то? вроде всё правильно.

Сообщение отредактировал scorp1969 - Jun 8 2010, 10:39

[V_TC]

Проблема в следующем:
в IAR EWARM v5.4 проект из примера записывает код во внутреннее ОЗУ и исполняет его корректно. При записи во внешнее ОЗУ для исполнения Debug Log выдает сообщение о том, что не может записать данные в память. Записываются разные байты, но считываются всегда нули. Ошибки выдаются по всем адресам внешнего ОЗУ, начиная с начального. После 200 ошибок процесс завершается фатально.

Сообщение отредактировал V_TC - Jun 8 2010, 11:26

[zltigo]

А слабо начать с написания простейших тестов памяти запускаемых из внутренней SRAM, вместо пустых рассуждений об неисполнении некоего кода залитого в SDRAM? Простейшие вещи можно просто попробовать потестировать через JTAG написав скриптик. Ну и осциллограф в руки...

[V_TC]

Согласен. Раз схема подключения SDRAM сомнений не вызывает, попробуем использовать осциллограф.

[zltigo]

Согласен. Раз схема подключения SDRAM сомнений не вызывает..

Я не смотрел

[scorp1969]

Проблема в следующем:
в IAR EWARM v5.4 проект из примера записывает код во внутреннее ОЗУ и исполняет его корректно. При записи во внешнее ОЗУ для исполнения Debug Log выдает сообщение о том, что не может записать данные в память. Записываются разные байты, но считываются всегда нули. Ошибки выдаются по всем адресам внешнего ОЗУ, начиная с начального. После 200 ошибок процесс завершается фатально.

если вы пользуетесь дебагером то он использует фаил типа LPC3250_SDRAM.mac(зависит от проекта, посмотрите в настроиках) для загрузки SDRAM. в нём команды инициализации SDRAM. естественно они для SDRAM установленнои на китовои плате. вам нужно изменить параметры под вашу SDRAM учитывая и режим питания. не забудьте потом такую же инициализацию делать в основной програме

вот тут еще почитаите про address memory mapping, у вас же похоже 16-bit интерфеис а не 32, или забыли вторую микруху на верхнюю шину данных?
http://www.ctpim.org.br/lpc24xx_esternalmemory.pdf

[toweroff]

у вас же похоже 16-bit интерфеис а не 32, или забыли вторую микруху на верхнюю шину данных?

+1
если микросхема памяти одна, адресацию нужно начинать с A1 процессора

[scorp1969]

+1
если микросхема памяти одна, адресацию нужно начинать с A1 процессора

нет, это для static RAM верно но не для dynamic. в документе по ссылке есть инфа.

[V_TC]

Мы рассчитывали на возможность использования 16-ти разрядной шины данных:
"16-bit and 32-bit wide SDRAM memory support".
Документ действительно интересный. В примере подключения 16-ти разрядной SDRAM
использован именно наш чип памяти с питанием 3,3В. Но налицо отличие в использовании
сигнала CKEx для 16-ти разрядной шины: мы используем CKE0, а в документe - CKE1.
Ладно, завтра продолжим разбираться: почему рекомендуют использовать SDRAM bank 1, а не bank 0?

Сообщение отредактировал V_TC - Jun 8 2010, 15:59

[scorp1969]

Так вроде ж LPC3250 должен поддерживать и 16-ти разрядную шину:
"16-bit and 32-bit wide SDRAM memory support"

я не говорю что не будет работать. соединение вроде правильное. осталось проинициализировать систему правильно. судя по ошибкам в каждом баите вроде пока дело не в 16-бит конфигурации а в глобальном режиме работы EMC.

кстати в ссылке что я дал вроде пример инициализации даже вашеи микросхемы

Мы рассчитывали на возможность использования 16-ти разрядной шины данных:
"16-bit and 32-bit wide SDRAM memory support".
Документ действительно интересный. В примере подключения 16-ти разрядной SDRAM
использован именно наш чип памяти с питанием 3,3В. Но налицо отличие в использовании
сигнала CKEx для 16-ти разрядной шины: мы используем CKE0, а в документe - CKE1.
Ладно, завтра продолжим разбираться: почему рекомендуют использовать SDRAM bank 1, а не bank 0?

тоже обратил на это внимание но честно говоря не знаю и не разбирался, подумал просто для старших адресов реализация. не забудьте что это для LPC24хх, хотя думаю нет разницы

Сообщение отредактировал scorp1969 - Jun 8 2010, 15:50

[scorp1969]

вот тут 16 разрядныи пример CKE0
http://www.hitex-download.de/lpc/lpc-stick...50-Stick-A2.pdf
так что проблемы надо искать в програмировании EMC SDRAMконтроллера в LPC3250

[V_TC]

Относительно последнего документа в нашей схеме недостает обратной связи на вывод EMC_CLKIN процессора через резистор R601.
Может это быть причиной проблемы доступа к памяти?

[scorp1969]

Относительно последнего документа в нашей схеме недостает обратной связи на вывод EMC_CLKIN процессора через резистор R601.
Может это быть причиной проблемы доступа к памяти?

что да то да, упустил. смотрел на подключение SDRAM а на АРМе не проверил. CLK_IN подключается к CLK_OUT в любом исполнении, 16-бит или 32 не важно

Сообщение отредактировал scorp1969 - Jun 9 2010, 15:16

[V_TC]

Попробуем сомкнуть эти выводы на самом процессоре